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公開番号2025078321
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-20
出願番号2023190795
出願日2023-11-08
発明の名称面発光レーザ装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/183 20060101AFI20250513BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】内部の応力を抑制すること。
【解決手段】発光部51は、光生成層30、第1導電型の第1光反射層40および第2導電型の第2光反射層60、電流狭窄層53を含む。第1光反射層40は、Alを含む材料により構成されているとともにZ軸方向に交互に配置された複数の第1反射層41および複数の第2反射層42を含む。第1反射層41のAl組成比は、第2反射層42のAl組成比よりも高い。第1反射層41および第2反射層42を含む第2領域442は、通過層531と重なる位置に設けられている。第1光反射層40は、Z軸方向と直交する方向の端面である側面512と、側面512に設けられ、Al及びZnを含み、Al組成比が第1反射層41よりも低い第1領域441と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
厚さ方向を向く第１基板面と、前記第１基板面と反対側を向く第２基板面とを含む半導体基板と、
前記第１基板面に設けられ、前記第１基板面と同じ方向を向く発光部表面を含む発光部と、
前記発光部表面を覆い、前記発光部表面の一部を露出する第１開口を含む第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記第１開口を覆い、前記発光部表面と接する第１電極と、
を含み、
前記発光部は、
前記第１基板面に設けられた第２導電型の第２光反射層と、
前記第２光反射層に対して前記半導体基板と反対側に設けられた光生成層と、
前記光生成層に対して前記第２光反射層と反対側に設けられた第１導電型の第１光反射層と、
前記第１光反射層に設けられ、前記光生成層に対する電流が通過する通過層と、前記通過層を囲むように形成された酸化物層と、を含む電流狭窄層と、
を含み、
前記第１光反射層は、Ａｌを含む材料により構成されているとともに前記厚さ方向に交互に配置された複数の第１反射層および複数の第２反射層を含み、前記第１反射層のＡｌ組成比は、前記第２反射層のＡｌ組成比よりも高く、
前記第１反射層および前記第２反射層を含む第２領域は、前記通過層と重なる位置に設けられており、
前記第１光反射層は、
前記厚さ方向と直交する方向の端面である側面と、
前記側面に設けられ、Ａｌ及びＺｎを含み、Ａｌ組成比が前記第１反射層よりも低い第１領域と、
を含む、面発光レーザ装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記第２光反射層は、前記厚さ方向に交互に配置された複数の第３反射層および複数の第４反射層を含み、
前記第１反射層および前記複数の第２反射層の層数は、前記第３反射層および前記第４反射層の層数よりも多い、
請求項１に記載の面発光レーザ装置。
【請求項３】
第１導電型はｐ型であり、第２導電型はｎ型である、
請求項２に記載の面発光レーザ装置。
【請求項４】
前記第１領域は、前記厚さ方向から視て、前記第１反射層の前記側面と前記第１絶縁膜の前記第１開口との端部との間に設けられている、
請求項３に記載の面発光レーザ装置。
【請求項５】
前記第１領域の内側端部は、前記厚さ方向から視て、前記第１絶縁膜の前記第１開口の端より側面寄りに位置している、
請求項４に記載の面発光レーザ装置。
【請求項６】
前記酸化物層は、前記第１絶縁膜の前記第１開口の前記端部よりも内部まで延びている、
請求項４に記載の面発光レーザ装置。
【請求項７】
前記第１領域の内側端部と前記第１絶縁膜の前記第１開口との距離は、前記第１絶縁膜の前記第１開口と前記酸化物層の内側端部との距離よりも長い、
請求項６に記載の面発光レーザ装置。
【請求項８】
前記第１領域の内側端部は、前記酸化物層に向かうに従って前記第１光反射層の前記側面に近づいている、
請求項４に記載の面発光レーザ装置。
【請求項９】
前記第１領域の抵抗値は、前記第２領域の抵抗値よりも低い、
請求項３に記載の面発光レーザ装置。
【請求項１０】
第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である、
請求項２に記載の面発光レーザ装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、面発光レーザ装置に関するものである。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、面発光レーザ装置を開示している。この面発光レーザ装置は、化合物半導体材料により構成される基板と、基板上に積層されたｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層を含む。ｎ型半導体層はｎ型光反射層を含み、ｐ型半導体層はｐ型光反射層を含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２０－２１８７９号公報
【０００４】
［概要］
ところで、面発光レーザ装置では、内部に生じる応力が面発光レーザ装置の特性に影響する場合がある。このため、内部の応力の抑制が求められる。
【０００５】
本開示の一態様である面発光レーザ装置は、厚さ方向を向く第１基板面と、前記第１基板面と反対側を向く第２基板面とを含む半導体基板と、前記第１基板面に設けられ、前記第１基板面と同じ方向を向く発光部表面を含む発光部と、前記発光部表面を覆い、前記発光部表面の一部を露出する第１開口を含む第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の前記第１開口を覆い、前記発光部表面と接する第１電極と、を含み、前記発光部は、前記第１基板面に設けられた第２導電型の第２光反射層と、前記第２光反射層に対して前記半導体基板と反対側に設けられた光生成層と、前記光生成層に対して前記第２光反射層と反対側に設けられた第１導電型の第１光反射層と、前記第１光反射層に設けられ、前記光生成層に対する電流が通過する通過層と、前記通過層を囲むように形成された酸化物層と、を含む電流狭窄層と、を含み、前記第１光反射層は、Ａｌを含む材料により構成されているとともに前記厚さ方向に交互に配置された複数の第１反射層および複数の第２反射層を含み、前記第１反射層のＡｌ組成比は、前記第２反射層のＡｌ組成比よりも高く、前記第１反射層および前記第２反射層を含む第２領域は、前記通過層と重なる位置に設けられており、前記第１光反射層は、前記厚さ方向と直交する方向の端面である側面と、前記側面に設けられ、Ａｌ及びＺｎを含み、Ａｌ組成比が前記第１反射層よりも低い第１領域と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置の概略平面図である。
図２は、図１のＦ２－Ｆ２線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。
図３は、図２の面発光レーザ装置の一部を拡大して示す概略断面図である。
図４は、第１光反射層および第２光反射層の層構成を示す概略断面図である。
図５は、光反射層における反射層を説明する説明図である。
図６は、光反射層における反射層を説明する説明図である。
図７は、図１の面発光レーザ装置を搭載した発光装置の概略平面図である。
図８は、図７のＦ８－Ｆ８線に沿って切った発光装置の断面図である。
図９は、比較例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１０は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１１は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１２は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１３は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１４は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略断面図である。
図１５は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略平面図である。
図１６は、図１５のＦ１６－Ｆ１６線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。
図１７は、変更例の面発光レーザ装置を示す概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示の面発光レーザ装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図では、ハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に対象物を区別するために用いられており、対象物を順位づけするものではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、所望の選択肢の「１つ以上」を意味する。一例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が２つであれば「１つの選択肢のみ」または「２つの選択肢の双方」を意味する。他の例として、本明細書において使用される「少なくとも１つ」という表現は、選択肢の数が３つ以上であれば「１つの選択肢のみ」または「２つ以上の任意の選択肢の組み合わせ」を意味する。
【００１０】
（一実施形態）
（面発光レーザ装置の概略構成）
図１は、一実施形態の面発光レーザ装置の概略平面図である。図２は、図１のＦ２－Ｆ２線に沿って切った面発光レーザ装置の断面図である。図３は、図３の面発光レーザ装置の一部として発光部を含む範囲を拡大して示す概略断面図である。図４は、第１光反射層および第２光反射層の層構成を示す概略断面図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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