特許ウォッチ

公開番号2025095341
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-26
出願番号2023211271
出願日2023-12-14
発明の名称半導体装置および半導体装置の製造方法
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250619BHJP()
要約【課題】薄いポリシリコン膜で構成される第1の半導体素子におけるコンタクトと、第2の半導体素子におけるコンタクトとを同時に加工する。
【解決手段】
半導体装置100は、絶縁膜30と、絶縁膜30上に成膜されたポリシリコン膜40とを備える。半導体装置10は、平面視において、ポリシリコン膜40で構成される第1の半導体素子を含む第1の領域と、第2の半導体素子を含む第2の領域とを含む。第1の領域に形成された第1のコンタクトホールH1は、ポリシリコン膜40を貫通する。第1のコンタクトホールH1に埋め込まれた金属とポリシリコン膜40との間には、第1のコンタクトホールH1の側面においてオーミック接触が形成される。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜と
を備えた半導体装置であって、
前記半導体装置は、平面視において、前記ポリシリコン膜で構成される第１の半導体素子を含む第１の領域と、第２の半導体素子を含む第２の領域とを含み、
前記第１の領域に形成された第１のコンタクトホールは、前記ポリシリコン膜を貫通し、
前記第１のコンタクトホールに埋め込まれた金属と前記ポリシリコン膜との間には、前記第１のコンタクトホールの側面においてオーミック接触が形成される
半導体装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第１のコンタクトホールによる前記ポリシリコン膜の断面にイオン注入領域が形成されている
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の領域に形成された第２のコンタクトホールに埋め込まれた前記金属と、前記第２の半導体素子が形成される基板との間には、前記第２のコンタクトホールの底面においてオーミック接触が形成される
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のコンタクトホールのアスペクト比は、前記第２のコンタクトホールのアスペクト比よりも大きい
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のコンタクトホールは、前記第２の半導体素子が形成される基板の厚み方向に直交する第１の幅方向に延び、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１の幅方向に直交する第２の幅方向に延びる
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、温度検知用ダイオードである
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置は、絶縁膜と、前記絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜とを備え、
前記半導体装置は、平面視において、前記ポリシリコン膜で構成される第１の半導体素子を含む第１の領域と、第２の半導体素子を含む第２の領域とを含み、
前記第１の領域に前記ポリシリコン膜を貫通する第１のコンタクトホールを形成し、かつ、前記第２の領域に第２のコンタクトホールを形成するステップと、
前記第１のコンタクトホールによる前記ポリシリコン膜の断面にイオン注入領域が形成されるように、斜めイオン注入を行うステップと
を含む半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリシリコン膜を含む半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ポリシリコン膜で構成される温度検知用ダイオードを備えた半導体装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平７－１５３９２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄いポリシリコン膜で構成される半導体素子におけるコンタクトと、トランジスタ等の半導体素子におけるコンタクトとを同時に加工することが難しいという問題がある。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態による半導体装置は、絶縁膜と、前記絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜とを備える。前記半導体装置は、平面視において、前記ポリシリコン膜で構成される第１の半導体素子を含む第１の領域と、第２の半導体素子を含む第２の領域とを含む。前記第１の領域に形成された第１のコンタクトホールは、前記ポリシリコン膜を貫通し、前記第１のコンタクトホールに埋め込まれた金属と前記ポリシリコン膜との間には、前記第１のコンタクトホールの側面においてオーミック接触が形成される。
【０００７】
一実施の形態による半導体装置の製造方法では、前記半導体装置は、絶縁膜と、前記絶縁膜上に成膜されたポリシリコン膜とを備える。前記半導体装置は、平面視において、前記ポリシリコン膜で構成される第１の半導体素子を含む第１の領域と、第２の半導体素子を含む第２の領域とを含む。半導体装置の製造方法は、前記第１の領域に前記ポリシリコン膜を貫通する第１のコンタクトホールを形成し、かつ、前記第２の領域に第２のコンタクトホールを形成するステップと、前記第１のコンタクトホールによる前記ポリシリコン膜の断面にイオン注入領域が形成されるように、斜めイオン注入を行うステップとを含む。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、薄いポリシリコン膜で構成される第１の半導体素子におけるコンタクトと、第２の半導体素子におけるコンタクトとを同時に加工することが可能な半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１の比較例にかかる半導体装置の構成を示す回路図である。
第１の比較例にかかる半導体装置のレイアウトの一例を示す説明図である。
第１の比較例にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
第２の比較例にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
実施形態１にかかる半導体装置の模式的な断面図である。
実施形態１にかかる半導体装置の製造方法の説明図である。
実施形態１にかかる半導体装置の第１の構成例を示す説明図である。
実施形態１にかかる半導体装置の第２の構成例を示す説明図である。
実施形態１にかかる温度検知用ダイオードの電気特性を示すグラフである。
実施形態１にかかる温度検知用ダイオードの電気特性のばらつきを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、および簡略化がなされている。各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許