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公開番号2025112098
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-31
出願番号2024006187
出願日2024-01-18
発明の名称回路基板、半導体装置および実装構造体
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250724BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】回路基板上に形成される接続端子に不具合の発生しにくい回路基板、半導体装置および実装構造体を提供する。
【解決手段】本開示による回路基板は、絶縁基体と、導体とを有する。絶縁基体は、絶縁基体の表層に位置する表層絶縁層を含む複数の絶縁層を有する。表層絶縁層は、中央領域と、周縁領域とを有する。中央領域は、表層絶縁層の主面の中央部に位置する。周縁領域は、表層絶縁層の外縁部を含み、中央領域の周囲に位置する。導体は、周縁領域において周状に配置され、表層絶縁層を厚み方向に貫通する複数のビア導体を含む。複数のビア導体は、表層絶縁層の主面に垂直な方向に対して傾斜する方向に延びる傾斜ビア導体を含む。
【選択図】図3B
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁基体と、導体とを有し、
前記絶縁基体は、前記絶縁基体の表層に位置する表層絶縁層を含む複数の絶縁層を有し、
前記表層絶縁層は、中央領域と、周縁領域とを有し、
前記中央領域は、前記表層絶縁層の主面の中央部に位置し、
前記周縁領域は、前記表層絶縁層の外縁部を含み、前記中央領域の周囲に位置し、
前記導体は、前記周縁領域において周状に配置され、前記表層絶縁層を厚み方向に貫通する複数のビア導体を含み、
前記複数のビア導体は、前記表層絶縁層の主面に垂直な方向に対して傾斜する方向に延びる傾斜ビア導体を含む、回路基板。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記複数のビア導体は、前記表層絶縁層の主面に垂直な方向から前記表層絶縁層を平面透視した場合に、前記中央領域から前記周縁領域に向かう方向に放射状に延びる複数の前記傾斜ビア導体を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数のビア導体は、複数の前記傾斜ビア導体を含み、
前記傾斜ビア導体の、前記表層絶縁層の主面に垂直な方向から傾斜した角度を傾斜角度としたとき、複数の前記傾斜ビア導体のうち、前記周縁領域の最外周に位置する前記傾斜ビア導体の前記傾斜角度は、当該傾斜ビア導体よりも前記中央領域の近くに位置する前記傾斜ビア導体の前記傾斜角度よりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
複数の前記傾斜ビア導体は、前記中央領域から前記周縁領域に向かう方向に前記傾斜角度が大きくなる前記傾斜ビア導体を含む、請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記表層絶縁層の主面の形状は、四辺形であり、
前記傾斜ビア導体の、前記表層絶縁層の主面に垂直な方向から傾斜した角度を傾斜角度としたとき、複数の前記傾斜ビア導体のうち、前記表層絶縁層の主面の角部に位置する前記傾斜ビア導体の前記傾斜角度は、前記主面の形状を形成する辺の中央部に位置する前記傾斜ビア導体の前記傾斜角度よりも大きい、請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
複数の前記傾斜ビア導体は、前記辺の中央部から前記主面の角部に向かう方向に前記傾斜角度が大きくなる前記傾斜ビア導体を含む、請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記表層絶縁層は、前記絶縁基体の一方の主面に位置する第１表層絶縁層と、前記絶縁基体の他方の主面に位置する第２表層絶縁層とを含み、
前記第１表層絶縁層および前記第２表層絶縁層の双方に前記傾斜ビア導体が位置する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１表層絶縁層の内部に位置する複数の前記傾斜ビア導体のうち少なくとも１つは、前記第２表層絶縁層の内部に位置する複数の前記傾斜ビア導体のうち少なくとも１つと同じ方向に傾斜している、請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
請求項１～８のいずれか一つに記載の回路基板と、
前記回路基板の前記表層絶縁層に配置された前記複数のビア導体上に第１接続端子を介して搭載された半導体素子と
を有する、半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置と、
マザーボードと
を有し、
前記半導体装置が第２接続端子を介して前記マザーボードに実装された、実装構造体。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、回路基板、半導体装置および実装構造体に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、複数のセラミックス基材の層間に配線が配置された配線基板が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００５／０６７３５９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、搭載する半導体素子の高機能化およびサイズの拡大に伴い、回路基板は、その中央部から周縁部に至る領域に半導体デバイスを実装するための接続端子を配置する必要に迫られている。
【０００５】
たとえば、回路基板に比べて熱膨張率の小さい半導体デバイスが実装されると、リフロー工程などの実装工程における加熱、半導体デバイスが駆動したときの発熱等に起因して、回路基板、半導体デバイスには応力が発生しやすい。
【０００６】
特に、回路基板上に半導体デバイスを接続するための接続端子に応力が集中すると、接続端子に不具合が発生しやすくなる。
【０００７】
本開示は、回路基板上に形成される接続端子に不具合の発生しにくい回路基板、半導体装置および実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様による回路基板は、絶縁基体と、導体とを有する。絶縁基体は、絶縁基体の表層に位置する表層絶縁層を含む複数の絶縁層を有する。表層絶縁層は、中央領域と、周縁領域とを有する。中央領域は、表層絶縁層の主面の中央部に位置する。周縁領域は、表層絶縁層の外縁部を含み、中央領域の周囲に位置する。導体は、周縁領域において周状に配置され、表層絶縁層を厚み方向に貫通する複数のビア導体を含む。複数のビア導体は、表層絶縁層の主面に垂直な方向に対して傾斜する方向に延びる傾斜ビア導体を含む。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、回路基板上に形成される接続端子に不具合の発生しにくい回路基板、半導体装置および実装構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、実施形態の一例として示す回路基板の斜視図である。
図２Ａは、図１に示したＡ部の模式的な平面図である。
図２Ｂは、図１に示したＡ部の模式的な断面図である。
図３Ａは、絶縁層の主面に対して垂直な方向に延びているビア導体を有する回路基板の模式的な断面図である。
図３Ｂは、実施形態に係る半導体装置の模式的な断面図である。
図４は、ビア導体の角度の求め方を示した模式的な断面図である。
図５は、実施形態に係る表層絶縁層の主面に垂直な方向から表層絶縁層を見た場合の模式的な平面透視図である。
図６は、上面側および下面側の両方の表層絶縁層に傾斜ビア導体を備えた回路基板を示す模式的な断面図である。
図７は、実施形態に係る実装構造体の模式的な断面図である。
図８は、拘束シートを用いて作製した回路基板の模式的な側面図である。
図９は、回路基板の研磨面の位置を示す模式的な斜視図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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