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公開番号
2025114494
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-05
出願番号
2025003316
出願日
2025-01-09
発明の名称
異方性導電接着剤、及び接続構造体
出願人
デクセリアルズ株式会社
代理人
弁理士法人ITOH
主分類
C09J
201/00 20060101AFI20250729BHJP(染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用)
要約
【課題】温度サイクルを経ても高い電気接続信頼性を有し、優れた密着性を有する異方性導電接着剤の提供。
【解決手段】ヘテロ環状体を主鎖に有する樹脂と、導電性材料と、を含む異方性導電接着剤である。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
ヘテロ環状体を主鎖に有する樹脂を含む樹脂成分と、導電性材料と、を含むことを特徴とする異方性導電接着剤。
続きを表示(約 1,400 文字)
【請求項2】
前記ヘテロ環状体を主鎖に有する樹脂が、下記一般式(1)、又は下記一般式(2)で表される請求項1に記載の異方性導電接着剤。
JPEG
2025114494000020.jpg
28
103
前記一般式(1)中、Xは下記からなる群より選択される基を示し、Ar
1
、及びAr
2
は、各々1つ以上のベンゼン環を有するアリール基を示し、nは整数を示す。
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2025114494000021.jpg
20
53
JPEG
2025114494000022.jpg
29
93
前記一般式(2)中、Yは下記からなる基を示し、Ar
1
、及びAr
2
は、各々1つ以上のベンゼン環を有するアリール基を示し、nは整数を示す。
JPEG
2025114494000023.jpg
21
31
【請求項3】
前記ヘテロ環状体を主鎖に有する樹脂が、下記一般式(1)、又は下記一般式(2)で表される請求項1に記載の異方性導電接着剤。
JPEG
2025114494000024.jpg
28
103
前記一般式(1)中、X、Ar
1
、及びAr
2
は、各々下記からなる群より選択される基を示し、nは整数を示す。
JPEG
2025114494000025.jpg
95
130
JPEG
2025114494000026.jpg
29
93
前記一般式(2)中、Y、Ar
1
、及びAr
2
は、各々下記からなる群より選択される基を示し、nは整数を示す。
JPEG
2025114494000027.jpg
60
127
【請求項4】
前記ヘテロ環状体を主鎖に有する樹脂の含有量が、前記樹脂成分の総量に対し、20質量%以上80質量%以下である請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項5】
前記導電性材料の抵抗率が、120×10
-8
[Ω・m]以下である請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項6】
前記導電性材料が、Au、Ag、Sn、Pb、Cu、Al、Ni、及びFeから選択される少なくとも1種以上を含む請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項7】
前記導電性材料が、金属粒子、合金粒子、及びコアシェル粒子から選択される少なくとも1種以上を含む請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項8】
硬化剤を更に含む請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項9】
その他の樹脂を更に含む請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
【請求項10】
異方性導電接着フィルムである請求項1から3のいずれかに記載の異方性導電接着剤。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、異方性導電接着剤、及び接続構造体に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
電子機器の高性能化、高速化、小型化に伴い、半導体回路がナノオーダーレベルに微細化している。半導体パッケージプロセスでは、例えば、シリコンなどの半導体に対してトランジスタや入出力が可能な配線を形成したダイに対して、入出力を行う基板を電気的に接続及び封止することが行われる。従来のはんだ技術により接続する場合、ダイ側の配線ピッチ、及び基板側の配線ピッチは、はんだバンプの特性限界により、数十μmピッチである。
【0003】
ダイ側の配線ピッチの限界を解消するため、FOWLP(ファンアウトウエハレベルパッケージング)が開発されており、代表的な例として、ウエハプロセスによってダイの電極面に対して、再配線(RDL)を実施することで、基板接続可能な配線ピッチを有する電極形成をダイの表面で行うことが知られている。これにより、ダイ内部での配線を微細化することが可能であり、ダイの小型化、高性能化が可能となる。
【0004】
しかしながら、FOWLPによって引き出された電極に限らず、シリコン貫通電極(Through-silicon via,TSV)においても、ダイと基板との接続がはんだにより行われる場合、はんだバンプの特性限界である数十μmピッチが工業的な限界となっている。
【0005】
一方で、はんだ代替技術は数多く検討されており、導電性材料が分散された熱硬化性樹脂を剥離フィルムに塗布したフィルム状の接続材料(例えば、異方性導電フィルム(ACF;Anisotropic Conductive Film)がはんだ代替技術の1つとして挙げられる。
【0006】
この異方性導電フィルムは、低温プロセスで適用可能な接続材料として、ディスプレイ周辺機器の電気接続などの用途に用いられており、例えば、異方性導電フィルムを用いて半導体基板を積層し、導通特性に優れた多層基板を簡便な製造工程で低コストに提供することができる多層基板として、貫通電極を有する半導体基板が積層されている多層基板であって、多層基板の平面視において、貫通電極が対向する位置に導電粒子が選択的に存在し、対向する貫通電極が導電粒子により接続され、該貫通電極が形成されている半導体基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する多層基板が報告されている(例えば、特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特開2020-202409号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかしながら、ディスプレイ周辺機器に使用される接続材料に比べて、半導体デバイスの接続材料では、高温駆動による温度サイクルや耐リフロー性などの高い電気接続信頼性が要求される。従来技術の異方性導電フィルムでは、FOWLPなどの半導体デバイスにおける接続材料としての実績がないという問題がある。
【0009】
また、従来技術のはんだ接続では、上述の通り狭ピッチ化に限界があり、微細化に伴い、ショート発生をふせぐためのアンダーフィルの充填が困難となると共に、はんだ溶融温度が200℃以上と高温であるため、常温に戻った際に基板の反りが発生して後プロセスでの不具合原因となるという問題がある。
【0010】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、温度サイクルを経ても高い電気接続信頼性を有し、優れた密着性を有する異方性導電接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
(【0011】以降は省略されています)
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