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公開番号2025117533
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-12
出願番号2024190158
出願日2024-10-29
発明の名称真贋判定方法、真贋判定装置、真贋判定用デバイス、包装材、梱包材および梱包体
出願人東レ株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類G11C 17/14 20060101AFI20250804BHJP(情報記憶)
要約【課題】記録情報が選択的かつ限定的に再構成可能なメモリアレイを用いることで、信頼性が高い半導体装置の真贋判定方法、真贋判定装置、真贋判定用デバイス、包装材、梱包材および梱包体を提供する。
【解決手段】前記真贋判定方法は、少なくとも、メモリアレイの剥離可能な機能層または剥離可能な第1の絶縁層を剥離する前に、メモリアレイの第1の記録情報を取得するステップと、剥離可能な機能層または剥離可能な第1の絶縁層をメモリアレイから剥離するステップと、剥離可能な機能層または剥離可能な第1の絶縁層を剥離した後に、メモリアレイの第2の記録情報を取得するステップと、少なくとも、第1の記録情報と、第2の記録情報と、に基づいて、半導体装置の真贋を判定するステップと、を含む。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基材と、
前記基材上に少なくとも第１の電極と第２の電極とを有する素子を１つ以上備えてなるメモリセルを複数配列してなるメモリアレイと、
を含む、
半導体装置であって、
前記メモリアレイ内の少なくとも１つのメモリセルの少なくとも１つの素子は、選択的に以下の（１）もしくは（２）、
（１）前記素子が、第１の電極と第２の電極の両方に接する機能層を有し、前記機能層が剥離可能な状態にある素子、
（２）前記素子が、第１の電極と第２の電極の両方に接する機能層と、前記機能層に接する第１の絶縁層を有し、前記第１の絶縁層が剥離可能な状態にある素子、
を満たす、半導体装置の真贋を判定する真贋判定方法であって、
少なくとも、
前記剥離可能な機能層または前記剥離可能な第１の絶縁層を剥離する前に、前記メモリアレイの第１の記録情報を取得するステップと、
前記剥離可能な機能層または前記剥離可能な第１の絶縁層を前記メモリアレイから剥離するステップと、
前記剥離可能な機能層または前記剥離可能な第１の絶縁層を剥離した後に、前記メモリアレイの第２の記録情報を取得するステップと、
少なくとも、前記第１の記録情報と、前記第２の記録情報と、に基づいて前記半導体装置の真贋を判定するステップと、
を含む、
真贋判定方法。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
請求項１に記載の真贋判定方法であって、
前記第１の電極がソース電極であり、前記第２の電極がドレイン電極であって、
さらに第３の電極をゲート電極として備え、
前記機能層が半導体層である素子である、
真贋判定方法。
【請求項３】
請求項１に記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記（２）を満たす素子を有する、
真贋判定方法。
【請求項４】
請求項２に記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記メモリアレイ内の前記（２）を満たす前記素子の第１の絶縁層の剥離によって前記素子の導電型が変化する、
真贋判定方法。
【請求項５】
請求項１～４のいずれか一つに記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記メモリアレイ内の機能層を有する素子がｐチャネル型もしくはｎチャネル型のトランジスタである、
真贋判定方法。
【請求項６】
請求項１～４のいずれか一つに記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記メモリアレイ内の機能層が、有機半導体材料、カーボンナノチューブ、カーボンナノコイル、フラーレン、グラフェンおよびナノダイヤモンドから選ばれる１つ以上の半導体材料を含む、
真贋判定方法。
【請求項７】
請求項６に記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記メモリアレイ内の機能層が、カーボンナノチューブの表面の少なくとも一部に共役系重合体が付着したカーボンナノチューブ複合体を含有する、
真贋判定方法。
【請求項８】
請求項６に記載の真贋判定方法であって、
前記メモリアレイは、
前記（２）を満たす素子を有し、
前記（２）を満たす前記素子の第１の絶縁層が、電子受容性化合物または電子供与性化合物を含むポリマーである、
真贋判定方法。
【請求項９】
請求項１～４のいずれか一つに記載の真贋判定方法であって、
製造時に書き込んだ前記メモリアレイの記録情報とメモリアレイの機能層もしくは第１の絶縁層の剥離可能性に関する情報とに基づいた情報を、事前情報として入力するステップをさらに含み、
前記事前情報が、
前記メモリアレイの製造時に書き込まれた事前記録情報と、
前記メモリアレイの剥離可能な機能層または剥離可能な第１の絶縁層のメモリアレイ上における位置情報と、
剥離される予定の剥離可能な機能層または剥離可能な第１の絶縁層を有する素子の位置情報と、
を含み、
前記半導体装置の真贋を判定するステップは、
少なくとも、前記事前情報と、前記第１の記録情報と、前記第２の記録情報と、に基づいて前記半導体装置の真贋を判定する、
真贋判定方法。
【請求項１０】
基材と、前記基材上に少なくとも第１の電極と第２の電極とを有する素子を１つ以上備えてなるメモリセルを複数配列してなるメモリアレイと、を含む、半導体装置のメモリアレイに基づく記録情報を読み出す情報取得部と、
前記半導体装置内のメモリアレイに関する事前情報と前記記録情報とを記憶する記憶部と、
前記半導体装置の真贋を判定する情報処理部と、
を備え、
前記情報処理部は、
少なくとも、前記事前情報と、前記情報取得部が読み出した前記メモリアレイ内の剥離可能な機能層または剥離可能な第１の絶縁層を剥離する前のメモリアレイに基づく第１の記録情報と、前記情報取得部が読み出した前記メモリアレイ内の剥離可能な機能層または剥離可能な第１の絶縁層を剥離した後のメモリアレイに基づく第２の記録情報と、に基づいて、前記半導体装置の真贋を判定する、
真贋判定装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、真贋判定方法、真贋判定装置、真贋判定用デバイス、包装材、梱包材および梱包体に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、バーコードやＱＲコード（登録商標）に代わる物品管理システムとして、ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ（ＲＦＩＤ）技術を用いた無線通信システム（すなわち、ＲＦＩＤシステム）の開発が進められている。ＲＦＩＤシステムでは、リーダ／ライタと呼ばれる無線送受信機と、物品情報（固有ＩＤなど）が記録されたＲＦＩＤタグを用いる。
【０００３】
このシステムでは、リーダ／ライタによって、ＲＦＩＤタグ中の情報を無線通信で読み取ることができる。従来の物品管理方式で用いられるバーコードやＱＲコードに勝る利点としては、タグの長距離読み取りや、複数タグの一括読み取りが挙げられる。これらの利点から、物品管理が従来よりも能率化されるため、ＲＦＩＤシステムの導入が広まりつつある。しかし、ＲＦＩＤタグが高コストであることから、現状のＲＦＩＤシステムの主な普及先は、比較的高価格帯の物品を取り扱う業界（服飾や宝飾等）に限られていた。
【０００４】
更なるＲＦＩＤシステムの普及には、ＲＦＩＤタグの低コスト化が重要となる。ＲＦＩＤタグは、主にタグＩＣとアンテナから構成されており、タグＩＣの製造と実装に多くのコストが費やされている。この製造・実装コストに着目して、最近では、タグＩＣを薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）回路に置き換える試みが注目されている。ＴＦＴ技術では、高分子ポリマーや無機セラミックスといった大面積基板上に電子回路を大量製造することができ、ＲＦＩＤタグに係る製造・実装コストの削減が期待されている。
【０００５】
しかし、ＴＦＴ技術では、フラッシュメモリの実現が困難であった。フラッシュメモリは、従来のシリコンＩＣに用いられるような複数回書き換え可能なメモリであり、タグＩＣに固有ＩＤ等の情報を繰り返し書き換え可能とする上で重要である。ＴＦＴ技術において、タグＩＣに固有ＩＤを記録させるには、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）という製造工程中に情報を書き込むメモリアレイ構成が主に用いられていた。具体的には、メモリアレイを構成するトランジスタの閾値制御や、メモリアレイを構成する接続ビアおよび配線の有無によって、メモリアレイに情報が書き込まれていた。例えば、以下のようなＴＦＴ技術のメモリアレイがある。
【０００６】
特許文献１では、半導体そのものを塗布工程により位置選択的に形成することで、半導体層の有無によりメモリセルの状態を定め、情報を書き込むメモリアレイが開示されている。
【０００７】
また、特許文献２では、インクジェット技術やレーザ照射を用いて、メモリアレイ中の配線を選択的に形成もしくは断線させることで、メモリアレイの記録情報を定めることが可能とされている。
【０００８】
これらのメモリアレイ技術では、メモリセルの状態を決定するために、製造工程でマスクを必要としないパターン工程（選択的な塗布、インクジェット技術、レーザ照射）が用いられている。そのため、フォトマスクの製造コストを抑えることが可能であり、異なる固有ＩＤを有するタグを大量製造するのに経済的に優れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特許第６３５０７５７号公報
特開２００５－２０３７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の特許文献１および特許文献２のメモリアレイ構成には、記録情報の機密性と完全性に課題がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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