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公開番号2025133278
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-11
出願番号2024031133
出願日2024-03-01
発明の名称化合物、高分子化合物、レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人IBC一番町弁理士法人
主分類C07D 221/14 20060101AFI20250904BHJP(有機化学)
要約【課題】レジスト組成物の感度および解像性をより向上させる手段を提供する。
【解決手段】下記一般式1で表される化合物、該化合物に由来する構造単位を有する高分子化合物、該高分子化合物を含有するレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法:
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025133278000049.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">66</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">130</com:WidthMeasure> </com:Image>
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項1】
下記一般式1で表される化合物:
JPEG
2025133278000048.jpg
66
130
前記一般式1中、
Xは、水素原子またはメチル基であり、
Yは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数1以上20以下の直鎖状のアルキル基、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数3以上20以下の分岐鎖状のアルキル基、非置換の炭素原子数3以上20以下のシクロアルキル基、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数3以上20以下のシクロアルキル基、少なくとも1つの水素原子が酸素原子で置換された炭素原子数3以上20以下のシクロアルキル基、非置換の炭素原子数4以上21以下のシクロアルキルアルキル基、少なくとも1つの水素原子が酸素原子で置換された炭素原子数4以上21以下のシクロアルキルアルキル基、または少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数6以上18以下のアリール基である。
続きを表示(約 720 文字)【請求項2】
前記一般式1中のYは、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数1以上20以下の直鎖状のアルキル基、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数3以上20以下の分岐鎖状のアルキル基、非置換の炭素原子数3以上20以下のシクロアルキル基、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数3以上20以下のシクロアルキル基、または少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数6以上18以下のアリール基である、請求項1に記載の化合物。
【請求項3】
請求項1に記載の化合物に由来する構造単位を有する、高分子化合物。
【請求項4】
酸分解性基を有する構造単位をさらに有する、請求項3に記載の高分子化合物。
【請求項5】
前記高分子化合物中の前記一般式1で表される化合物に由来する構造単位の含有量は、前記高分子化合物中の全構造単位の合計を100モル%として、0.1モル%以上30モル%以下である、請求項3に記載の高分子化合物。
【請求項6】
請求項3に記載の高分子化合物と、
有機溶剤と、
を少なくとも含有する、レジスト組成物。
【請求項7】
酸拡散抑制剤をさらに含有する、請求項6に記載のレジスト組成物。
【請求項8】
請求項6に記載のレジスト組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜を露光する工程、および、
前記露光後の前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程、
を有する、レジストパターン形成方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、化合物、高分子化合物、レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法に関する。
続きを表示(約 940 文字)【背景技術】
【0002】
近年、半導体素子や液晶表示素子の製造においては、リソグラフィー技術の進歩により急速にパターンの微細化が進んでいる。微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。
【0003】
レジスト材料には、これらの露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、従来、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有する化学増幅型レジスト組成物が用いられている。
【0004】
化学増幅型レジスト組成物においては、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、複数の構造単位を有する樹脂が用いられている。さらに、レジストパターンの形成においては、露光により酸発生剤成分から発生する酸の挙動がリソグラフィー特性に大きな影響を与える要素とされる。
【0005】
このような化学増幅型レジスト組成物として、例えば、特許文献1~3において開示されているレジスト組成物が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
国際公開第2016/147357号
特表2017-500275号公報
特開2021-076636号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、上記特許文献に記載の技術では、感度および解像度の点で不十分であるという問題があった。
【0008】
そこで本発明は、レジスト組成物の感度および解像性をより向上させる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の上記課題は、以下の手段によって解決されうる。すなわち本発明は、下記一般式1で表される化合物である。
【0010】
JPEG
2025133278000001.jpg
66
130
(【0011】以降は省略されています)

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