特許ウォッチ

公開番号2025154596
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057694
出願日2024-03-29
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人あい特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20251002BHJP()
要約【課題】新規な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1Aは、第1主面3を有するn型(第1導電型)の半導体層7と、半導体層7内で第1主面3に沿う第1方向Xに延びるp型(第2導電型)の第1領域11と、半導体層7内で第1領域11に対して第1主面3側の領域に形成され、第1領域11に立体的に交差するように第1主面3に沿う第2方向Yに延びるp型の第2領域12と、半導体層7内で少なくとも第1領域11および第2領域12の交差部に形成され、第1領域11の濃度の極大値および第2領域12の濃度の極大値の双方よりも低い濃度を有するp型の低濃度領域13と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
主面を有する第１導電型の半導体層と、
前記半導体層内で前記主面に沿う第１方向に延びる第２導電型の第１領域と、
前記半導体層内で前記第１領域に対して前記主面側の領域に形成され、前記第１領域に立体的に交差するように前記主面に沿う第２方向に延びる第２導電型の第２領域と、
前記半導体層内で少なくとも前記第１領域および前記第２領域の交差部に形成され、前記第１領域の濃度の極大値および前記第２領域の濃度の極大値の双方よりも低い濃度を有する第２導電型の低濃度領域と、を含む、半導体装置。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記半導体層は、ＳｉＣを含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＳｉＣは、六方晶である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１方向は、前記ＳｉＣのａ軸方向およびｍ軸方向の一方であり、
前記第２方向は、前記ＳｉＣのａ軸方向およびｍ軸方向の他方である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層は、オフ角を有している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２方向は、前記第１方向に直交している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記低濃度領域の濃度は、前記第１領域の中間部の濃度および前記第２領域の中間部の濃度の双方よりも低い、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記低濃度領域は、前記交差部において前記第１領域から濃度が徐々に低下する第１濃度遷移部、および、前記第２領域に向けて濃度が徐々に増加する第２濃度遷移部を形成している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記低濃度領域は、前記交差部以外の領域にも形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記低濃度領域は、前記第１領域に倣って前記第１方向に延びる部分を有している、請求項１に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１（US2015/0028351A1）は、チャネリング注入法によって炭化ケイ素層に導入された不純物領域を有する半導体装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０１５／００２８３５１号明細書
【０００４】
［概要］
本開示は、新規な半導体装置を提供する。
【０００５】
本開示は、主面を有する第１導電型の半導体層と、前記半導体層内で前記主面に沿う第１方向に延びる第２導電型の第１領域と、前記半導体層内で前記第１領域に対して前記主面側の領域に形成され、前記第１領域に立体的に交差するように前記主面に沿う第２方向に延びる第２導電型の第２領域と、前記半導体層内で少なくとも前記第１領域および前記第２領域の交差部に形成され、前記第１領域の濃度の極大値および前記第２領域の濃度の極大値の双方よりも低い濃度を有する第２導電型の低濃度領域と、を含む、半導体装置を提供する。
【０００６】
上述のまたはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照する詳細な説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、第１形態に係る半導体装置のチップを示す平面図である。
図２は、図１に示すチップの斜視図である。
図３は、チップの要部を第１例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図４は、ピラー領域の不純物濃度を示すグラフ（シミュレーショ）である。
図５Ａは、第１例に係るピラー領域の第１レイアウト例を示す平面図である。
図５Ｂは、第１例に係るピラー領域の第２レイアウト例を示す平面図である。
図５Ｃは、第１例に係るピラー領域の第３レイアウト例を示す平面図である。
図６は、チップの要部を第２例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図７Ａは、第２例に係るピラー領域の第１レイアウト例を示す平面図である。
図７Ｂは、第２例に係るピラー領域の第２レイアウト例を示す平面図である。
図７Ｃは、第２例に係るピラー領域の第３レイアウト例を示す平面図である。
図８は、チップの要部を第３例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図９Ａは、第３例に係るピラー領域の第１レイアウト例を示す平面図である。
図９Ｂは、第３例に係るピラー領域の第２レイアウト例を示す平面図である。
図９Ｃは、第３例に係るピラー領域の第３レイアウト例を示す平面図である。
図１０は、チップの要部を第４例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図１１は、チップの要部を第５例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図１２は、第１～第５例に係るピラー領域に適用される第１変形例を示す断面斜視図である。
図１３は、第１～第５例に係るピラー領域に適用される第２変形例を示す断面斜視図である。
図１４は、第２形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図１５は、第１主面のレイアウト例を示す平面図である。
図１６は、活性領域の一要部を示す拡大平面図である。
図１７は、図１６に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。
図１８は、図１６に示すXVIII-XVIII線に沿う断面図である。
図１９は、活性領域の一要部を第１例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図２０は、図１４に示すXX-XX線に沿う断面図である。
図２１は、第３形態に係る半導体装置の活性領域の一要部を示す断面図である。
図２２は、図２１に示す半導体装置の活性領域の他の要部を示す断面図である。
図２３は、第１例に係るピラー領域と共に活性領域の一要部を示す断面斜視図である。
図２４は、第４形態に係る半導体装置の活性領域を示す拡大平面図である。
図２５は、図２４に示すXXV-XXV線に沿う断面図である。
図２６は、活性領域の一要部を第１例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図２７は、第５形態に係る半導体装置の活性領域を示す拡大平面図である。
図２８は、図２７に示すXXVIII-XXVIII線に沿う断面図である。
図２９は、図２７に示すXXIX-XXIX線に沿う断面図である。
図３０は、活性領域の一要部を第１例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図３１は、図２７に示す半導体装置の外側領域を示す断面図である。
図３２は、第６形態に係る半導体装置の活性領域を第１例に係るピラー領域と共に示す断面斜視図である。
図３３は、第７形態に係る半導体装置を示す平面図である。
図３４は、図３３に示すチップの斜視図である。
図３５は、図３３に示すXXXV-XXXV線に沿う断面図である。
図３６は、第２～第６形態に係る半導体装置のいずれか１つに適用される変形例を示す断面図である。
【０００８】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して、具体的な形態が詳細に説明される。添付図面は、いずれも模式図であり、厳密に図示されたものではなく、相対的な位置関係、縮尺、比率、角度等は必ずしも一致しない。添付図面の間で対応する構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は省略または簡略化される。説明が省略または簡略化された構造については、省略または簡略化される前になされた説明が適用される。
【０００９】
この明細書では、「含む（including）」や「有する（having）」等のオープン言語は「からなる（consisting of）」等のクローズド言語を包含する概念として記載される。この明細書において「ほぼ（substantially）」の文言が使用される場合、この文言は、比較対象の数値（形態）と等しい数値（形態）を含む他、比較対象の数値（形態）を基準とする±１０％の範囲の数値誤差（形態誤差）も含む。
【００１０】
この明細書では「第１」、「第２」、「第３」等の文言が使用されるが、これらは説明順序を明確にするために各構造の名称に付された記号であり、各構造の名称を限定する趣旨で付されていない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許