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公開番号2025096939
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-30
出願番号2023212946
出願日2023-12-18
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250623BHJP()
要約【課題】半導体装置において、絶縁膜上に形成された電極が、絶縁膜から剥離する場合があるため、電極が絶縁膜から剥離することを抑える。
【解決手段】半導体装置1は、半導体基板2と、絶縁膜3と、電極4と、を備えている。絶縁膜3は、半導体基板2上に形成されている。電極4は、絶縁膜3上に形成されている。半導体装置1は、さらに、アンカー部材5を備えている。アンカー部材5は、電極4の外周部で、絶縁膜3と電極4とに接している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された電極と、
平面視で前記電極の外周部において、前記絶縁膜と前記電極とに接するアンカー部材と、
を備える、半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記アンカー部材は、前記半導体基板と前記電極とを電気的に接続するコンタクトを含む、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アンカー部材は、前記電極側から前記絶縁膜を貫通し前記半導体基板側まで形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アンカー部材は、前記電極側から前記絶縁膜の内部まで形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アンカー部材は、平面視で前記電極の内側から外側へ向かって延在する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アンカー部材の前記外側の端部は、平面視で前記電極の外周部と重なっている、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アンカー部材の前記外側の端部は、平面視で前記電極の外周部よりも外側に含まれる、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記アンカー部材の前記内側の端部は、前記半導体基板と前記電極とを電気的に接続するコンタクトが形成される領域に含まれる、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記アンカー部材の前記内側の端部は、前記半導体基板と前記電極とを電気的に接続するコンタクトが形成される領域から前記電極の外周部までの領域に含まれる、
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記アンカー部材は、離間して配置された第１のアンカー部材部分及び第２のアンカー部材部分を含み、
前記第１のアンカー部材部分及び前記第２のアンカー部材部分のいずれかが、平面視で前記電極の外周部と重なっている、
請求項５に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,100 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）を構成する半導体装置に関連する技術として、特許文献１が知られている。特許文献１には、
トレンチゲート型のＭＯＳＦＥＴを構成する半導体装置において、半導体基板上の絶縁膜の上にソース電極を形成し、絶縁膜を介して半導体基板内のソース領域とソース電極とを接続するソースコンタクトを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－９６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のような関連する技術では、絶縁膜上に形成された電極が、絶縁膜から剥離する場合があるという問題があった。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、を備える。また、半導体装置は、平面視で前記電極の外周部において、絶縁膜と電極とに接するアンカー部材を備える。
【発明の効果】
【０００７】
前記一実施の形態によれば、電極の剥離を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態に係る半導体装置の概要を説明するための平面図である。
実施の形態に係る半導体装置の概要を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す平面図である。
比較例の半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
比較例の半導体装置における評価試験の解析結果を示す断面斜視図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略構成例を示す断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の製造方法の他の例を説明するための断面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す断面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
実施の形態３に係る半導体装置の概略構成例を示す拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。なお、説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００１０】
各図面において、ＸＹＺ三次元直交座標系を示しており、ＸＹ平面は、半導体基板の面（表面または裏面）と並行な平面である。ＸＹ平面と直交するＺ方向は、半導体基板における、上下方向、高さ方向または厚さ方向である。平面視とは、ＸＹ平面をＺ方向から見ることである。
（【００１１】以降は省略されています）

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