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公開番号2025116614
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-08
出願番号2024011132
出願日2024-01-29
発明の名称磁気メモリ
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類G11C 11/16 20060101AFI20250801BHJP(情報記憶)
要約【課題】動作の信頼性を向上する。
【解決手段】実施形態の磁気メモリは、データを記憶し、シフト動作による磁壁の移動によって前記データが第1のエリアから第2のエリアへ向かってシフトされるように構成された磁性体と、前記磁性体から離間され、書き込み動作時、前記磁性体に書き込み磁場を印加する配線と、前記データをシフトさせるためのシフト電流を前記磁性体に流し、前記書き込み磁場を発生させるための書き込み電流を前記配線に流す制御回路と、を含む。書き込み電流Iwは、前記配線に供給される第1のパルス91と、第1のパルス91の後に前記配線に供給される第2のパルス92と、を含む。第2のパルス92のパルス幅W2は、第1のパルス91のパルス幅W1より小さい。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
データを記憶し、シフト動作による磁壁の移動によって前記データが第１のエリアから第２のエリアへ向かってシフトされるように構成された磁性体と、
前記磁性体から離間され、書き込み動作時、前記磁性体に書き込み磁場を印加する配線と、
前記データをシフトさせるためのシフト電流を前記磁性体に流し、前記書き込み磁場を発生させるための書き込み電流を前記配線に流す制御回路と、
を具備し、
前記書き込み電流は、前記配線に供給される第１のパルスと、前記第１のパルスの後に前記配線に供給される第２のパルスと、を含み、
前記第２のパルスのパルス幅は、前記第１のパルスのパルス幅より小さい、
磁気メモリ。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
第１の間隔が、前記第１のパルスと前記第２のパルスとの間に設けられ、
前記第１の間隔は、前記第１のパルスの前記パルス幅より小さく、前記第２のパルスの前記パルス幅以上である、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記第２のパルスの電流値は、前記第１のパルスの電流値と等しい、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記第２のパルスの電流値は、前記第１のパルスの電流値より１０％高い値から前記第１のパルスの電流値より１０％低い値までの範囲内の値を有する、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記第２のパルスの前記パルス幅は、前記第１のパルスの前記パルス幅の２．５％以上及び３０％以下の範囲内の大きさを有する、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
第１の間隔が、前記第１のパルスと前記第２のパルスとの間に設けられ、
前記第１の間隔は、前記第１のパルスの前記パルス幅の５％以上７５％以下の範囲内の大きさを有する、
請求項５に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記配線は、金属配線と、前記金属配線を覆う熱抵抗層と、を含む、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
第１のデータの書き込み時、前記第１及び第２のパルスは、第１の極性を有し、
前記第１のデータと異なる第２のデータの書き込み時、前記第１及び第２のパルスは、前記第１の極性と異なる第２の極性を有する、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
第１のデータの書き込み時、前記第１及び第２のパルスは、第１の極性を有し、
前記第１のデータと異なる第２のデータの書き込み時、前記第１のパルスは、前記第１の極性を有し、前記第２のパルスは、前記第１の極性と異なる第２の極性を有する、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
前記磁性体は、基板上に設けられ、
前記磁性体は、前記基板の表面に対して垂直な方向に延びる、
請求項１に記載の磁気メモリ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気メモリに関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
磁性体内に電流を流すことによる磁性体内の磁壁の移動によってメモリデバイスとしての機能を実現する磁気メモリが、知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公開第２０２２／００７６７２３号明細書
特開２０２３－３７５０４号公報
【非特許文献】
【０００４】
M. P. Proenca, et al., “Deterministic and time resolved thermo-magnetic switching in a nickel nanowire”, Scientific reports, Volume 9, P1-8, November 22, 2019
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
動作の信頼性を向上する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の磁気メモリは、データを記憶し、シフト動作による磁壁の移動によって前記データが第１のエリアから第２のエリアへ向かってシフトされるように構成された磁性体と、前記磁性体から離間され、書き込み動作時、前記磁性体に書き込み磁場を印加する配線と、前記データをシフトさせるためのシフト電流を前記磁性体に流し、前記書き込み磁場を発生させるための書き込み電流を前記配線に流す制御回路と、を含み、前記書き込み電流は、前記配線に供給される第１のパルスと、前記第１のパルスの後に前記配線に供給される第２のパルスと、を含み、前記第２のパルスのパルス幅は、前記第１のパルスのパルス幅より小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１の実施形態の磁気メモリの構成例を示すブロック図。
第１の実施形態の磁気メモリのメモリユニットの基本構成を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの書き込み電流を示す波形図。
第１の実施形態の磁気メモリの書き込み動作時の磁性体の磁化状態を模式的に示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの書き込み動作時の磁性体の温度変化を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの動作例を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの実験結果を示す図。
第２の実施形態の磁気メモリの書き込み電流を示す波形図。
第３の実施形態の磁気メモリの構造例を示す平面図。
第３の実施形態の磁気メモリの構造例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１乃至図１０を参照して、実施形態の磁気メモリについて、説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付す。また、以下の各実施形態において、末尾に区別化のための数字／英字を伴った参照符号を付された構成要素（例えば、回路、配線、各種の電圧及び信号など）が、相互に区別されなくとも良い場合、末尾の数字／英字が省略された記載（参照符号）が用いられる。
【０００９】
（１）第１の実施形態
図１乃至図７を参照して、第１の実施形態の磁気メモリについて説明する。
【００１０】
（ａ）構成例
図１は、実施形態の磁気メモリの構成例を示すブロック図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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