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公開番号2025139000
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-26
出願番号2024037686
出願日2024-03-12
発明の名称エッチングシステム、及び、エッチング方法
出願人株式会社東京精密
代理人スプリング弁理士法人
主分類H01L 21/306 20060101AFI20250918BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】所望の表面形状を有するエッチング済み基板が得られるエッチングシステムの提供。
【解決手段】
基板の結晶状態に関する情報、及び、前記基板の表面形状に関する目標値に基づいて、エッチング条件を算出するエッチング条件算出部と、算出された前記エッチング条件に基づき、前記基板をエッチングするエッチング装置とを備える、エッチングシステム。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
基板の結晶状態に関する情報、及び、前記基板の表面形状に関する目標値に基づいて、エッチング条件を算出するエッチング条件算出部と、
算出された前記エッチング条件に基づき、前記基板をエッチングするエッチング装置とを備える、エッチングシステム。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
前記結晶状態に関する情報は、前記基板の結晶内部の転位、欠陥、及び、格子ひずみからなる群より選択される少なくとも１種の観測結果から得られる情報である、請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項３】
前記観測結果は、Ｘ線三次元トポグラフィ法による前記基板の観測により得られたものである、請求項２に記載のエッチングシステム。
【請求項４】
前記エッチング条件算出部は、前記エッチング条件と、前記結晶状態に関する情報と、前記エッチング条件に基づいてエッチングされた前記基板の表面形状に関する情報と、を含む訓練データを用いて、前記結晶状態に関する情報、及び、前記表面形状に関する目標値を説明変数とし、前記エッチング条件を目的変数とする教師あり学習により得られた学習済みモデルを含む、請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項５】
前記基板の結晶状態に関する目標値に基づいて、研削条件を算出する研削条件算出部と、
算出された前記研削条件に基づき、前記基板を研削する研削装置と、を更に備える、請求項１に記載のエッチングシステム。
【請求項６】
前記研削条件算出部は、前記研削条件と、研削後の前記基板の結晶状態に関する情報とを含む訓練データを用いて、前記基板の結晶状態に関する情報を説明変数とし、前記研削条件を目的変数とする教師あり学習により得られた学習済みモデルを含む、請求項５に記載のエッチングシステム。
【請求項７】
前記結晶状態に関する情報を取得する結晶状態取得部を更に備え、
前記結晶状態取得部は、前記研削装置による研削後の前記基板の前記結晶状態に関する情報を取得し、
前記エッチング条件算出部は、前記結晶状態取得部により取得された前記結晶状態に関する情報を使用して、前記エッチング条件を算出する、請求項６に記載のエッチングシステム。
【請求項８】
基板の結晶状態に関する情報、及び、前記基板の表面形状に関する目標値に基づいて、エッチング条件を算出することと、
算出された前記エッチング条件に基づき、前記基板をエッチングすることと、を含む、エッチング方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、エッチングシステム、及び、エッチング方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
溶融アルカリが収容された容器を備え、当該溶融アルカリに基板を浸漬した後、一定速度で基板を徐々に引き上げるエッチングシステムが知られている。このようなエッチングシステムは、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１００１３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のエッチングシステムでは、基板の結晶方位が仕上がりに与える影響が考慮されていなかった。基板の結晶方位は、エッチングレートに影響を与える。結晶方位を考慮しないエッチングシステムでは、所望の表面形状を有するエッチング済み基板が得られないことがあった。
【０００５】
本開示は、従来技術が有する課題の少なくとも１つを解決する。所望の表面形状を有するエッチング済み基板が得られるエッチングシステムを提供し得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の第１のエッチングシステムは、基板の結晶状態に関する情報、及び、前記基板の表面形状に関する目標値に基づいて、エッチング条件を算出するエッチング条件算出部と、算出された前記エッチング条件に基づき、前記基板をエッチングするエッチング装置とを備える、エッチングシステムである。
【０００７】
本開示の第２のエッチングシステムは、第１のエッチングシステムにおいて、前記結晶状態に関する情報は、前記基板の結晶内部の転位、欠陥、及び、格子ひずみからなる群より選択される少なくとも１種の観測結果から得られる情報である、エッチングシステムである。
【０００８】
本開示の第３のエッチングシステムは、第２のエッチングシステムにおいて、前記観測結果は、Ｘ線三次元トポグラフィ法による前記基板の観測により得られたものである、エッチングシステムである。
【０００９】
本開示の第４のエッチングシステムは、第１のエッチングシステムにおいて、前記エッチング条件算出部は、前記エッチング条件と、前記結晶状態に関する情報と、前記エッチング条件に基づいてエッチングされた前記基板の表面形状に関する情報と、を含む訓練データを用いて、前記結晶状態に関する情報、及び、前記表面形状に関する目標値を説明変数とし、前記エッチング条件を目的変数とする教師あり学習により得られた学習済みモデルを含む、エッチングシステムである。
【００１０】
本開示の第５のエッチングシステムは、第１のエッチングシステムにおいて、前記基板の結晶状態に関する目標値に基づいて、研削条件を算出する研削条件算出部と、算出された前記研削条件に基づき、前記基板を研削する研削装置と、を更に備える、エッチングシステムである。
（【００１１】以降は省略されています）

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