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公開番号2025140022
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2024039162
出願日2024-03-13
発明の名称プローバ
出願人株式会社東京精密
代理人弁理士法人インターブレイン
主分類H01L 21/66 20060101AFI20250919BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ドライガスの消費を抑えつつ、ウェーハ等の結露を防止可能なプローバを提供する。
【解決手段】ある態様のプローバ1は、ウェーハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する。プローバ1は、結露を防止するための設定露点が異なる複数のエリア40,42,15と、その複数のエリアのそれぞれにドライガスを供給する供給部100と、供給部100によるドライガスの供給を制御する制御部20と、を備える。制御部20は、複数のエリア40,42,15のそれぞれの設定露点を実現するよう、各エリアへのドライガスの供給を制御する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ウェーハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査するプローバであって、
結露を防止するための設定露点が異なる複数のエリアと、
前記複数のエリアのそれぞれにドライガスを供給する供給部と、
前記供給部によるドライガスの供給を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記複数のエリアのそれぞれの設定露点を実現するよう、各エリアへのドライガスの供給を制御する、プローバ。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
前記制御部は、各エリアの設定露点を維持するよう、各エリアへ供給するドライガスの流量を制御する、請求項１に記載のプローバ。
【請求項３】
前記設定露点は、該当エリアの最低温度よりも低くなるように設定される、請求項１又は２に記載のプローバ。
【請求項４】
前記複数のエリアとして、前記ウェーハとプローブカードとが配置される検査エリアと、前記検査エリアとは別に区画された外側エリアとを含み、
前記制御部は、前記検査エリアおよび前記外側エリアのそれぞれの設定露点に基づき、各エリアへのドライガスの供給を制御する、請求項１又は２に記載のプローバ。
【請求項５】
前記外側エリアとして、前記プローブカードが接続されるテストヘッドが配置される機器収容エリアを含む、請求項４に記載のプローバ。
【請求項６】
前記機器収容エリアの設定露点が、前記検査エリアの設定露点よりも高い、請求項５に記載のプローバ。
【請求項７】
前記外側エリアとして、前記機器収容エリアとは別に区画され、前記検査エリアへの前記ウェーハの搬入および搬出を行うための搬送装置が配置される搬送エリアを含み、
前記搬送エリアの設定露点が、前記機器収容エリアの設定露点よりも高い、請求項６に記載のプローバ。
【請求項８】
前記外側エリアとして、前記検査エリアへの前記ウェーハの搬入および搬出を行うための搬送装置が配置される搬送エリアを含み、
前記搬送エリアの設定露点が、前記検査エリアの設定露点よりも高い、請求項４に記載のプローバ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハに形成されたデバイスを検査するプローバに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造の前工程で多数のデバイスが形成されたウェーハは、ダイシング工程においてデバイスごとに複数のチップに分割される。そのダイシング工程に先立ち、ウェーハ上のデバイスの中から不良品を除くためのプロービングが行われる。プロービングは、ウェーハに形成されたデバイスの電気的特性を検査することで不良品を特定するウェーハレベル検査である。このプロービングを行う装置がプローバである（特許文献１参照）。
【０００３】
プローバは、複数のプローブを有するプローブカードを備える。プローブは、テストヘッドに電気的に接続される。プローブカードにウェーハを当接させることにより、各プローブを各デバイスの電極パッドに接触させる。テストヘッドからプローブを介して各デバイスに電気信号を送り、その電気的特性を検査することで不良品であるかどうかを判定する。
【０００４】
ところで、近年におけるウェーハの大型化および高集積化に伴い、ウェーハ一枚あたりに形成されるデバイスの数も増大している。このため、半導体製造におけるスループットの向上やコスト低減のために検査効率の向上が求められる。そこで、水平方向に複数のテストヘッドを配列したステージを上下に複数段設けたいわゆる多段マルチステージ型のプローバが提案されている。このようなプローバによれば、複数のテストベッドが同時かつ連続的に検査を行うことができるため、検査効率を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－４９９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したプロービングは、デバイスの機能性を担保するために実際の使用環境を考慮してなされるため、デバイスの仕様によっては低温環境下で行われる。その場合、結露によってデバイスが破壊されないよう、検査エリアにドライエアでパージして露点を下げるなどの工夫がなされる。
【０００７】
しかしながら、検査エリア以外にも電装品が収容されるエリアでは結露を防止する必要がある。また、検査終了後にウェーハが搬出される過程で結露が発生することも懸念される。そこで、検査エリアのみならず、搬送エリアその他のエリア全域にわたってドライエアでパージすることも考えられるが、そうすると大量のドライエアを消費することとなりコストが嵩む。特に多段マルチステージ型のプローバはエリアの数も多いため、その問題が顕著となる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、ドライガスの消費を抑えつつ、ウェーハ等の結露を防止可能なプローバを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のある態様は、ウェーハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査するプローバである。このプローバは、結露を防止するための設定露点が異なる複数のエリアと、複数のエリアのそれぞれにドライガスを供給する供給部と、供給部によるドライガスの供給を制御する制御部と、を備える。制御部は、複数のエリアのそれぞれの設定露点を実現するよう、各エリアへのドライガスの供給を制御する
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ドライガスの消費を抑えつつ、ウェーハ等の結露を防止可能なプローバを提供できる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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