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公開番号2025069423
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-30
出願番号2025018748,2022576756
出願日2025-02-06,2022-01-21
発明の名称発光素子の製造方法
出願人京セラ株式会社
代理人弁理士法人 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
主分類H01S 5/028 20060101AFI20250422BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】発光効率に優れ、発光特性が変動しにくく、長期信頼性に優れた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子前駆体20の第1端面20aに第1絶縁膜3を形成する工程において、発光素子1は、積層体と、第1絶縁膜とを備える。積層体は、複数の半導体層を有し、第1端面20a、第1端面20aに対向する第2端面20b、第1端面20aと第2端面20bとを接続する一対の側面20cを含む。第1絶縁膜は、第1端面20aから、一対の側面20cのうちの少なくとも一方にわたって位置している。
【選択図】図16
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、基板上に位置し第１方向に延びる帯状のマスクを有するマスクパターンと、前記基板から前記マスク上に成長した窒化物半導体を含む素子層と、を有する半導体基板を準備する準備工程と、
前記素子層に、前記第１方向と交差する第２方向に沿った第１端面および前記第１端面に対向する第２端面を形成する端面形成工程と、
前記第１端面および前記第２端面を含む素子層を支持基板に転写する転写工程と、
前記転写工程後に前記第１端面に絶縁膜を形成する第１成膜工程と、を含む発光素子の製造方法。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記転写工程後に前記第２端面に絶縁膜を形成する第２成膜工程を含む、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１成膜工程において、前記第１端面および前記第２端面と交わる側面に絶縁膜を形成する、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１成膜工程では、スパッタリング法または電子ビーム蒸着法により前記絶縁膜を形成する、請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記端面形成工程では、前記素子層を劈開する、請求項１～４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１成膜工程では、複数の素子層それぞれの前記第１端面に前記絶縁膜を形成する、請求項１～５のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１成膜工程では、複数の素子層を前記第２方向に並べた状態で、各素子層の前記第１端面に前記絶縁膜を形成する、請求項１～６のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１端面および前記第２端面のうちの少なくとも一方は、前記素子層のｍ面である、請求項１～７のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１端面に形成される絶縁膜は、前記第２端面に形成される絶縁膜よりも厚い、請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記端面形成工程は、前記素子層を破断させる工程である、請求項１～９のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光素子に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザおよび発光ダイオード等の発光素子が種々提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
日本国特開２００５－２０３５８８号公報
【発明の概要】
【０００４】
本開示の発光素子は、複数の半導体層を有し、第１端面、前記第１端面に対向する第２端面、前記第１端面と前記第２端面とを接続する一対の側面を含む積層体と、前記第１端面から、前記一対の側面のうちの少なくとも一方にわたって位置した第１絶縁膜と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
本開示の一実施形態の発光素子を示す斜視図である。
図１の発光素子を示す側面図である。
本開示の一実施形態の発光素子の変形例を示す側面図である。
図１の発光素子が支持基体に搭載された状態を示す側面図である。
図４の切断面線Ｖ－Ｖで切断した断面図である。
本開示の他の実施形態の発光素子が支持基体に搭載された状態を示す側面図である。
図６の切断面線ＶＩＩ－ＶＩＩで切断した断面図である。
発光素子の製造方法におけるマスク形成工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層形成工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層形成工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層形成工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層形成工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層分離工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層分離工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における素子層分離工程を説明する断面図である。
発光素子の製造方法における絶縁膜形成工程を説明する正面図である。
半導体レーザ素子の一例の断面図である。
半導体レーザ素子の一例の側面図である。
半導体レーザ素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
半導体レーザ素子の製造装置の構成を示すブロック図である。
半導体レーザ素子の別例の断面図である。
半導体レーザ素子の別例の側面図である。
半導体レーザ素子の一例の斜視図である。
半導体レーザ素子の一例の斜視図である。
図２４の半導体レーザ素子の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
以下、図面を参照して、本開示の実施形態の発光素子について説明する。図１は、本開示の一実施形態の発光素子を示す斜視図であり、図２は、図１の発光素子を示す側面図であり、図３は、本開示の一実施形態の発光素子を示す側面図である。図４は、図１の発光素子が支持基体に搭載された状態を示す側面図であり、図５は、図４の切断面線Ｖ－Ｖで切断した断面図である。図３に示す側面図は、図２に示す側面図に対応する。図４では、第１絶縁膜および第２絶縁膜にハッチングを付している。図面は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。本明細書において「上面」、「下面」などの名称は、説明の便宜上、記載している名称に過ぎず、動作時における発光素子の向きを特定するものではない。
【０００７】
本実施形態の発光素子１は、積層体２と、第１絶縁膜３とを備える。
【０００８】
積層体２は、第１端面２ａ、第１端面２ａに対向する第２端面２ｂ、および、第１端面２ａと第２端面２ｂとを接続する一対の側面２ｃを含む。第１端面２ａおよび第２端面２ｂは、発光素子１の共振器面（共振器端面）である。積層体２は、第１端面２ａ、第２端面２ｂおよび一対の側面２ｃに接続した第１主面２ｄおよび第２主面２ｅをさらに含む。
【０００９】
積層体２は、例えば図１，２に示すように、その形状が、略直方体形状である。積層体２は、複数の半導体層を含む。複数の半導体層は、積層体２の長手方向と直交する方向（以下、積層方向ともいう）に積層されている。
【００１０】
複数の半導体層は、例えば、ｎ型半導体層２１、活性層２２およびｐ型半導体層２３を含む。積層体２の第１端面２ａ、第２端面２ｂおよび一対の側面２ｃには、ｎ型半導体層２１、活性層２２およびｐ型半導体層２３が露出している。ｎ型半導体層２１は、積層体２の第１主面２ｄを含み、ｐ型半導体層２３は、積層体２の第２主面２ｅを含む。言い換えれば、第１主面２ｄは、ｎ型半導体層２１の一方主面２１ａに対応し、第２主面２ｅは、ｐ型半導体層２３の一方主面２３ａに対応する。
（【００１１】以降は省略されています）

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