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公開番号2025087242
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023201758
出願日2023-11-29
発明の名称膜製造方法、積層構造、及びボロメータ
出願人日本電気株式会社
代理人個人,個人
主分類G01J 1/02 20060101AFI20250603BHJP(測定;試験)
要約【課題】配向度を制御しやすい膜製造方法、積層構造、及びボロメータを提供する。
【解決手段】膜製造方法は、基材に初期自己組織化膜を形成するステップと、形成された初期自己組織化膜を一次乾燥させるステップと、一次乾燥させた初期自己組織化膜を、シランカップリング剤が溶解した溶解液に浸漬させることにより、自己組織化膜を形成するステップと、形成された自己組織化膜を二次乾燥させるステップと、二次乾燥させた自己組織化膜に、ナノカーボン層を積層するステップと、を含む。
【選択図】図14
特許請求の範囲【請求項１】
基材に初期自己組織化膜を形成するステップと、
形成された前記初期自己組織化膜を一次乾燥させるステップと、
一次乾燥させた前記初期自己組織化膜を、シランカップリング剤が溶解した溶解液に浸漬させることにより、自己組織化膜を形成するステップと、
形成された前記自己組織化膜を二次乾燥させるステップと、
二次乾燥させた前記自己組織化膜に、ナノカーボン層を積層するステップと、
を含む膜製造方法。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
一次乾燥させた前記初期自己組織化膜を洗浄するステップをさらに含み、
前記浸漬させるステップにおいて、一次乾燥させた前記初期自己組織化膜として、洗浄された前記初期自己組織化膜を浸漬させる
請求項１に記載の膜製造方法。
【請求項３】
前記シランカップリング剤は、アミノ基を有する
請求項１又は請求項２に記載の膜製造方法。
【請求項４】
前記シランカップリング剤は、３－アミノプロピルトリエトキシシランである
請求項１又は請求項２に記載の膜製造方法。
【請求項５】
前記溶解液における、前記シランカップリング剤の濃度が０．０２５～５％である
請求項１又は請求項２に記載の膜製造方法。
【請求項６】
前記ナノカーボン層が、カーボンナノチューブを含む
請求項１又は請求項２に記載の膜製造方法。
【請求項７】
前記ナノカーボン層は、界面活性剤を用いて積層される
請求項５に記載の膜製造方法。
【請求項８】
基材と、自己組織化膜と、配向パラメータを有するナノカーボン層と、を順に備え、
前記配向パラメータが、配向成分とランダム成分とを有し、
前記配向成分が、局所的な配向度に関連する減衰定数λ
ｃ
と、前記ナノカーボン層の正方形の観察領域の１辺の大きさｄと、一定値Ｓ
ｆｕｌｌ
と、の関数である式（３）で表され、
前記減衰定数λ
ｃ
が、３００ｎｍ以上である、
積層構造。
TIFF
2025087242000015.tif
13
170
【請求項９】
前記配向成分は、前記観察領域が大きくなると前記一定値Ｓ
ｆｕｌｌ
に漸近する
請求項８に記載の積層構造。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の積層構造と、
前記ナノカーボン層に電気的に接続されている電極と、
を備える
ボロメータ。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、膜製造方法、積層構造、及びボロメータに関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
電気素子に、カーボンナノチューブを用いることが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、カーボンナノチューブを利用したカーボンナノチューブＦＥＴ（ＦＩＥＬＤＥＦＦＥＣＴＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ）が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２００６／１０３８７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示されたカーボンナノチューブＦＥＴは、カーボンナノチューブを固定するために基板表面をアミノシランで処理し、基板表面にアミノ基を導入している。アミノ基を利用して成膜されたカーボンナノチューブの膜は局所的な配向を取りやすく、カーボンナノチューブの配向度を制御しにくい。
【０００６】
本開示の目的は、上述した課題を解決する膜製造方法、積層構造、及びボロメータを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の膜製造方法は、基材に初期自己組織化膜を形成するステップと、形成された前記初期自己組織化膜を一次乾燥させるステップと、一次乾燥させた前記初期自己組織化膜を、シランカップリング剤が溶解した溶解液に浸漬させることにより、自己組織化膜を形成するステップと、形成された前記自己組織化膜を二次乾燥させるステップと、二次乾燥させた前記自己組織化膜に、ナノカーボン層を積層するステップと、を含む。
【０００８】
本開示の積層構造は、基材と、自己組織化膜と、配向パラメータを有するナノカーボン層と、を順に備え、前記配向パラメータが、配向成分とランダム成分とを有し、前記配向成分が、局所的な配向度に関連する減衰定数λ
ｃ
と、前記ナノカーボン層の正方形の観察領域の１辺の大きさｄと、一定値Ｓ
ｆｕｌｌ
と、の関数である式（３）で表され、前記減衰定数λ
ｃ
が、３００ｎｍ以上である、
積層構造。
TIFF
2025087242000002.tif
13
170
【発明の効果】
【０００９】
本開示に係る、膜製造方法、積層構造、及びボロメータによれば、配向度を制御しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本開示における積層構造の構成の一例を示す断面図Ｉである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための図である。
本開示における積層構造の減衰定数を導くためのフローチャートである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理Ｉである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理ＩＩである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理ＩＩＩである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理ＩＶである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理Ｖである。
本開示における積層構造の減衰定数を導くための画像処理ＶＩである。
本開示における膜製造方法の処理の一例を示すフローチャートＩである。
本開示における膜製造方法の製造手順の一例を示す図である。
本開示におけるボロメータの構成の一例を示す断面図である。
本開示における積層構造の構成の一例を示す断面図ＩＩである。
本開示における膜製造方法の処理の一例を示すフローチャートＩＩである。
実施例における素子の平面図である。
実施例における素子Ｉの積層構造の評価結果を示す図である。
実施例における素子Ｉの積層構造の平面画像の一部を示すＳＥＭ図である。
実施例における素子ＩＩの積層構造の評価結果を示す図である。
実施例における素子ＩＩの積層構造の平面画像の一部を示すＳＥＭ図である。
実施例における素子ＩＩＩの積層構造の評価結果を示す図である。
実施例における素子ＩＩＩの積層構造の平面画像の一部を示すＳＥＭ図である。
実施例における素子ＩＶの積層構造の評価結果を示す図である。
実施例における素子Ｖの積層構造の平面画像の一部を示すＳＥＭ図である。
実施例における素子の積層構造において、各溶解液２βの濃度と減衰定数λ
ｃ
との関係を示す図である。
実施例における素子の積層構造において、各溶解液２βの濃度に対するナノカーボン層の抵抗値を示す表である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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