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公開番号2025094399
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-25
出願番号2023209886
出願日2023-12-13
発明の名称電気光学装置及び電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G02F 1/1333 20060101AFI20250618BHJP(光学)
要約【課題】電気光学装置の製造時のイオン成分の拡散増による表示不良の発生を防止する。
【解決手段】基板と、基板の一方側に設けられた第1絶縁層と、第1絶縁層の基板と反対側に設けられた第1電極及び第2電極と、第1電極を覆う第2絶縁層と、第2電極を覆う第3絶縁層と、を備え、第2絶縁層の基板からの高さは、第3絶縁層の前記基板からの高さよりも高い。第1電極と第2電極との間には、段差が設けられている。
【選択図】図5B
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板の一方側に設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の前記基板と反対側に設けられた第１電極及び第２電極と、
前記第１電極を覆う第２絶縁層と、
前記第２電極を覆う第３絶縁層と、
を備え、
前記第２絶縁層の前記基板からの高さは、前記第３絶縁層の前記基板からの高さよりも高い、
電気光学装置。
続きを表示（約 530 文字）【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極との間に、段差が設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記段差には、前記第１絶縁層を厚み方向に凹ませた凹部が設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２絶縁層は、前記第１電極の上に設けられた垂直蒸着層と、前記垂直蒸着層の上に設けられた斜方蒸着層とを含み、
前記第３絶縁層は、前記第２電極の上に設けられた前記斜方蒸着層を含み、
前記段差には、前記斜方蒸着層が設けられている、
請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記段差に設けられた前記斜方蒸着層は、前記垂直蒸着層の上に設けられた前記斜方蒸着層との間で分断され、前記第２電極の上に設けられた前記斜方蒸着層との間で接続されている、
請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２電極は、表示領域よりも外側のダミー画素領域に設けられている、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１～６の何れか一項の電気光学装置を備える、
電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
プロジェクター等の表示装置や電子機器には、入射する光を画像情報に応じて変調して画像光を射出する光変調装置として、液晶パネル等の液晶装置が用いられている。例えば、透過型の液晶装置では、透光性を有する画素電極を備える第１基板と、透光性を有する対向電極を備える第２基板との間に液晶層が設けられている。第２基板から入射する光は、液晶層で変調され、第１基板から射出される。
【０００３】
画素電極は、第１基板において画素電極と素子基板との間に形成されているトランジスターに電気的に接続されている。第１基板のトランジスターは、画素に入射する色光を変調して画像光に変換するためのスイッチング素子として機能する。
【０００４】
例えば、下記特許文献１には、画素電極とトランジスターとのコンタクト抵抗及び画素電極のシート抵抗を低減するために、素子基板の一方の面側に設けられた金属層と、金属層に対して素子基板とは反対側で接する画素電極とを有する電気光学装置が開示されている。特許文献１に開示されている画素電極は、金属層に接する透光性の第１金属酸化物層と、第１金属酸化物層に対して金属層とは反対側に積層された透光性の第２金属酸化物層と、を備える。第２金属酸化物層の酸素含有量は、第１金属酸化物層よりも大きい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０２０／２５４４３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示されている電気光学装置では、製造時等に、ダミー画素が配置されている領域を含む表示領域の外方から表示領域に向かって、イオン性不純物が拡散する場合がある。その場合、電気光学装置において、イオン性不純物の拡散による角シミ、表示ムラ、焼き付き等の表示不良が発生する。
【０００７】
上記特許文献１に開示されている電気光学装置では、表示領域へのイオン性不純物の拡散に対して特に対策されておらず、イオン性不純物の拡散に起因する表示不良が発生する可能性があった。すなわち、平面視において表示領域の外方から表示領域へのイオン性不純物の拡散に起因する表示不良の発生を防止する対策が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の電気光学装置は、基板と、前記基板の一方側に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層の前記基板と反対側に設けられた第１電極及び第２電極と、前記第１電極を覆う第２絶縁層と、前記第２電極を覆う第３絶縁層と、を備え、前記第２絶縁層の前記基板からの高さは、前記第３絶縁層の前記基板からの高さよりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の一実施形態の液晶装置の平面図である。
図１の液晶装置の断面図である。
図１の液晶装置の等価回路図である。
図１の液晶装置の第１基板の平面図である。
図４Ａの第１基板の断面図である。
図４Ａの第１基板の断面図である。
図４Ａの第１基板の断面図である。
図１の液晶装置の画素及びダミー画素の上部構造の平面図である。
図１の液晶装置の画素及びダミー画素の上部構造の断面図である。
図１の液晶装置の画素及びダミー画素の上部構造の変形例の断面図である。
図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための断面図である。
図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための断面図である。
図１の液晶装置の第１基板の製造工程を説明するための変形例の断面図である。
本発明の一実施形態の電子機器の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図面では、各々の構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺が異なる場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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