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公開番号
2025118918
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-13
出願番号
2025082851,2024201121
出願日
2025-05-16,2020-07-28
発明の名称
発光装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
G09F
9/30 20060101AFI20250805BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約
【課題】画素の欠陥が視認されにくい表示装置を提供する。
【解決手段】画素がマトリクス状に配列された表示部と、光電変換素子が設けられたセン
サ部と、を有する表示装置。まず、表示部を、第1の領域と、第2の領域と、に分割する
。次に、第1の領域に含まれる画素から第1の光を射出して、第1の光の輝度を光電変換
素子により検出する。また、第2の領域に含まれる画素から第2の光を射出して、第2の
光の輝度を光電変換素子により検出する。その後、第1の光の輝度と、第2の光の輝度と
、を比較し、比較の結果を基に、第1の領域、又は第2の領域の一方を、第3の領域と、
第4の領域と、に分割する。これらの動作を繰り返すことにより、欠陥画素を検出する。
欠陥画素の検出結果に基づき、画像データが表す輝度を補正することができる。
【選択図】図45
特許請求の範囲
【請求項1】
第1の画素乃至第4の画素と、第1のデータ線及び第2のデータ線と、第1の走査線及び第2の走査線と、電源線と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第1の発光素子を有し、
前記第2の画素は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ及び第2の発光素子を有し、
前記第3の画素は、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ及び第3の発光素子を有し、
前記第4の画素は、第7のトランジスタ、第8のトランジスタ及び第4の発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタを介して前記第1の画素に入力された第1の信号に従って、前記電源線と前記第1の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、前記第3のトランジスタを介して前記第2の画素に入力された第2の信号に従って、前記電源線と前記第2の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、前記第5のトランジスタを介して前記第3の画素に入力された第3の信号に従って、前記電源線と前記第3の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタは、前記第7のトランジスタを介して前記第4の画素に入力された第4の信号に従って、前記電源線と前記第4の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第1の導電膜は、前記第1の発光素子の画素電極としての機能を有する第2の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の発光素子の画素電極としての機能を有する第3の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第3の発光素子の画素電極としての機能を有する第4の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第4の発光素子の画素電極としての機能を有する第5の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、第1の開口部及び第2の開口部を有し、
前記第2の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第3の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
前記第4の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第5の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有する、
発光装置。
続きを表示(約 4,400 文字)
【請求項2】
第1の画素乃至第4の画素と、第1のデータ線及び第2のデータ線と、第1の走査線及び第2の走査線と、電源線と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第1の発光素子を有し、
前記第2の画素は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ及び第2の発光素子を有し、
前記第3の画素は、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ及び第3の発光素子を有し、
前記第4の画素は、第7のトランジスタ、第8のトランジスタ及び第4の発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタを介して前記第1の画素に入力された第1の信号に従って、前記電源線と前記第1の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、前記第3のトランジスタを介して前記第2の画素に入力された第2の信号に従って、前記電源線と前記第2の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、前記第5のトランジスタを介して前記第3の画素に入力された第3の信号に従って、前記電源線と前記第3の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタは、前記第7のトランジスタを介して前記第4の画素に入力された第4の信号に従って、前記電源線と前記第4の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第1の導電膜は、前記第1の発光素子の画素電極としての機能を有する第2の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の発光素子の画素電極としての機能を有する第3の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第3の発光素子の画素電極としての機能を有する第4の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第4の発光素子の画素電極としての機能を有する第5の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、第1の開口部及び第2の開口部を有し、
前記第2の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第3の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
前記第4の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第5の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
平面視において、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第4のトランジスタのチャネル形成領域とは、前記第1のデータ線と前記第2のデータ線との間に配置されている、
発光装置。
【請求項3】
第1の画素乃至第4の画素と、第1のデータ線及び第2のデータ線と、第1の走査線及び第2の走査線と、電源線と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第1の発光素子を有し、
前記第2の画素は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ及び第2の発光素子を有し、
前記第3の画素は、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ及び第3の発光素子を有し、
前記第4の画素は、第7のトランジスタ、第8のトランジスタ及び第4の発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタを介して前記第1の画素に入力された第1の信号に従って、前記電源線と前記第1の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、前記第3のトランジスタを介して前記第2の画素に入力された第2の信号に従って、前記電源線と前記第2の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、前記第5のトランジスタを介して前記第3の画素に入力された第3の信号に従って、前記電源線と前記第3の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタは、前記第7のトランジスタを介して前記第4の画素に入力された第4の信号に従って、前記電源線と前記第4の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第1の導電膜は、前記第1の発光素子の画素電極としての機能を有する第2の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の発光素子の画素電極としての機能を有する第3の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第3の発光素子の画素電極としての機能を有する第4の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第4の発光素子の画素電極としての機能を有する第5の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、第1の開口部及び第2の開口部を有し、
前記第2の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第3の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
前記第4の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第5の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
断面視において、前記第1の導電膜は、前記第2の導電膜乃至前記第5の導電膜のそれぞれの下方に配置された領域を有する、
発光装置。
【請求項4】
第1の画素乃至第4の画素と、第1のデータ線及び第2のデータ線と、第1の走査線及び第2の走査線と、電源線と、を有し、
前記第1の画素は、第1のトランジスタ、第2のトランジスタ及び第1の発光素子を有し、
前記第2の画素は、第3のトランジスタ、第4のトランジスタ及び第2の発光素子を有し、
前記第3の画素は、第5のトランジスタ、第6のトランジスタ及び第3の発光素子を有し、
前記第4の画素は、第7のトランジスタ、第8のトランジスタ及び第4の発光素子を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタは、前記第1のトランジスタを介して前記第1の画素に入力された第1の信号に従って、前記電源線と前記第1の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のデータ線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタは、前記第3のトランジスタを介して前記第2の画素に入力された第2の信号に従って、前記電源線と前記第2の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第1の走査線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタは、前記第5のトランジスタを介して前記第3の画素に入力された第3の信号に従って、前記電源線と前記第3の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有し、
前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のデータ線と電気的に接続され、
前記第7のトランジスタのゲートは、前記第2の走査線と電気的に接続され、
前記第8のトランジスタは、前記第7のトランジスタを介して前記第4の画素に入力された第4の信号に従って、前記電源線と前記第4の発光素子との間に流れる電流を制御する機能を有する発光装置であって、
前記電源線としての機能を有する第1の導電膜は、前記第1の発光素子の画素電極としての機能を有する第2の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第2の発光素子の画素電極としての機能を有する第3の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第3の発光素子の画素電極としての機能を有する第4の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、前記第4の発光素子の画素電極としての機能を有する第5の導電膜との重なりを有し、
前記第1の導電膜は、第1の開口部及び第2の開口部を有し、
前記第2の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第3の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
前記第4の導電膜は、前記第1の開口部との重なりを有し、
前記第5の導電膜は、前記第2の開口部との重なりを有し、
平面視において、前記第2のトランジスタのチャネル形成領域と、前記第4のトランジスタのチャネル形成領域とは、前記第1のデータ線と前記第2のデータ線との間に配置されおり、
断面視において、前記第1の導電膜は、前記第2の導電膜乃至前記第5の導電膜のそれぞれの下方に配置された領域を有する、
発光装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、表示装置の動作方法に関する。また、本発明の一態様は、表示装置に
関する。また、本発明の一態様は、電子機器に関する。
続きを表示(約 2,100 文字)
【0002】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野と
しては、半導体装置、表示装置、発光装置、表示システム、電子機器、照明装置、入力装
置(例えば、タッチセンサ等)、入出力装置(例えば、タッチパネル等)、それらの駆動
方法、又はそれらの製造方法を一例として挙げることができる。
【0003】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指す。表示装置(液晶表示装置、発光表示装置等)、投影装置、照明装置、電気
光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、及び電子機器等は、半導体装置
といえる場合がある。もしくは、これらは半導体装置を有するといえる場合がある。
【背景技術】
【0004】
拡張現実(AR:Augmented Reality)又は仮想現実(VR:Virt
ual Reality)用の表示装置として、ウェアラブル型の表示装置や、据え置き
型の表示装置が普及しつつある。ウェアラブル型の表示装置としては、例えば、ヘッドマ
ウントディスプレイ(HMD:Head Mounted Display)や眼鏡型の
表示装置等がある。据え置き型の表示装置としては、例えば、ヘッドアップディスプレイ
(HUD:Head-Up Display)等がある。例えば、特許文献1では、使用
者の眼を撮像しやすいヘッドマウントディスプレイについて開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2019-80354号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
HMD等、表示部と使用者の距離が近い表示装置においては、使用者が画素を視認しやす
く粒状感を強く感じてしまうことから、ARやVRの没入感、及び臨場感が薄れる場合が
ある。このため、HMDにおいては、使用者に画素を視認されないように画素密度の高い
表示装置が望まれる。例えば、1000ppi以上、好ましくは5000ppi以上、よ
り好ましくは7000ppi以上の画素密度であることが好ましい。
【0007】
しかしながら、画素密度が高くなると、画素の欠陥、例えば点欠陥が生じたとしても、当
該欠陥を修復するために、欠陥が生じた画素へのレーザー照射等を行うことは難しい。
【0008】
本発明の一態様は、画素の欠陥が視認されにくい表示装置の動作方法を提供することを課
題の一とする。又は、本発明の一態様は、高品位の画像を表示することができる表示装置
の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、画素密度が高い
表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、高速に
動作する表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は
、低消費電力な表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一
態様は、新規な表示装置の動作方法を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一
態様は、上記動作方法で動作する表示装置を提供することを課題の一とする。
【0009】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は
、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求
項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様は、表示部と、センサ部と、を有し、表示部には、m行n列(m、nは2
以上の整数)の画素がマトリクス状に配列され、センサ部には、光電変換素子が設けられ
た表示装置の動作方法であって、表示部を、第1の領域と、第2の領域と、に分割し、第
1の領域に含まれる画素から第1の光を射出して、第1の光の輝度を光電変換素子により
検出し、第2の領域に含まれる画素から第2の光を射出して、第2の光の輝度を光電変換
素子により検出し、第1の光の輝度と、第2の光の輝度と、を比較し、比較の結果を基に
、第1の領域、又は第2の領域の一方を、第3の領域と、第4の領域と、に分割し、第3
の領域に含まれる画素から第3の光を射出して、第3の光の輝度を光電変換素子により検
出し、第4の領域に含まれる画素から第4の光を射出して、第4の光の輝度を光電変換素
子により検出し、第3の光の輝度と、第4の光の輝度と、を比較し、欠陥がある画素であ
る欠陥画素を検出する、表示装置の動作方法である。
(【0011】以降は省略されています)
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