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公開番号2025124274
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-26
出願番号2024020210
出願日2024-02-14
発明の名称スチレン系樹脂成形体
出願人東洋紡株式会社,株式会社いおう化学研究所
代理人弁理士法人アスフィ国際特許事務所
主分類C08L 25/04 20060101AFI20250819BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】シンジオタックチックポリスチレン系樹脂を含有するスチレン系樹脂成形体であって、伝送損失が低く、耐熱性を有しており、更に、引張弾性率が高く高強度で、低線膨張性を有しているスチレン系樹脂成形体を提供する。
【解決手段】シンジオタックチックポリスチレン系樹脂を含有するスチレン系樹脂成形体であって、前記スチレン系樹脂成形体全体を100質量部としたとき、下記式(1)で表されるシラン系化合物により表面修飾されたフィラーを1～50質量部含有するスチレン系樹脂成形体。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025124274000008.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">44</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">57</com:WidthMeasure> </com:Image> 【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
シンジオタックチックポリスチレン系樹脂を含有するスチレン系樹脂成形体であって、
前記スチレン系樹脂成形体全体を１００質量部としたとき、
下記式（Ｉ）で表されるシラン系化合物により表面修飾されたフィラーを１～５０質量部含有するスチレン系樹脂成形体。
TIFF
2025124274000007.tif
44
56
［式（Ｉ）中、Ｒ
１
は、炭素数１～１０のアルキレン基である。
Ｒ
２
～Ｒ
４
は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１～５のアルコキシ基または炭素数１～５のアルキル基であり、Ｒ
２
～Ｒ
４
の少なくとも１つはヒドロキシ基または炭素数１～５のアルコキシ基である。
Ｑは、アジド基または－ＮＲ
５
Ｒ
６
であり、Ｒ
５
およびＲ
６
は、それぞれ独立に、Ｈ、炭素数１～２４の炭化水素基、または－Ｒ
７
－ＳｉＲ
８
ｎ
（ＯＡ）
３－ｎ
であり、Ｒ
７
は、炭素数１～１２の鎖状の２価の炭化水素基であり、Ｒ
８
は、炭素数１～４の鎖状の炭化水素基であり、Ａは、Ｈまたは炭素数１～４の鎖状の炭化水素基であり、ｎは、０～３の整数である。
Ｅは、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＨＣＯ－である。］
続きを表示（約 430 文字）【請求項２】
ＭＤ方向の引張弾性率が３．０ＧＰａ以上であり、降温結晶化温度が２６０℃以下であり、結晶化度が５０％以上である請求項１に記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項３】
線膨張率が２００ｐｐｍ以下である請求項１に記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項４】
Ｌ値が７０以上であり、光沢値が３０％以上である請求項１に記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項５】
周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯域で用いられる電子機器用または通信機器用である請求項１に記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項６】
前記フィラーが、無機系フィラーである請求項１に記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項７】
フィルムである請求項１～６のいずれかに記載のスチレン系樹脂成形体。
【請求項８】
フィルムである請求項１～６のいずれかに記載のスチレン系樹脂成形体と金属膜との積層体である基板。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、シンジオタックチックポリスチレン系樹脂を含有するスチレン系樹脂成形体、および該スチレン系樹脂成形体と金属膜との積層体である基板に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）などの情報処理分野や携帯電話などの分野において情報処理速度を向上させるため、１ＧＨｚ以上の高周波帯域の周波数が採用されてきている。そのため、パーソナルコンピュータや携帯電話などに組み込まれる回路基板やその他の電子部品などとして用いられる樹脂成形体には、高周波帯域で伝送損失が低いことが求められる。伝送損失とは、通信線路上を流れる電気信号や光信号の劣化度合いを意味する。伝送損失は、熱エネルギーとして消費され、熱として放出されるため好ましくない。
【０００３】
樹脂成形体の伝送損失を小さくするには、誘電損失の小さい低誘電性高分子材料を用いることが考えられる。低誘電性高分子材料としては、例えば、ポリオレフィン、フッ素系樹脂などの熱可塑性樹脂や、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビニルトリアジン樹脂（ＢＴレジン）、架橋性ポリフェニレンオキサイド、硬化性ポリフェニレンエーテルなどの熱硬化性樹脂などが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、上述した回路基板やその他の電子部品をパーソナルコンピュータや携帯電話などに組み込み、デバイス化する際には、半田付け工程が必ず入るため、上述した低誘電性高分子材料に対しては耐熱性も求められる。耐熱性としては、半田付け工程を行なっても変形しないことが求められ、具体的には、２６０℃で１２０秒間加熱されても変形しないことが求められる。
【０００５】
低誘電性高分子材料の耐熱性を高める方法として、高分子材料中にガラスファイバなどの無機化合物を添加することが知られている。しかし、充分な耐熱性を得るには、高分子材料中に無機化合物を多量に添加する必要があり、これにより樹脂成形体の誘電率が高くなるという問題があった。即ち、無機化合物の誘電率は、一般に４Ｆ／ｍ以上と大きいため、樹脂成形体に占める無機化合物の添加量が多くなると、樹脂成形体全体の誘電率も高くなる。
【０００６】
低誘電性と高い耐熱性を有する低誘電性・耐熱性のスチレン系樹脂組成物が特許文献２に記載されている。このスチレン系樹脂組成物は、シンジオタックチックポリスチレン系樹脂１００重量部に対して、無機フィラー１～１０重量部と当該無機フィラーのインターカレーション剤１～１０重量部とを含有するものである。無機フィラーとしては、クレイが用いられており、インターカレーション剤としては、Ｎ－フェニルマレイミドが用いられている。
【０００７】
特許文献３には、低誘電性と高い耐熱性を有する低誘電性・耐熱性樹脂組成物として、シンジオタックチックポリスチレン系樹脂１００重量部と、層間修飾クレイ１～１０重量部とからなり、その層間修飾クレイが塩化ジステアリルジメチルアンモニウムを層間域にインターカレーションすることによって得られたものであることが記載されている。
【０００８】
特許文献４には、金属皮膜との接着強度に優れる樹脂基材が記載されている。実施例には、シンジオタクチックポリスチレンを主成分として含むシート状の樹脂成形体に６－（３－トリエトキシシリルプロピルアミノ）－１，３，５－トリアジン－２，４－ジアジドを塗布して得られたポリスチレン基材と銅箔とを重ね合せた積層体が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
特開平１１－６０６４５号公報
特開２００４－３２３６５０号公報
特開２００５－２１３３１７号公報
特開２０２３－６１７７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、例えば、周波数が１ＧＨｚ以上の高周波帯域で用いられる電子機器または通信機器の材料として用いられる樹脂成形体には、低誘電性であり、且つ耐熱性を有している他に、強度が高く、線膨張性が低いことも求められる。
（【００１１】以降は省略されています）

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