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公開番号2025137573
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-19
出願番号2025115931,2024051924
出願日2025-07-09,2007-07-19
発明の名称表示装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 30/67 20250101AFI20250911BHJP()
要約【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極(又は素子の電極)の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のTFTのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
隣接する画素電極の間に設けられた配線と、薄膜トランジスタと、を有し、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は、前記配線の下方に設けられており、
前記チャネル形成領域は前記配線と重なる位置に設けられており、
前記チャネル形成領域のチャネル幅の方向は、前記配線における電流の流れる方向と平行な方向である、表示装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置、及びマトリクス状に素子が配置された半
導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来より、画像表示装置として、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下「ＥＬ」という。）表示装置等が知られている。こ
れらの表示装置の型式としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型とがあ
る。そして、アクティブマトリクス型表示装置は、画素数が増加した場合であっても高速
な動作が可能であるという特徴を有する。
【０００３】
アクティブマトリクス型表示装置は、ＴＦＴ、容量素子、配線、画素電極等を同一基板上
に形成するので開口率が減少してしまいやすい。そのため、これらの材料、形状、数、又
は配置等の設計を工夫することによって、開口率を上げる試みがなされている。例えば、
特許文献１においては、比誘電率の高い酸化タンタルを容量素子の誘電体として利用する
ことにより、容量素子の小面積化を図る方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１１－３１２８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、開口率を上げる為、比誘電率の高い材料を容量素子に使用する方法は、工程数の増
加につながるという問題がある。
【０００６】
ここで、工程数を増加させないで開口率を上げる為には開口部の面積を大きくすればよい
。しかし、開口部の面積を大きくするために配線の間に開口部を設けようとすると、開口
部の形状は複雑な形状となる。そして、ＥＬ表示装置において、開口部の形状を複雑な形
状とすると、開口部のエッジ（端部）の長さが大きくなってしまう為、ＥＬ発光部のシュ
リンクが助長されてしまうという問題が生じてしまう。
【０００７】
ここで、ＥＬ発光部のシュリンクとは、ＥＬ層が物理的に収縮することではなく、ＥＬ素
子の有効面積（ＥＬ素子が発光している部分の面積）が、端部より徐々に収縮していく状
態をいう。
【０００８】
また、表示装置以外の半導体装置（例えばＤＲＡＭ等）においても、トランジスタと接続
される素子の面積を大きくすることは好ましいことである。
【０００９】
そこで、本発明は、開口率の高い表示装置（又は素子の面積の大きい半導体装置）を提供
することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本明細書において、ＴＦＴのチャネル形成領域とは、ゲート電極の下にゲート絶縁膜を介
して配置された半導体領域をいう。また、チャネル長とは、チャネル形成領域におけるキ
ャリアが流れる方向の長さをいう。そして、チャネル幅とは、チャネル長方向と垂直方向
のチャネル形成領域の長さをいう。
（【００１１】以降は省略されています）

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