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公開番号2025138292
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-25
出願番号2024037300
出願日2024-03-11
発明の名称半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250917BHJP()
要約【課題】半導体装置の全周に対するボンディングが可能な領域を増加させることで、半導体装置のアセンブリの自由度を向上することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】上面視において四角形状のアクティブ領域と、アクティブ領域の周囲に設けられた終端領域とを有する半導体基板を備える半導体装置であって、アクティブ領域において、半導体基板の上面に形成されるゲート電極と、終端領域において、半導体基板の上面側に形成され、ゲート電極と電気的に接続されるゲート配線と、を備え、ゲート配線は、上面視において四角形状であり、アクティブ領域を囲うように設けられ、ゲート配線は、ボンディングによってゲート電極を外部接続するゲートパッド部を有し、ゲートパッド部は、ゲート配線上の少なくとも1辺全体に設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
上面視において四角形状のアクティブ領域と、前記アクティブ領域の周囲に設けられた終端領域とを有する半導体基板を備える半導体装置であって、
前記アクティブ領域において、前記半導体基板の上面に形成されるゲート電極と、
前記終端領域において、前記半導体基板の上面側に形成され、前記ゲート電極と電気的に接続されるゲート配線と、を備え、
前記ゲート配線は、上面視において四角形状であり、前記アクティブ領域を囲うように設けられ、
前記ゲート配線は、ボンディングによって前記ゲート電極を外部接続するゲートパッド部を有し、
前記ゲートパッド部は、前記ゲート配線上の少なくとも１辺全体に設けられる半導体装置。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記ゲートパッド部は、前記ゲート配線自体である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記終端領域の表面上に、保護膜がさらに設けられ、
前記保護膜は、前記保護膜の一部を開口して形成された開口部を有し、
前記開口部によって露出された前記ゲート配線が前記ゲートパッド部である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲートパッド部は、前記ゲート配線上に設けられ、前記ゲート配線と電気的に接続された導電体である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記終端領域の表面上に、保護膜がさらに設けられ、
前記保護膜は、前記保護膜の一部を開口して形成された開口部を有し、
前記開口部によって露出された前記ゲート配線上に前記導電体が設けられる請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記導電体は、前記アクティブ領域から離れる方向に前記保護膜上に延出して形成される請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記保護膜は、前記ゲート配線上のうち前記アクティブ領域側の領域に形成された第１保護膜を有し、
前記第１保護膜が、他の前記保護膜の厚さよりも厚く形成され、
前記導電体は、前記第１保護膜よりも外側に、前記アクティブ領域から離れる方向に前記保護膜上に延出して形成される請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲートパッド部は、前記ゲート配線上の４辺全体に設けられる請求項１、２、４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記終端領域に耐圧保持構造が設けられる請求項１、２、４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板はＳｉＣで形成される請求項１、２、４のいずれかに記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ゲート電極に電気的に接続されるゲート電極配線と、ゲート電極配線に電気的に接続されており、各ゲート電極をボンディングによって外部接続するための領域であるゲート電極パッドとを有する半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１７８７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された半導体装置において、ゲート電極パッドが設けられている領域は、半導体装置の全周に対してある一か所に限られている。つまり、半導体装置の全周に対してボンディング可能な領域が限られるため、半導体装置のアセンブリの際に制約が生じる。
【０００５】
本開示は上記した問題点を解決するためになされたものであり、半導体装置の全周に対するボンディングが可能な領域を増加させることで、半導体装置のアセンブリの自由度を向上することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に係る半導体装置は、上面視において四角形状のアクティブ領域と、前記アクティブ領域の周囲に設けられた終端領域とを有する半導体基板を備える半導体装置であって、前記アクティブ領域において、前記半導体基板の上面に形成されるゲート電極と、前記終端領域において、前記半導体基板の上面側に形成され、前記ゲート電極と電気的に接続されるゲート配線と、を備え、前記ゲート配線は、上面視において四角形状であり、前記アクティブ領域を囲うように設けられ、前記ゲート配線は、ボンディングによって前記ゲート電極を外部接続するゲートパッド部を有し、前記ゲートパッド部は、前記ゲート配線上の少なくとも１辺全体に設けられる半導体装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本開示に係る半導体装置によれば、ボンディングが可能な領域が増加するため、半導体装置のアセンブリの自由度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施の形態１に係る半導体装置の概略上面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略上面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の図１中のＡ―Ａ概略断面図である。
実施の形態１に係る半導体装置の概略上面図である。
従来技術に係る半導体装置の概略上面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の概略上面図である。
実施の形態２に係る半導体装置の図６中のＡ―Ａ概略断面図である。
実施の形態２の変形例に係る半導体装置の概略上面図である。
実施の形態２の変形例に係る半導体装置の図８中のＡ―Ａ概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜はじめに＞
以下の説明において、ｎ型およびｐ型は半導体の導電型を示し、本開示においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型として説明するが、第１導電型をｐ型、第２導電型をｎ型としてもよい。また、ｎ
－
型は不純物濃度がｎ型よりも低濃度であることを示し、ｎ
＋
型は不純物濃度がｎ型よりも高濃度であることを示す。同様に、ｐ
－
型は不純物濃度がｐ型よりも低濃度であることを示し、ｐ
＋
型は不純物濃度がｐ型よりも高濃度であることを示す。
【００１０】
また、半導体装置の深さ方向と平行な方向における一方の側を「上」、他方の側を「下」と称する。基板、層またはその他の部材の２つの主面のうち、一方の面を上面、他方の面を下面と称する。「上」、「下」の方向は、重力方向または半導体装置の実装時における方向に限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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