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公開番号2025141890
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-29
出願番号2025038148
出願日2025-03-11
発明の名称塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250919BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】ラインエッジラフネス(LER)が良好なレジストパターンを製造する。
【解決手段】式(I)で表される塩を含有する酸発生剤。
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【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
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2025141890000175.jpg
31
170
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
ｚは、０～６のいずれかの整数を表し、ｚが２以上のとき、複数のＲ
１１
及びＲ
１２
は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｘ
１
は、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－を表し、＊は、Ｃ（Ｒ
１１
）（Ｒ
１２
）もしくはＣ（Ｑ
１
）（Ｑ
２
）との結合部位を表す。
ｍｍ１は、０又は１を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～４０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
７
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｗ
１
は、ヨウ素原子を有する炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基は、ヨウ素原子以外の置換基を有していてもよい。
Ｒ
５
は、－Ｘ
ｒ１
－Ｒ
１０
又は－Ｘ
ｒ１
－Ｌ
１０
－Ｘ
ｒ２
－Ｒ
１０
を表す。
Ｘ
ｒ１
及びＸ
ｒ２
は、それぞれ独立に、＊－ＣＯ－Ｏ－、＊－Ｏ－ＣＯ－、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－又は＊－Ｏ－（但し、＊は、Ｗ
１
又はＬ
１０
との結合部位を表す。）を表す。
Ｌ
１０
は、置換基を有してもよい炭素数１～２８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１０
は、置換基を有してもよい酸安定炭化水素基を表す。
続きを表示（約 4,600 文字）【請求項２】
Ｌ
１
が、単結合、置換基を有してもよい炭素数１～１０の鎖式炭化水素基（但し、該鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）、置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基（但し、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＳＯ
２
－に置き換わっていてもよい。）又は置換基を有してもよい炭素数１～８の鎖式炭化水素基と置換基を有してもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基とを組み合わせてなる基（但し、該鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
７
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項３】
Ｗ
１
が、ヨウ素原子を有する炭素数５～１０の脂環式炭化水素基である請求項１に記載の酸発生剤。
【請求項４】
Ｒ
１０
の置換基を有してもよい酸安定炭化水素基が、式（１０ａ－１）で表される基である請求項１に記載の酸発生剤。
JPEG
2025141890000176.jpg
8
170
［式（１０ａ－１）中、
Ｌ
１１
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ａｒ
１１
は、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ
１１ａ
は、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基を表し、該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ１１ａは、０～８のいずれかの整数を表し、ｍ１１ａが２以上のとき、複数のＲ
１１ａ
は互いに同一であっても異なってもよい。
＊は、結合部位を表す。］
【請求項５】
Ｒ
１０
の置換基を有してもよい酸安定炭化水素基が、式（１０ａ－２）で表される基である請求項１に記載の酸発生剤。
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2025141890000177.jpg
16
170
［式（１０ａ－２）中、
Ｌ
１１
は、単結合又は炭素数１～６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ
１１ｂ
、Ｒ
１１ｃ
及びＲ
１１ｄ
は、
Ｒ
１１ｂ
及びＲ
１１ｃ
が、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子もしくはヒドロキシ基を有してもよい炭素数１～１８の炭化水素基であり、Ｒ
１１ｄ
が、水素原子であるか、
Ｒ
１１ｂ
及びＲ
１１ｃ
が、互いに結合し、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）を有してもよい炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を形成し、Ｒ
１１ｄ
が、水素原子であるか、
Ｒ
１１ｂ
、Ｒ
１１ｃ
及びＲ
１１ｄ
が、互いに結合し、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１～１２のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）を有してもよい炭素数３～３６の脂環式炭化水素基を形成する。
＊は、結合部位を表す。］
【請求項６】
請求項１～５のいずれか１項に記載の酸発生剤を含有するレジスト組成物。
【請求項７】
酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂を含有し、
酸不安定基を有する前記構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－４）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項６に記載のレジスト組成物。
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2025141890000178.jpg
46
170
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
ａ０１
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
ａ０１
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ０２
、Ｒ
ａ０３
及びＲ
ａ０４
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
ｍ１′は、０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は、０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１′は、０～３のいずれかの整数を表す。］
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2025141890000179.jpg
39
170
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
ａ１
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ１７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ１１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ１８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ１８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ１
は、単結合又はカルボニル基を表す。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
ｎａ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎａ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ１１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ１１が２以上のとき、複数のＲ
ａ１７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
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2025141890000180.jpg
54
170
【請求項８】
式（ａ２－Ａ）で表される構造単位を含む樹脂を含有する請求項６に記載のレジスト組成物。
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2025141890000182.jpg
33
170
［式（ａ２－Ａ）中、
Ｒ
ａ２
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ２７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ２１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ２８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ２８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ２
は、単結合又はカルボニル基を表す。
ｎＡ２は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎＡ２が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ２１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ２１が２以上のとき、複数のＲ
ａ２７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
【請求項９】
前記酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項６に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
（１）請求項６に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる酸発生剤用の塩、該塩を含む酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。
続きを表示（約 730 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表される塩、及び該塩を酸発生剤として含有する組成物が記載されている。
【０００３】
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2025141890000001.jpg
25
170
【０００４】
特許文献２には、下記式で表される塩、及び該塩を酸発生剤として含有する組成物が記載されている。
【０００５】
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2025141890000002.jpg
25
170
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０２２－１４１５９７号公報
特開２０１２－１４４５１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジストパターンを形成することができる技術が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の発明を含む。
［発明１］
式（Ｉ）で表される塩を含有する酸発生剤。
【０００９】
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2025141890000003.jpg
31
170
【００１０】
［式（Ｉ）中、
Ｑ
１
、Ｑ
２
、Ｒ
１１
及びＲ
１２
は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のペルフルオロアルキル基を表す。
（【００１１】以降は省略されています）

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