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公開番号2025085256
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-05
出願番号2023199006
出願日2023-11-24
発明の名称半導体製造装置、および、半導体製造方法
出願人三菱電機株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250529BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワイヤーボンディングに伴う半導体装置の性能低下を抑制する。
【解決手段】本願明細書に開示される技術に関する半導体製造装置は、半導体装置の電気回路を形成するワイヤーボンディングを行うための半導体製造装置であり、金属製ワイヤーを延出可能なキャピラリーと、キャピラリーを振動させるためのUSホーンと、半導体装置を固定するための固定部と、固定部に固定された半導体装置に溶融された金属製ワイヤーの先端を接触させる際に、半導体装置の一部のみを加熱するための加熱部とを備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置の電気回路を形成するワイヤーボンディングを行うための半導体製造装置であり、
金属製ワイヤーを延出可能なキャピラリーと、
前記キャピラリーを振動させるためのＵＳホーンと、
前記半導体装置を固定するための固定部と、
前記固定部に固定された前記半導体装置に溶融された前記金属製ワイヤーの先端を接触させる際に、前記半導体装置の一部のみを加熱するための加熱部とを備える、
半導体製造装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置であり、
前記加熱部が、前記半導体装置の形状に応じて突出可能な突出部を部分的に有し、
前記突出部が、前記半導体装置の一部のみを加熱する、
半導体製造装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体製造装置であり、
平面視で、前記金属製ワイヤーの前記先端と前記半導体装置とが接触する位置が、前記突出部が位置する範囲に含まれる、
半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の半導体製造装置であり、
前記加熱部がヒータープレートであり、
前記固定部が、前記ヒータープレートに形成される吸着穴である、
半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の半導体製造装置であり、
前記半導体装置に接触せずに前記半導体装置を加熱するための非接触熱源をさらに備える、
半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１から３のうちのいずれか１つに記載の半導体製造装置であり、
前記半導体装置が、リードフレームを有し、
前記加熱部が、前記リードフレームを局所的に加熱する、
半導体製造装置。
【請求項７】
半導体装置の電気回路を形成するワイヤーボンディングを行うための半導体製造方法であり、
金属製ワイヤーを延出可能なキャピラリーを、ＵＳホーンで振動させ、
前記半導体装置を固定し、
固定された前記半導体装置に溶融された前記金属製ワイヤーの先端を接触させて前記ワイヤーボンディングを行い、
前記ワイヤーボンディングを行う際に、前記半導体装置の一部のみを加熱する、
半導体製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本願明細書に開示される技術は、半導体装置の製造技術に関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際、半導体素子とリードフレームとの間でワイヤーボンディングを行う。ワイヤーボンディングは、金、銀または銅などを材料に用い、接合には加重、超音波または熱を必要とする（たとえば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開平０６－１６３６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リードフレームは銅製であるため、加熱によって酸化する。よって、ワイヤーボンディングの際にリードフレームも加熱されると、製造される半導体装置の性能低下（たとえば、絶縁シートの密着性不具合）が生じ得る。
【０００５】
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、ワイヤーボンディングに伴う半導体装置の性能低下を抑制するための技術である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願明細書に開示される技術の第１の態様である半導体製造装置は、半導体装置の電気回路を形成するワイヤーボンディングを行うための半導体製造装置であり、金属製ワイヤーを延出可能なキャピラリーと、前記キャピラリーを振動させるためのＵＳホーンと、前記半導体装置を固定するための固定部と、前記固定部に固定された前記半導体装置に溶融された前記金属製ワイヤーの先端を接触させる際に、前記半導体装置の一部のみを加熱するための加熱部とを備える。
【発明の効果】
【０００７】
本願明細書に開示される技術の少なくとも第１の態様によれば、半導体装置に金属製ワイヤーを接合させる際に、半導体装置の一部のみを加熱することができるため、金属製ワイヤーの接合に伴う半導体装置の性能低下を抑制することができる。
【０００８】
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
ワイヤーボンディング設備の動作部の構成の例を示す正面図である。
ワイヤーボンディング設備の動作部の構成の例を示す側面図である。
ワイヤーボンディングプロセスの例を示す図である。
実施の形態に関するワイヤーボンディングプロセスの例を示す図である。
実施の形態に関するワイヤーボンディングプロセスの例を示すフローチャートである。
実施の形態に関するワイヤーボンディングプロセスの例を示すフローチャートである。
実施の形態に関するワイヤーボンディングプロセスの例を示すフローチャートである。
実施の形態に関するワイヤーボンディングプロセスの例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるために、それらのすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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