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公開番号2025085389
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-05
出願番号2023199236
出願日2023-11-24
発明の名称半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20250529BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体チップを切り出すダイシング前の半導体ウェハにおいて、半導体ウェハ内の素子に関する情報の秘匿化が可能な半導体ウェハを提供する。
【解決手段】
半導体ウェハ100は、複数の半導体回路領域10と、半導体回路領域10間に設定されたダイシングストリートDSと、ダイシングストリートDS内に設けられ、破壊されたプロセス制御モニタ構造PCM1とを備えている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
複数の半導体回路領域と、
前記半導体回路領域間に設定されたダイシングストリートと、
前記ダイシングストリート内に設けられ、破壊されたプロセス制御モニタ構造と、
を備える半導体ウェハ。
続きを表示（約 840 文字）【請求項２】
前記プロセス制御モニタ構造は、破壊されたトランジスタを含む、
請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項３】
前記トランジスタは、レーザ光照射跡を有するトランジスタである、
請求項２に記載の半導体ウェハ。
【請求項４】
複数の前記半導体回路領域のうち、前記半導体ウェハの周辺に位置する半導体回路領域に隣接するダイシングストリートは、信号を出力できない構造を有するプロセス制御モニタ構造の中間体を含む、
請求項１に記載の半導体ウェハ。
【請求項５】
複数の半導体回路領域と、前記半導体回路領域間に設定されたダイシングストリートと、前記ダイシングストリート内に設けられたプロセス制御モニタ構造と、を備える半導体ウェハを用意する工程と、
前記プロセス制御モニタ構造に過電圧を加えて破壊する工程と、
を備える半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
複数の半導体回路領域と、前記半導体回路領域間に設定されたダイシングストリートと、前記ダイシングストリート内に設けられたプロセス制御モニタ構造と、を備える半導体ウェハを用意する工程と、
前記プロセス制御モニタ構造にレーザ光を照射して破壊する工程と、
を備える半導体ウェハの製造方法。
【請求項７】
複数の前記半導体回路領域のうち、前記半導体ウェハの周辺に位置する半導体回路領域に隣接するダイシングストリート内に、信号を出力できない構造を有するプロセス制御モニタ構造の中間体を形成する工程を備える、
請求項５又は請求項６に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項８】
プロセス制御モニタ構造の中間体を形成する工程は、
前記プロセス制御モニタ構造からの信号を出力するための構造の形成を阻害する工程を含む、
請求項７に記載の半導体ウェハの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体チップを含む半導体装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－８９６４８号公報
【０００４】
［概要］
本開示は、半導体チップを切り出すダイシング前の半導体ウェハにおいて、半導体ウェハ内の素子に関する情報の秘匿化が可能な半導体ウェハを提供する。
【０００５】
本開示の半導体ウェハは、複数の半導体回路領域と、前記半導体回路領域間に設定されたダイシングストリートと、前記ダイシングストリート内に設けられ、破壊されたプロセス制御モニタ構造とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、半導体ウェハの平面図である。
図２は、１つの単位露光領域Ｓ
Ｎ
の平面図である。
図３は、第１プロセス制御モニタ構造ＰＣＭ１の一例の平面図である。
図４は、第１プロセス制御モニタ構造ＰＣＭ１の他の一例の平面図である。
図５は、レーザ光で破壊された第１プロセス制御モニタ構造ＰＣＭ１の一例の平面図である。
図６は、ブラインド露光について説明するための１つの単位露光領域Ｓ
Ｎ
の平面図である。
図７は、コンタクト電極を有する半導体装置の縦断面図（図７（Ａ））、コンタクト電極を有さない半導体装置の縦断面図（図７（Ｂ））である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附することとし、重複する説明は省略する。
【０００８】
図１は、半導体ウェハ１００の平面図である。
【０００９】
ＸＹＺ三次元直交座標系を設定する。半導体ウェハ１００の厚み方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な方向をＸ軸方向とし、Ｚ軸及びＸ軸の双方に垂直な方向をＹ軸方向とする。半導体ウェハ１００の主表面は、ＸＹ平面である。なお、半導体ウェハ１００の外縁部に形成されるオリエンテーション・フラット又はノッチの記載は省略している。
【００１０】
半導体ウェハ１００は、複数の単位露光領域Ｓ
Ｎ
を含んでいる。縮小投影の分割露光を行う露光装置には、１回のショット露光で単位露光領域Ｓ
Ｎ
を露光するステッパーと、１回の走査露光により単位露光領域Ｓ
Ｎ
を露光するスキャナーがある。それぞれの単位露光領域Ｓ
Ｎ
は、露光装置による一回のショット又は走査による露光により形成される単位領域である。単位露光領域Ｓ
Ｎ
におけるＮは、自然数（１，２，３・・）である。それぞれの単位露光領域Ｓ
Ｎ
の平面形状は長方形である。この長方形の短辺の寸法と、長辺の寸法は、チップサイズに依存し、これらの寸法が等しい正方形であってもよい。これらの単位露光領域Ｓ
Ｎ
はマトリックス状に配置されている。一行目の左端に位置する単位露光領域を第１単位露光領域Ｓ
１
とする。ある単位露光領域の右隣の列に移動すると、Ｎの数が１つ増加する。Ｍを自然数（１，２，３・・）の行番号とする。本例のＭの最大値Ｍ
ＭＡＸ
は９である。Ｍ行目の右端におけるＮの番号の次の番号が、Ｍ＋１行目の左端のＮの番号となる。同図には、例示的に７９個（Ｎ＝１～７９）の単位露光領域Ｓ
Ｎ
が示されている。もちろん、単位露光領域のショット数及び行数の最大値は、チップサイズに依存し、本例の数に限定されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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