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公開番号2025084407
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2023198290
出願日2023-11-22
発明の名称半導体装置
出願人ローム株式会社
代理人弁理士法人佐野特許事務所
主分類G05F 3/08 20060101AFI20250527BHJP(制御;調整)
要約【課題】広い温度範囲に亘り、温度変化に対して変動しにくい信号を生成する。
【解決手段】半導体装置(10)は、対象信号を生成する対象信号生成回路(140)と、半導体装置における対象温度(TMP)を検出する温度検出回路(130)と、複数の校正データを保持するメモリ(110)と、を備える。対象信号生成回路は、温度検出回路の検出結果(DET)に基づき複数の補正データの何れかを選択的に用いて対象信号を調整する調整回路(ADJ)を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体装置において、
対象信号を生成するよう構成された対象信号生成回路と、
前記半導体装置における対象温度を検出するよう構成された温度検出回路と、
複数の校正データを保持するよう構成されたメモリと、を備え、
前記対象信号生成回路は、前記温度検出回路の検出結果に基づき前記複数の補正データの何れかを選択的に用いて前記対象信号を調整するよう構成された調整回路を有する
、半導体装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記複数の校正データは第１校正データ及び第２校正データを含み、
前記調整回路は、前記対象温度が第１温度範囲に属するときには前記第１校正データを用いて前記対象信号を調整し、前記対象温度が第２温度範囲に属するときには前記第２校正データを用いて前記対象信号を調整する
、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記調整回路は、前記対象信号の調整に用いる校正データを前記第１校正データから前記第２校正データを切り替える際、前記対象信号の調整に用いる校正データを段階的に前記第１校正データから前記第２校正データに変更する
、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記対象温度が前記第１温度範囲に属する第１評価状態での前記対象信号の測定結果に基づき前記第１校正データが決定され、
前記対象温度が前記第２温度範囲に属する第２評価状態での前記対象信号の測定結果に基づき前記第２校正データが決定される
、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記対象信号生成回路は前記対象信号として基準電圧を生成する基準電圧生成回路である
、請求項１～４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】
入力端子と、
前記入力端子に供給される入力電圧のレベルを、前記基準電圧を用いて監視するよう構成された電圧監視回路と、を更に備える
、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記対象信号生成回路は前記対象信号として基準電流を生成する基準電流生成回路である
、請求項１～４の何れかに記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置内で生成される信号の内、幾つかの信号は、温度変化に対して変動しにくい特性が求められる。例えば、他の電圧との比較に供される基準電圧が半導体装置内で生成され（下記特許文献１参照）、基準電圧は温度変化に対して変動しにくい特性が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１９－２２１０９９号公報
【０００４】
［概要］
広い温度範囲に亘り、温度変化に対して変動しにくい信号を生成する技術が求められる。
【０００５】
本開示の一態様に係る半導体装置は、対象信号を生成するよう構成された対象信号生成回路と、前記半導体装置における対象温度を検出するよう構成された温度検出回路と、複数の校正データを保持するよう構成されたメモリと、を備え、前記対象信号生成回路は、前記温度検出回路の検出結果に基づき前記複数の補正データの何れかを選択的に用いて前記対象信号を調整するよう構成された調整回路を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、本開示の実施形態に係るシステムの全体構成図である。
図２は、本開示の実施形態に係る半導体装置の概略内部ブロック図である。
図３は、本開示の実施形態に係り、調整回路が取り得る状態の説明図である。
図４は、本開示の実施形態に係り、複数の温度の関係を示す図である。
図５は、本開示の実施形態に係り、出荷時校正工程のフローチャートである。
図６は、本開示の実施形態に係り、出荷時校正工程に関わる部位のブロック図である。
図７は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、調整回路による調整が無かったと仮定した場合における基準電圧の温度依存性を示す図である。
図８は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、温度検出回路の構成図である。
図９は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、温度検出回路から出力される３つの信号と、４つの温度範囲並びに複数の温度との関係を示す図である。
図１０は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、対象温度と、半導体装置内における幾つかの電圧及び信号の関係を示す図である。
図１１は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、基準電圧生成回路と、その周辺回路と、を示す図である。
図１２は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、出荷時校正工程のフローチャートである。
図１３は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、調整回路による基準電圧の調整効果を説明するための図である。
図１４は、本開示の実施形態に属する第１実施例に係り、段階変更処理の説明図である。
図１５は、本開示の実施形態に属する第２実施例に係り、基準電流生成回路と、その周辺回路と、を示す図である。
図１６は、本開示の実施形態に属する第２実施例に係り、出荷時校正工程のフローチャートである。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、本開示の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、機能部、回路、素子又は部品等の名称を省略又は略記することがある。
【０００８】
まず、本開示の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。グランドとは、基準となる０Ｖ（ゼロボルト）の電位を有する基準導電部（reference conductor）を指す又は０Ｖの電位そのものを指す。基準導電部は金属等の導体を用いて形成されて良い。０Ｖの電位をグランド電位と称することもある。本開示の実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧はグランドから見た電位を表す。レベルとは電位のレベルを指し、任意の注目した信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。
【０００９】
本明細書において、ＭＯＳＦＥＴは“metal-oxide-semiconductor field-effect transistor”の略称である。ＭＯＳＦＥＴは、特に記述無き限り、エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであると解される。また、特に記述なき限り、任意のＭＯＳＦＥＴにおいて、バックゲートはソースに短絡されていると考えて良い。
【００１０】
任意の回路素子、配線、ノードなど、回路を形成する複数の部位間についての接続とは、特に記述なき限り、電気的な接続を指すと解して良い。
（【００１１】以降は省略されています）

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