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公開番号2025099275
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023215809
出願日2023-12-21
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/0239 20210101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】配線設計を容易化しつつ半導体発光装置に搭載可能な半導体発光素子の数の増加にも対応可能とする半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】半導体発光装置10は、半導体発光素子30Aと、半導体発光素子30Aを駆動する駆動回路40Aとを含む。駆動回路40Aは、半導体発光素子30Aを制御するスイッチング素子411と、半導体発光素子30Aに電流を供給するキャパシタ421とを含む。半導体発光装置10はさらに、スイッチング素子411とキャパシタ421とが埋め込まれた封止樹脂27と、封止樹脂27に設けられ、半導体発光素子30Aと駆動回路40Aとの導電経路を構成する導電部28とを含む。半導体発光素子30Aは、半導体発光素子30Aの実装面に対して交わる方向に光を出射する光出射素子により構成されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を駆動する駆動回路であって、
前記半導体発光素子を制御するスイッチング素子と、
前記半導体発光素子に電流を供給するキャパシタと
を含む前記駆動回路と、
前記駆動回路の少なくとも一部が埋め込まれた封止樹脂と、
前記封止樹脂に設けられ、前記半導体発光素子と前記駆動回路との導電経路を構成する導電部と、を備え、
前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子の実装面に対して交わる方向に光を出射する光出射素子により構成されている、半導体発光装置。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記半導体発光素子は、前記実装面に実装された複数の半導体発光素子のうちの一つであり、前記駆動回路は、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路のうちの一つである、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記導電部は、前記半導体発光素子の前記実装面を含む第１電極層を含み、
前記複数の半導体発光素子は、前記第１電極層の中央領域に集約配置されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記複数の半導体発光素子は、前記第１電極層の前記中央領域に互いに隣接して行列状に配置されている、請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子と前記キャパシタとのうちの少なくとも一方が前記封止樹脂に埋め込まれている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子と前記キャパシタとのうち少なくとも前記キャパシタが前記封止樹脂に埋め込まれており、
前記キャパシタは、平面視で前記半導体発光素子と重なる位置にて前記封止樹脂に埋め込まれている、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記キャパシタと前記スイッチング素子との双方が前記封止樹脂内で同一層位置に埋め込まれている、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記キャパシタは、前記封止樹脂に埋め込まれたシリコンキャパシタであり、
前記スイッチング素子は、前記封止樹脂に埋め込まれた縦型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記キャパシタは、前記封止樹脂に埋め込まれたシリコンキャパシタであり、
前記スイッチング素子は、前記封止樹脂から露出した前記導電部上に実装された窒化物半導体トランジスタである、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記キャパシタは、前記封止樹脂から露出した前記導電部上に実装されたセラミックキャパシタであり、
前記スイッチング素子は、前記封止樹脂に埋め込まれた縦型ＭＯＳＦＥＴである、請求項１に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の一つに、半導体レーザ素子を光源として備える半導体レーザ装置がある。半導体レーザ装置は、様々な電子機器に搭載される光源装置として広く採用されている。特許文献１は、半導体レーザ装置の一例を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－２９７１８号公報
【０００４】
［概要］
近年、半導体発光装置のさらなる性能向上が求められており、配線設計を容易化しつつ半導体発光装置に搭載可能な半導体発光素子の数の増加にも容易に対応可能とする構造が求められている。
【０００５】
本開示の一態様による半導体発光装置は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子を駆動する駆動回路と、を含む。前記駆動回路は、前記半導体発光素子を制御するスイッチング素子と、前記半導体発光素子に電流を供給するキャパシタと、を含む。前記半導体発光装置は、前記駆動回路の一部が埋め込まれた前記封止樹脂と、前記封止樹脂に設けられ、前記半導体発光素子と前記駆動回路との導電経路を構成する導電部とをさらに含む。前記半導体発光素子は、前記半導体発光素子の実装面に対して交わる方向に光を出射する光出射素子により構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係る例示的な半導体発光装置の上層側構造の概略平面図である。
図２は、図１の半導体発光装置の部分拡大平面図である。
図３は、図１の半導体発光装置の下層側構造の概略平面図である。
図４は、図２のＦ４－Ｆ４線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図５は、図２のＦ５－Ｆ５線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図６は、例示的な半導体発光素子の概略斜視図である。
図７は、図１の半導体発光装置を含む例示的な発光システムの概略回路図である。
図８は、図１の半導体発光装置の製造方法における例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図９は、図８に続く例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１０は、図９に続く例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１１は、図１０に続く例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１２は、図１１に続く例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１３は、図１２に続く例示的な製造工程を示す概略断面図である。
図１４は、第２実施形態に係る例示的な半導体発光装置の上層側構造の概略平面図である。
図１５は、図１４の半導体発光装置の下層側構造の概略平面図である。
図１６は、第３実施形態に係る例示的な半導体発光装置の上層側構造の概略平面図である。
図１７は、図１６の半導体発光装置の部分拡大平面図である。
図１８は、図１６の半導体発光装置の下層側構造の概略平面図である。
図１９は、図１７のＦ１９－Ｆ１９線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２０は、図１７のＦ２０－Ｆ２０線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２１は、第４実施形態に係る例示的な半導体発光装置の上層側構造の概略平面図である。
図２２は、図２１の半導体発光装置の部分拡大平面図である。
図２３は、図２１の半導体発光装置の下層側構造の概略平面図である。
図２４は、図２２のＦ２４－Ｆ２４線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２５は、図２２のＦ２５－Ｆ２５線に沿って切断した半導体発光装置の概略断面図である。
図２６は、半導体発光素子実装用の表面実装パッケージを含む半導体発光装置の概略断面図である。
図２７は、光反射素子と端面発光素子との組み合わせを用いた別例の半導体発光装置の概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
［第１実施形態］
図１～図１３を参照して第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の上層側平面構造を示し、図２は、図１の半導体発光装置１０の一部（左下領域）の構造を拡大して示したものである。図３は、半導体発光装置１０の下層側平面構造を示す。図４は、図２のＦ４－Ｆ４線に沿った概略断面構造を示し、図５は、図２のＦ５－Ｆ５線に沿った概略断面構造を示す。図６は、例示的な半導体発光素子の概略斜視図である。図７は、半導体発光装置１０を含む発光システム２００の概略回路を示す。図８～図１３は、半導体発光装置１０の例示的な製造方法を示す概略断面図である。
【００１０】
なお、本開示では、図中に示された互いに直交するＸＹＺ軸に基づいて構成部材を説明する場合がある。本開示において使用される「平面視」という用語は、Ｚ軸方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。
（【００１１】以降は省略されています）

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