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公開番号2025099276
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023215810
出願日2023-12-21
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/0239 20210101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体発光装置に搭載可能な半導体発光素子の数を増大させること。
【解決手段】半導体発光装置10は、基板20と、基板20上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子30と、基板20上に設けられ、複数の半導体発光素子30のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路40A～40Hと、基板20上に設けられ、複数の半導体発光素子30から出射された光を基板20に交差する方向に反射する光反射素子50とを備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路と、
前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向に反射する光反射素子と、
を備える半導体発光装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記複数の半導体発光素子は、
前記基板に平行な第１方向に光を出射するように配向された第１の半導体発光素子と、
前記第１方向とは反対方向の第２方向に光を出射するように配向された第２の半導体発光素子と、を含み、
前記光反射素子は、前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子との間に位置して前記第１および第２の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記光反射素子は、第１の光入射面と、前記第１の光入射面と反対側の第２の光入射面とを含み、
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つである、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記複数の半導体発光素子は、
前記基板に平行かつ前記第１および第２方向と直交する第３方向に光を出射するように配向された第３の半導体発光素子と、
前記第３方向と反対方向の第４方向に光を出射するように配向された第４の半導体発光素子と、をさらに含み、
前記第１の半導体発光素子、前記第２の半導体発光素子、前記第３の半導体発光素子、および前記第４の半導体発光素子は、前記光反射素子の四方に隣接して位置し、
前記光反射素子は、前記第１～第４の半導体発光素子の各々から出射された光を反射するように構成されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記光反射素子は、第１の光入射面と、前記第１の光入射面と反対側の第２の光入射面と、前記第１および第２の光入射面に連なる第３の光入射面と、前記第１および第２の光入射面に連なりかつ前記第３の光入射面と反対側の第４の光入射面と、を含み、
前記第１の半導体発光素子は、前記第１の光入射面に沿って設けられた複数の第１の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第２の半導体発光素子は、前記第２の光入射面に沿って設けられた複数の第２の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第３の半導体発光素子は、前記第３の光入射面に沿って設けられた複数の第３の半導体発光素子のうちの一つであり、
前記第４の半導体発光素子は、前記第４の光入射面に沿って設けられた複数の第４の半導体発光素子のうちの一つである、請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記光反射素子は、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向において同じ方向に反射するように構成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記光反射素子は、ミラーまたは回折格子である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記複数の駆動回路は各々、
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上を制御するスイッチング素子と、
前記複数の半導体発光素子のうちの前記一つ以上に電流を供給するキャパシタと、を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記キャパシタは、前記複数の駆動回路の各々に設けられた複数のキャパシタのうちの１つである、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記キャパシタは、セラミックキャパシタまたはシリコンキャパシタである、請求項８に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 2,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置の一つに、半導体レーザ素子を光源として備える半導体レーザ装置がある。半導体レーザ装置は、様々な電子機器に搭載される光源装置として広く採用されている。特許文献１は、半導体レーザ装置の一例を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－２９７１８号公報
【０００４】
［概要］
近年、半導体発光装置のさらなる性能向上が求められている。一例として、３次元距離計測を利用するＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging、Laser Imaging Detection and Ranging）などのレーザシステムに半導体発光装置を適用する場合、視野角の拡大および解像度の向上などが求められる。このような要求に対し、半導体発光装置に搭載可能とする半導体発光素子の数をさらに増大することが求められている。
【０００５】
本開示の一態様による半導体発光装置は、基板と、前記基板上に設けられ、端面発光素子により各々構成された複数の半導体発光素子と、前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子のうちの一つ以上を各々駆動する複数の駆動回路と、前記基板上に設けられ、前記複数の半導体発光素子から出射された光を前記基板に交差する方向に反射する光反射素子とを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係る例示的な半導体発光装置の概略平面図である。
図２は、図１の半導体発光装置の中央領域部分を拡大して示す概略平面図である。
図３は、図１の半導体発光装置の周辺領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
図４は、図１の半導体発光装置の周辺領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
図５は、図１の半導体発光装置の周辺領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
図６は、図１の半導体発光装置の周辺領域の一部を拡大して示す概略平面図である。
図７は、図３のＦ７－Ｆ７線に沿った半導体発光装置の概略断面図である。
図８は、図２のＦ８－Ｆ８線に沿った半導体発光装置の概略断面図である。
図９は、図１の半導体発光装置の裏面電極層の概略平面図である。
図１０は、図１の半導体発光装置の中間電極層の概略平面図である。
図１１は、図１の半導体発光装置の電流経路を示す概略断面図である。
図１２は、図１の半導体発光装置を含む例示的な発光システムの概略回路図である。
図１３は、第２実施形態に係る例示的な半導体発光装置の概略平面図である。
図１４は、図１３の半導体発光装置の中央部を拡大して示す概略平面図である。
図１５は、図１３の半導体発光装置の表面電極層の一部を拡大して示す概略平面図である。
図１６は、図１３の半導体発光装置の表面電極層の一部を拡大して示す概略平面図である。
図１７は、図１３の半導体発光装置の表面電極層の一部を拡大して示す概略平面図である。
図１８は、図１３の半導体発光装置の表面電極層の一部を拡大して示す概略平面図である。
図１９は、図１３の半導体発光装置の裏面電極層の概略平面図である。
図２０は、図１３の半導体発光装置の表面側中間電極層の概略平面図である。
図２１は、図１３の半導体発光装置の裏面側中間電極層の概略平面図である。
図２２は、図１３の半導体発光装置を含む例示的な発光システムの概略回路図である。
図２３は、別例の半導体発光装置を示す概略平面図である。
【０００７】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するものに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【０００８】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
【０００９】
［第１実施形態］
図１～図１２を参照して第１実施形態の半導体発光装置１０について説明する。
図１は、半導体発光装置１０の概略平面構造を示す。図２は、半導体発光装置１０の中央部分の概略平面構造を示す。図３～図６は、半導体発光装置１０の周辺領域の４つの異なる部分の概略平面構造を示す。図７は、図３のＦ７－Ｆ７線に沿った概略断面構造を示し、図８は、図２のＦ８－Ｆ８線に沿った概略断面構造を示す。図９は、半導体発光装置１０の概略的な裏面電極構造を示し、図１０は、半導体発光装置１０の概略的な中間電極構造を示す。図１１は、半導体発光装置１０の電流経路を説明する図であり、図１２は、半導体発光装置１０を含む発光システム２００の概略回路を示す。
【００１０】
なお、本開示では、図中に示された互いに直交するＸＹＺ軸に基づいて構成部材を説明する場合がある。本開示において使用される「平面視」という用語は、Ｚ軸方向に半導体発光装置１０を視ることをいう。本開示では、説明を目的として、Ｙ軸に沿った一方向（例えば、図１において下側から上側に向かう方向）を第１方向Ｄ１と定義し、Ｙ軸に沿った他方向、すなわち第１方向Ｄ１と反対の方向を第２方向Ｄ２と定義する。また、Ｘ軸に沿った一方向（例えば、図１において左側から右側に向かう方向）を第３方向Ｄ３と定義し、Ｘ軸に沿った他方向、すなわち第３方向Ｄ３と反対の方向を第４方向Ｄ４と定義する。ただし、第１～第４方向Ｄ１～Ｄ４はここで定義する方向に限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

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