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公開番号2025102405
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-08
出願番号2023219835
出願日2023-12-26
発明の名称半導体部品用洗浄剤の製造方法
出願人東亞合成株式会社
代理人弁理士法人あいち国際特許事務所
主分類B01J 39/05 20170101AFI20250701BHJP(物理的または化学的方法または装置一般)
要約【課題】洗浄剤自体に含まれる金属イオンの量を容易に低減することができる半導体部品用洗浄剤の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体部品用洗浄剤には、カルボキシ基及び/またはスルホン酸基を有する重合体と水系媒体とが含まれている。洗浄剤の製造方法は、洗浄剤を吸着材が充填された精製カラム3に供給することにより、洗浄剤中の金属イオンを吸着材に吸着させる精製工程を含む。吸着材は陽イオン交換樹脂及びキレート樹脂からなる群より選択される1種または2種以上の樹脂である。精製工程において、吸着材のうち最も充填量の多い樹脂の体積を基準としたときの空間速度が8.0h^-1以下となるように洗浄剤を精製カラム3に供給する。
【選択図】図1

特許請求の範囲【請求項１】
カルボキシ基及び／またはスルホン酸基を有する重合体と水系媒体とを含む半導体部品用洗浄剤の製造方法であって、
前記洗浄剤を吸着材が充填された精製カラムに供給することにより、前記洗浄剤中の金属イオンを前記吸着材に吸着させる精製工程を含み、
前記吸着材が陽イオン交換樹脂及びキレート樹脂からなる群より選択される１種または２種以上の樹脂であり、
前記精製工程において、前記吸着材のうち最も充填量の多い樹脂の体積を基準としたときの空間速度が８．０ｈ
-1
以下となるように前記洗浄剤を前記精製カラムに供給する、半導体部品用洗浄剤の製造方法。
続きを表示（約 860 文字）【請求項２】
前記吸着材が陽イオン交換樹脂である、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項３】
前記吸着材が強酸性陽イオン交換樹脂である、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項４】
前記吸着材がマクロリテキュラー型陽イオン交換樹脂またはマクロポーラス型陽イオン交換樹脂である、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項５】
前記精製カラムが、前記吸着材としてのキレート樹脂が充填された第１精製カラムと、前記吸着材としての陽イオン交換樹脂が充填され、前記第１精製カラムの下流に接続された第２精製カラムとを有しており、前記精製工程において前記洗浄剤を前記第１精製カラムに供給する、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項６】
前記陽イオン交換樹脂が強酸性陽イオン交換樹脂である、請求項５に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項７】
前記陽イオン交換樹脂がマクロリテキュラー型陽イオン交換樹脂またはマクロポーラス型陽イオン交換樹脂であり、前記キレート樹脂がマクロリテキュラー型キレート樹脂またはマクロポーラス型キレート樹脂である、請求項５に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項８】
前記製造方法は、前記洗浄剤中の不純物のうち、前記吸着材により吸着される前記金属イオン以外の不純物の含有量を低減する前処理工程をさらに有しており、前記前処理工程を行った後に前記精製工程を行う、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項９】
前記精製工程を２回以上繰り返して行う、請求項１に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【請求項１０】
前記精製工程が完了した後における前記洗浄剤中の前記金属イオンの含有量が、個々の元素について７０質量ｐｐｂ以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品用洗浄剤の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは情報通信機器や家電製品等、身近にある電子機器の殆ど全てに用いられており、現代の生活に必要不可欠である。近年、ＩｏＴの普及やクラウドの活用等によって半導体デバイスが担う役割は更に大きくなっている。これまでに半導体チップの高集積化、大容量化は著しい速度で達成されてきたが、高性能化への要求は留まることなく、微細加工技術の重要性はますます高まっている。
【０００３】
半導体デバイスの高性能化を実現するためには、例えばシリコン基板の表面を高品位の表面となるように研磨するポリシング工程や、シリコン基板上に形成された絶縁層や配線層を研磨する化学機械研磨（ＣＭＰ）工程等の、ウエハの表面を所望の品質となるように研磨する工程が極めて重要である。また、研磨が完了した後のウエハには、ウエハや研磨剤、研磨液等に由来する異物が残留している。これらの異物は半導体デバイスの欠陥の原因となることがあるため、研磨が完了した後にウエハの洗浄が行われている。
【０００４】
ウエハの洗浄に用いられる洗浄剤として、例えば特許文献１には、スルホン酸（塩）基を有する（共）重合体を主成分とする半導体部品用洗浄剤が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００１－６４６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載された洗浄剤には、洗浄剤自体に金属イオンが含まれており、洗浄後のウエハの表面が洗浄体自体に含まれる金属イオンによって汚染されるという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、洗浄剤自体に含まれる金属イオンの量を容易に低減することができる半導体部品用洗浄剤の製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、以下の〔１〕～〔１０〕に係る半導体部品用洗浄剤の製造方法にある。
【０００９】
〔１〕カルボキシ基及び／またはスルホン酸基を有する重合体と水系媒体とを含む半導体部品用洗浄剤の製造方法であって、
前記洗浄剤を吸着材が充填された精製カラムに供給することにより、前記洗浄剤中の金属イオンを前記吸着材に吸着させる精製工程を含み、
前記吸着材が陽イオン交換樹脂及びキレート樹脂からなる群より選択される１種または２種以上の樹脂であり、
前記精製工程において、前記吸着材のうち最も充填量の多い樹脂の体積を基準としたときの空間速度が８．０ｈ
-1
以下となるように前記洗浄剤を前記精製カラムに供給する、半導体部品用洗浄剤の製造方法。
【００１０】
〔２〕前記吸着材が陽イオン交換樹脂である、〔１〕に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
〔３〕前記吸着材が強酸性陽イオン交換樹脂である、〔１〕に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
〔４〕前記吸着材がマクロリテキュラー型陽イオン交換樹脂またはマクロポーラス型陽イオン交換樹脂である、〔１〕に記載の半導体部品用洗浄剤の製造方法。
（【００１１】以降は省略されています）

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