特許ウォッチ

公開番号2025104295
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2024220595
出願日2024-12-17
発明の名称レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/039 20060101AFI20250702BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好なラインエッジラフネスを有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(I)で表される構造単位及び式(III)で表される構造単位を含む第1樹脂、式(III)で表される構造単位を含む第2樹脂並びに酸発生剤を含有するレジスト組成物。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025104295000185.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">45</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">125</com:WidthMeasure> </com:Image>
[式中、X¹は、単結合、-O-、-CO-O-等;X²は単結合又は-CO-O-;L¹及びL²は其々単結合又は置換/非置換の炭化水素基、該基に含まれる-CH₂-は、-O-、-S-、-SO₂-又は-CO-に置き換わっていてもよい;R^Aは飽和炭化水素基;X³は単結合又は-CO-を表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表される構造単位及び式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第１樹脂、
式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第２樹脂、並びに、
酸発生剤を含有するレジスト組成物。
TIFF
2025104295000175.tif
37
86
［式（Ｉ）中、
Ｒ
０
は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｘ
１
は、単結合、＊－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－ＮＲ
３
－＊＊、＊－ＮＲ
３
－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ
３
－＊＊又は＊－Ａｘ－Ｐｈ－Ａｙ－＊＊を表す。
Ｒ
３
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ａｘ及びＡｙは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種以上の結合種を表す。
＊及び＊＊は、結合部位を表し、＊は、Ｒ
０
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
Ａ
は、炭素数１～１２の飽和炭化水素基を表す。
ｕ１は、０～２のいずれかの整数を表し、ｕ１が２である場合、複数のＲ
Ａ
は同一であるか、相異なる。
ｓ１は、１又は２を表す。
ｔ１は、０又は１を表す。但し、ｓ１とｔ１との和は、１又は２である。］
TIFF
2025104295000176.tif
40
97
［式（ＩＩＩ）中、
Ｒ
４
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
２
は、単結合又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す。＊は、Ｒ
４
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ｌ
２
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１～２８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｘ
３
は、単結合、－Ｃ（ＣＦ
３
）
２
－又は－ＣＯ－を表す。
ｍｋは、１～４のいずれかの整数を表す。］
続きを表示（約 4,200 文字）【請求項２】
Ｘ
１
が、単結合又は式（Ｘ
１
－１）～式（Ｘ
１
－１０）で表される基のいずれかで表される基である請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000177.tif
44
166
［式（Ｘ
１
－１）～式（Ｘ
１
－１０）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊はＲ
０
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｒｘは、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１～６のフッ化アルキル基、炭素数１～１８のアルキル基又は炭素数１～６のアルコキシ基を表す。
ｍｘは、０～４のいずれかの整数を表す。
Ｘ
２０
は、－Ｏ－又は－ＮＲ
３
－を表す。
Ｒ
３
、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。］
【請求項３】
Ｘ
１
が、単結合又は式（Ｘ
１
－１’）、式（Ｘ
１
－３’）～式（Ｘ
１
－１０’）で表される基のいずれかである請求項２に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000178.tif
43
120
［式（Ｘ
１
－１’）、式（Ｘ
１
－３’）～式（Ｘ
１
－１０’）中、
＊、＊＊は結合部位であり、＊＊はＬ
1
との結合部位を表す。］
【請求項４】
Ｌ
１
が、単結合、炭素数１～４の鎖式炭化水素基（該鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）又は炭素数１～４の鎖式炭化水素基と炭素数３～１８の脂環式炭化水素基とを組み合わせてなる基（該鎖式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。）である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
式（ＩＩＩ）で表される構造単位が、式（ＩＩＩ－Ｃ）で表される構造単位である請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000179.tif
38
90
［式（ＩＩＩ－Ｃ）中、
Ｒ
４
、Ｘ
２
、Ｘ
３
及びｍｋは、式（ＩＩＩ）中と同じ意味を表す。
Ｌ
２５
は、単結合又は＊－（Ｌ
２６
－Ｘ
２１
）
ｎｂ
－を表し、＊は、Ｘ
２
との結合部位表す。
Ｌ
２６
は、炭素数１～８のアルカンジイル基を表す。
Ｘ
２１
は、－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－又は－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－を表す。
ｎｂは、０又は１を表す。］
【請求項６】
第２樹脂が、さらに、酸不安定基を有する構造単位を含む請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－４）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を含む請求項６に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000180.tif
44
144
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
a01
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
a01
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
a02
、Ｒ
a03
及びＲ
a04
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
ｍ１’は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025104295000181.tif
32
118
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
ａ１
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ１７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ１１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ１８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ１８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ１
は、単結合又はカルボニル基を表す。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
ｎａ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎａ１が、２以上のとき、複数の括弧内の基は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ１１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ１１が２以上のとき、複数のＲ
ａ１７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025104295000182.tif
45
58
［式（ａ１－５）中、
Ｒ
a8
は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
【請求項８】
酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩を含む請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000184.tif
13
95
［式（Ｂ１）中、
Ｌ
b1
は、単結合又は置換基を有してもよい（ｎｂ１＋１）価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－に置き換わっていてもよい。
Ｌ
b2
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～２４の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－で置き換わっていてもよい。
Ｙ
b1
は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
2
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｎｂ１は、１～６のいずれかの整数を表す。ｎｂ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
Ｚ１
＋
は、有機カチオンを表す。］
【請求項９】
酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩をさらに含有する請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
（１）請求項１～９のいずれかに記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。
続きを表示（約 3,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記構造単位を含む樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025104295000001.tif
40
134
【０００３】
特許文献２には、下記構造単位を含む樹脂と酸発生剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025104295000002.tif
32
59
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－０６７０１５号公報
特開２００１－３４３７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記レジスト組成物から形成されたレジストパターンよりも、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が良好なレジストパターンを形成するレジスト組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される構造単位及び式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第１樹脂、
式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第２樹脂、並びに、
酸発生剤を含有するレジスト組成物。
TIFF
2025104295000003.tif
37
86
［式（Ｉ）中、
Ｒ
０
は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｘ
１
は、単結合、＊－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－ＣＯ－ＮＲ
３
－＊＊、＊－ＮＲ
３
－ＣＯ－Ｏ－＊＊、＊－Ｏ－ＣＯ－ＮＲ
３
－＊＊又は＊－Ａｘ－Ｐｈ－Ａｙ－＊＊を表す。
Ｒ
３
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｐｈは、置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。
Ａｘ及びＡｙは、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、チオエーテル結合、エステル結合、アミド結合及び炭酸エステル結合から構成される群から選択される１種以上の結合種を表す。
＊及び＊＊は、結合部位を表し、＊は、Ｒ
０
が結合した炭素原子との結合部位を表す。
Ｌ
１
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～３６の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｒ
Ａ
は、炭素数１～１２の飽和炭化水素基を表す。
ｕ１は、０～２のいずれかの整数を表し、ｕ１が２である場合、複数のＲ
Ａ
は同一であるか、相異なる。
ｓ１は、１又は２を表す。
ｔ１は、０又は１を表す。但し、ｓ１とｔ１との和は、１又は２である。］
TIFF
2025104295000004.tif
40
97
［式（ＩＩＩ）中、
Ｒ
４
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
２
は、単結合又は＊－ＣＯ－Ｏ－を表す。＊は、Ｒ
４
が結合する炭素原子との結合部位を表す。
Ｌ
２
は、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１～２８の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
Ｘ
３
は、単結合、－Ｃ（ＣＦ
３
）
２
－又は－ＣＯ－を表す。
ｍｋは、１～４のいずれかの整数を表す。］
〔２〕Ｘ
１
が、単結合又は式（Ｘ
１
－１）～式（Ｘ
１
－１０）のいずれかで表される基である〔１〕に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025104295000005.tif
45
167
［式（Ｘ
１
－１）～式（Ｘ
【発明の効果】
【０００７】
本発明レジスト組成物を用いることにより、良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも一種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の表記も、同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
Ｘ
－（Ｘは任意の符号）又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により単結合（－Ｃ－Ｃ－基）となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。酸不安定基とは、後述するように、酸（例えばトリフルオロメタンスルホン酸）と接触すると、酸不安定基が脱離して、カルボキシ基又はヒドロキシ基を形成する基を意味する。塩基不安定基とは、後述するように、塩基（例えば、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水性基（例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等）を形成する基を意味する。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合部位に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００９】
〔レジスト組成物〕
本発明のレジスト組成物は、
式（Ｉ）で表される構造単位及び式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第１樹脂、
式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第２樹脂、並びに、酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）を含有する。
本発明のレジスト組成物は、酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩等のクエンチャー（以下「クエンチャー（Ｃ）」という場合がある）を含有することが好ましく、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）を含有することが好ましい。
【００１０】
＜樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、２以上の樹脂を含み、少なくとも
式（Ｉ）で表される構造単位及び式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第１樹脂（以下「樹脂（Ａ１）」という場合がある）、並びに、
式（ＩＩＩ）で表される構造単位を含む第２樹脂（以下「樹脂（Ａ２）」という場合がある）を含む。
樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）は、いずれも、酸不安定基を含む樹脂であり、以下「樹脂（Ａ）」という場合がある。
樹脂（Ａ）は、後述するような、樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂を含んでいてもよい。樹脂（Ａ２）は、式（ＩＩＩ）で表される構造単位以外に、酸不安定基を有する構造単位を含むことが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許