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公開番号2025139257
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-26
出願番号2024038092
出願日2024-03-12
発明の名称発光装置
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類G09F 9/30 20060101AFI20250918BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】画素駆動回路を構成するトランジスタが、より小さい領域に配置された発光装置を提供する。
【解決手段】一様態は、隣り合う副画素の駆動トランジスタのゲートが、第1方向において重ならないように配され、該副画素と第2方向で隣り合う副画素においても、駆動トランジスタのゲートが、第1方向において重ならないように配されている発光装置。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
それぞれ複数の副画素を有する、複数の画素を有し、
前記複数の画素は、第１方向において互いに隣接する第１画素及び第２画素と、前記第１方向において互いに隣接する第３画素及び第４画素と、を含み、
前記第１画素及び前記第２画素は、前記第１方向と交差する第２方向において、前記第３画素及び前記第４画素と隣接し、
前記複数の副画素はそれぞれ、基板の主面の上に配された発光素子と、前記発光素子に接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに接続された書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのソースまたはドレインの一方とゲートとの間に配される第１容量素子と、を有し、
前記複数の副画素は、第１副画素及び第２副画素を含み、
前記第１副画素及び前記第２副画素それぞれにおいて、前記主面に対する平面視における前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記平面視における前記書き込みトランジスタのゲートより大きく、
前記第１画素の前記第１副画素と前記第２画素の前記第２副画素は、前記第１方向において隣接し、
前記第３画素の前記第１副画素と前記第４画素の前記第２副画素は、前記第１方向において隣接し、
前記第１方向において、前記第１画素の前記第１副画素の前記駆動トランジスタのゲートと前記第２画素の前記第２副画素の前記駆動トランジスタのゲートは、互いに重ならず、
前記第１方向において、前記第３画素の前記第１副画素の前記駆動トランジスタのゲートと前記第４画素の前記第２副画素の前記駆動トランジスタのゲートは、互いに重ならない発光装置。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記複数の画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に配される第３副画素を有し、
前記第１画素において、前記第１副画素の前記駆動トランジスタの前記ゲートと、前記第３副画素の前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記第１方向において重ならず、
前記第１画素において、前記第３副画素の前記駆動トランジスタの前記ゲートと、前記第２副画素の前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記第１方向において重ならない請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１画素及び前記第２画素において、前記駆動トランジスタのソースからドレインに向かう方向は、同じ方向である請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の副画素は、それぞれ、第１電源配線と前記駆動トランジスタの間に配された発光制御トランジスタと、前記発光制御トランジスタのソースとドレインの間に配された第２容量素子と、を有し、
前記第１画素及び前記第２画素において、前記平面視における前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記平面視における前記発光制御トランジスタのゲートより大きい請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１画素及び前記第２画素に含まれる書き込みトランジスタのゲートは、前記第１方向において、少なくとも一部重なっている請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に配される第３副画素を有し、
前記第１画素の前記第１副画素の前記発光制御トランジスタのゲートは、前記第１方向において、前記第２画素の前記第３副画素の前記発光制御トランジスタのゲートと、少なくとも一部重なっている請求項４に記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の副画素は、それぞれ、ソース及びドレインの一方が、前記発光素子及び前記発光制御トランジスタに接続され、前記ソース及び前記ドレインの他方が第２電源配線に接続された、リセットトランジスタを有する請求項４に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１画素及び前記第２画素において、前記平面視における前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記平面視における前記リセットトランジスタのゲートより大きい請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記複数の画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に配される第３副画素を有し、
前記第１画素の前記第１副画素の前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記第１方向において、前記第１画素の前記第３副画素の発光制御トランジスタのゲートと、前記第２画素の前記第２副画素の前記発光制御トランジスタのゲートの間に配されている請求項７に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記複数の画素は、前記第１副画素と前記第２副画素の間に配される第３副画素を有し、
前記第１画素の前記第１副画素の前記発光制御トランジスタのゲートは、前記第１方向において、前記第１画素の前記第３副画素の書き込みトランジスタのゲートと、前記第１画素の前記第１副画素の前記書き込みトランジスタのゲートの間に配されている請求項７に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置に関するものであり、例えば、有機ＥＬ素子を有する発光装置に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板にアレイ状に配置されている駆動回路を含む駆動回路アレイ基板と、駆動回路上部にアレイ状に配置され当該駆動回路によって駆動される発光素子とを有する表示装置が開示されている。特許文献１では、基板のウェルタップを複数の駆動回路の一部に設けることにより、駆動回路アレイを高精細化することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１６４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光装置における画素の微細化に伴い、画素駆動回路を構成するトランジスタをより小さい領域に配置することが求められる。特許文献１では、トラジスタの配置については、何ら検討されていない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態の一様態は、それぞれ複数の副画素を有する、複数の画素を有し、前記複数の画素は、第１方向において互いに隣接する第１画素及び第２画素と、前記第１方向において互いに隣接する第３画素及び第４画素と、を含み、前記第１画素及び前記第２画素は、前記第１方向と交差する第２方向において、前記第３画素及び前記第４画素と隣接し、前記複数の副画素はそれぞれ、基板の主面の上に配された発光素子と、前記発光素子に接続された駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに接続された書き込みトランジスタと、前記駆動トランジスタのソースまたはドレインの一方とゲートとの間に配される第１容量素子と、を有し、前記複数の副画素は、第１副画素及び第２副画素を含み、前記第１副画素及び前記第２副画素それぞれにおいて、前記主面に対する平面視における前記駆動トランジスタの前記ゲートは、前記平面視における前記書き込みトランジスタのゲートより大きく、前記第１画素の前記第１副画素と前記第２画素の前記第２副画素は、前記第１方向において隣接し、前記第３画素の前記第１副画素と前記第４画素の前記第２副画素は、前記第１方向において隣接し、前記第１方向において、前記第１画素の前記第１副画素の前記駆動トランジスタのゲートと前記第２画素の前記第２副画素の前記駆動トランジスタのゲートは、互いに重ならず、前記第１方向において、前記第３画素の前記第１副画素の前記駆動トランジスタのゲートと前記第４画素の前記第２副画素の前記駆動トランジスタのゲートは、互いに重ならない発光装置に関する。
【発明の効果】
【０００６】
発光装置の画素駆動回路を微細化し、発光装置の高精細化や小型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施の形態に係る発光装置の一部の一例のシステム図
実施の形態に係る発光装置の副画素の一例の回路図
本発明の実施の形態に係るトランジスタの一例の平面図
実施の形態１に係る発光装置の一部の一例の平面図
実施の形態２に係る発光装置の一部の一例の平面図
実施の形態３に係る発光装置の副画素の一例の回路図
実施の形態３に係る発光装置の一部の一例の平面図
実施の形態４に係る発光装置の副画素の一例の回路図
実施の形態４に係る発光装置の一部の一例の平面図
実施の形態に係る発光装置の上層における副画素の一例の外縁を説明するための平面図
実施の形態４に係る発光装置の一部の一例の断面図
実施の形態５に係る表示装置の画素の一例を表す概略断面図である。
実施の形態５に係る表示装置の一例を表す模式図である。
（ａ）実施の形態５に係る撮像装置の一例を表す模式図である。（ｂ）実施の形態５に係る電子機器の一例を表す模式図である。
（ａ）実施の形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。（ｂ）折り曲げ可能な表示装置の一例を表す模式図である。
（ａ）実施の形態に係るウェアラブルデバイスの一例を示す模式図である。（ｂ）実施の形態に係るウェアラブルデバイスの一例で、撮像装置を有する形態を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら本実施の形態に係る発光装置について説明する。尚、以下の実施の形態は、いずれも本実施の形態の一例を示すものであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、本発明を限定するものではない。
【０００９】
［実施の形態１］
以下では、発光素子の一例である有機発光素子の電極（ここではアノード）に駆動トランジスタが接続され、トランジスタが全てＰ型トランジスタである場合について説明するが、本実施の形態の発光装置はこれに限定されない。極性、及び導電型が全て逆であってもよく、一部が逆であっても良い。例えば、駆動トランジスタがＰ型トランジスタであり、他のトランジスタがＮ型トランジスタであってもよく、適宜、導電型と極性に合わせて、供給される電位や接続を変更すれば良い。また、各図面において同じ符号が付されている部分は、同じ部位または同様の機能を有する部分を指す。
【００１０】
図１は、本実施の形態に係る発光装置の一部の一例の概略を示すシステム図である。図１に示すように、発光装置１００の一例である有機ＥＬ表示装置は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。画素アレイ部１０３は、行列状に２次元配置された複数の画素１０１を有し、各画素１０１は、複数の副画素１０２を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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