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公開番号2025119793
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-15
出願番号2024014807
出願日2024-02-02
発明の名称発光装置
出願人キヤノン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H10D 84/80 20250101AFI20250807BHJP()
要約【課題】画素のリーク電流が低減された発光装置を提供する。
【解決手段】本開示は、発光素子と、シリコン基板の第1面の上に設けられた第1トランジスタおよび第2トランジスタと、前記第1トランジスタに画像信号を供給する周辺回路に設けられた第3トランジスタと、を有し、前記第1トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記第2トランジスタのゲート電極に接続され、前記第2トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記発光素子に接続されている発光装置であって、
前記第1トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、Halo注入層を有し、前記Halo注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であることを特徴とする発光装置を提供する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
発光素子と、
シリコン基板の第１面の上に設けられた第１トランジスタおよび第２トランジスタと、
前記第１トランジスタに画像信号を供給する周辺回路に設けられた第３トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、
前記第２トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記発光素子に接続されている発光装置であって、
前記第１トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であることを特徴とする発光装置。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記第２トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、前記拡散領域の極性と逆の極性であるＨａｌｏ注入層を有さないことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第３トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度と異なることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度よりも高いことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子に電流を供給する電源と、前記第２トランジスタと、の間に配された第４トランジスタを有し、
前記第４トランジスタは、ソース及びドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であり、
前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第４トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度と異なることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第４トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度よりも高いことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第４トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度と同じであることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第２トランジスタの前記ドレインまたは前記ソースのうち前記発光素子と接続されている端子と、前記発光素子に電流を供給する電源よりも低い電位の端子と、の間に配された第５トランジスタを有し、
前記第５トランジスタは、前記ソース、前記ドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であり、
前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第５トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度と異なることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第５トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度は、前記第３トランジスタの前記Ｈａｌｏ注入層における不純物濃度のピーク濃度よりも高いことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関するものであり、例えば、発光素子を有する発光装置、それを有する表示装置、電子機器に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、素子に流れる電流に応じた輝度で発光する発光素子をアレイ上に有する表示装置が知られ、有機ＥＬ素子などが発光素子として用いられている。これら表示装置はその用途を大きく広げ、用途に応じて高精細化、高機能化が求められている。
【０００３】
特許文献１には、有機発光素子の駆動回路における駆動トランジスタのソース、ドレインにおいて、電気抵抗を低減するために、シリサイド層を有する表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－７１３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載のトランジスタのソース・ドレインにはシリサイド層が配されている。このシリサイド層により、トランジスタの抵抗を低減することができる。しかし、シリサイド層を設けることにより、リーク電流の発生等、発光素子の特性を低下させることもありうる。
【０００６】
そこで、本発明は、リーク電流が低減された発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、発光素子と、シリコン基板の第１面の上に設けられた第１トランジスタおよび第２トランジスタと、前記第１トランジスタに画像信号を供給する周辺回路に設けられた第３トランジスタと、を有し、前記第１トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記発光素子に接続されている発光装置であって、
前記第１トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であることを特徴とする発光装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、リーク電流が低減された発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本実施形態に係る発光装置の一例の概略図である。
実施形態１に係る発光装置の画素回路の一例を表す回路図である。
実施形態１に係る発光装置の回路の一例を表す平面図である。
実施形態１に係る発光装置の一例を表す断面図である。
実施形態２に係る発光装置の周辺回路トランジスタの一例を表す平面図である。
実施形態２に係る発光装置の周辺回路トランジスタの一例を表す断面図である。
実施形態３に係る発光装置の一例を表す概略図である。
実施形態３に係る発光装置の画素回路の一例を表す回路図である。
実施形態３に係る発光装置の回路の一例を表す平面図である。
実施形３に係る発光装置の一例を表す断面図である。
実施形態４に係る発光装置の一例を表す概略図である。
実施形態４に係る発光装置の画素回路の一例を表す回路図である。
実施形態４に係る発光装置の回路の一例を表す平面図である。
実施形態４に係る発光装置の一例を表す断面図である。
実施形態５に係る発光装置のインバータ回路の一例を表す回路図である。
実施形態５に係る発光装置のインバータ回路の一例を表す平面図である。
実施形態５に係る発光装置のインバータ回路の一例を表す断面図である。
本発明の一実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。
（ａ）は本発明の一実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図であり、（ｂ）は本発明の一実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。
（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。
本発明の一実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る発光装置は、発光素子と、シリコン基板の第１面の上に設けられた第１トランジスタおよび第２トランジスタと、前記第１トランジスタに画像信号を供給する周辺回路に設けられた第３トランジスタと、を有し、前記第１トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記第２トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２トランジスタのソースおよびドレインのいずれかは、前記発光素子に接続されている発光装置であって、
前記第１トランジスタは、前記ソース及び前記ドレインの拡散領域に、Ｈａｌｏ注入層を有し、前記Ｈａｌｏ注入層は、前記拡散領域の極性と逆の極性であることを特徴とする発光装置である。
（【００１１】以降は省略されています）

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