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公開番号2025143882
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-02
出願番号2024043373
出願日2024-03-19
発明の名称ウエハ加工用テープ及びウエハ加工方法
出願人デンカ株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250925BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】チッピングが生じにくいウエハ加工用テープ及び当該ウエハ加工用テープを用いたウエハ加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】追従層と、該追従層の裏面に配された裏面層と、を有し、
297mm×210mmの試験片を切り出し、前記裏面層を下方にして平坦なステージに静置した状態で、4つの角部のステージからの反り量の平均値が、30mm以下である、
ウェハ加工用テープ。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
追従層と、該追従層の裏面に配された裏面層と、を有し、
２９７ｍｍ×２１０ｍｍの試験片を切り出し、前記裏面層を下方にして平坦なステージに静置した状態で、４つの角部のステージからの反り量の平均値が、３０ｍｍ以下である、
ウェハ加工用テープ。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
追従層の表面に配された離型層をさらに有する、
請求項1に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項３】
前記追従層と前記裏面層との間に接着層をさらに有する、
請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項４】
前記裏面層の厚さが、３～５０μｍである、
請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項５】
前記裏面層の引張弾性率が、２．０～５．０ＧＰａである、
請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項６】
前記裏面層の１５０℃、３０分の加熱収縮率が、３．０％以下である、
請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項７】
前記追従層の厚さが、５０～５００μｍである、
請求項１に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項８】
前記離型層の厚さが、０．５～１０μｍである、
請求項２に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項９】
ウェハの素子形成面に、請求項１～８のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記ウェハ加工用テープに貼り合わされた前記ウェハをダイシングするダイシング工程と、を有する、
ウェハ加工方法。
【請求項１０】
前記ウェハの非素子形成面を研磨するバックグラインド工程をさらに有する、
請求項９に記載のウェハ加工方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ加工用テープ及びウエハ加工方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを加工する際、破損から保護するため、粘着シートが貼着される。例えば、半導体ウエハを加工する際の裏面研削（バックグラインド）工程では、粘着シートを貼着して、半導体ウエハのパターン面を保護している。粘着シートには、突起電極（バンプ）のような凹凸を有するパターン面に対する粘着性、パターン面保護の信頼性の観点から、パターン面の凹凸に対する追従性（段差追従性）が求められる。
【０００３】
粘着シートに追従性を持たせるために、粘着剤厚の厚化や基材フィルムと粘着剤の間にクッション性のある柔軟な樹脂層を設けたものが市場では一般的であるが、パターン面の凹凸が大きい場合は追従性不足や糊残りのリスクが高まる。
【０００４】
また、半導体ウエハ加工工程でのステージへの基材の密着性を高めることを目的として、１３０℃で１０分加熱後のＭＤとＴＤにおける熱収縮率が共に０％以上である半導体ウエハの加工用粘着シートに用いられる基材が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
WO2023/068088
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の基材では、ウエハを回転刃でダイシングした際にチップの欠け（以下、「チッピング」ともいう）が生じやすいという問題があった。チッピングが生じると半導体チップの抗折強度が低下し、歩留まりの低下にもつながる。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、チッピングが生じにくいウエハ加工用テープ及び当該ウエハ加工用テープを用いたウエハ加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討した。その結果、ウエハと接する面とは反対側である追従層の裏面に裏面層を設けることにより、上記課題が解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下のとおりである。
〔１〕
追従層と、該追従層の裏面に配された裏面層と、を有し、
２９７ｍｍ×２１０ｍｍの試験片を切り出し、前記裏面層を下方にして平坦なステージに静置した状態で、４つの角部のステージからの反り量の平均値が、３０ｍｍ以下である、
ウェハ加工用テープ。
〔２〕
追従層の表面に配された離型層をさらに有する、
〔１〕に記載のウェハ加工用テープ。
〔３〕
前記追従層と前記裏面層との間に接着層をさらに有する、
〔１〕又は〔２〕に記載のウェハ加工用テープ。
〔４〕
前記裏面層の厚さが、３～５０μｍである、
〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。
〔５〕
前記裏面層の引張弾性率が、２．０～５．０ＧＰａである、
〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。
〔６〕
前記裏面層の１５０℃、３０分の加熱収縮率が、３．０％以下である、
〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。
〔７〕
前記追従層の厚さが、５０～５００μｍである、
〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープ。
〔８〕
前記離型層の厚さが、０．５～１０μｍである、
〔２〕に記載のウェハ加工用テープ。
〔９〕
ウェハの素子形成面に、〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記ウェハ加工用テープに貼り合わされた前記ウェハをダイシングするダイシング工程と、を有する、
ウェハ加工方法。
〔１０〕
前記ウェハの非素子形成面を研磨するバックグラインド工程をさらに有する、
〔９〕に記載のウェハ加工方法。
〔１１〕
前記バックグラインド工程後に、前記ウェハ加工用テープを剥離する剥離工程を有する、
〔９〕又は〔１０〕に記載のウェハ加工方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チッピングが生じにくいウエハ加工用テープ及びウエハ加工方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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