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公開番号2025144252
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-02
出願番号2024043941
出願日2024-03-19
発明の名称光検知装置
出願人TDK株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10N 50/10 20230101AFI20250925BHJP()
要約【課題】外乱の影響を受けにくい光検知装置を提供する。
【解決手段】光検知装置は、第1端子と、第2端子と、第3端子と、第4端子と、第1素子と、第2素子と、第3素子と、第4素子と、を備える。前記第1端子、前記第1素子、前記第2素子、前記第2端子は、第1経路を形成する。前記第1端子、前記第3素子、前記第4素子、前記第2端子は、第2経路を形成する。前記第3端子は、前記第1素子と前記第2素子との間に接続される。前記第4端子は、前記第3素子と前記第4素子との間に。前記第1素子、前記第2素子、前記第3素子及び前記第4素子のそれぞれは、光が照射されると電圧を生じる光感受層と、を有する。前記第1素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射される。前記第2素子及び前記第3素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射されない。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１端子と、第２端子と、第３端子と、第４端子と、第１素子と、第２素子と、第３素子と、第４素子と、を備え、
前記第１端子、前記第１素子、前記第２素子、前記第２端子は、第１経路を形成し、
前記第１端子、前記第３素子、前記第４素子、前記第２端子は、第２経路を形成し、
前記第３端子は、前記第１素子と前記第２素子との間に接続され、
前記第４端子は、前記第３素子と前記第４素子との間に接続され、
前記第１素子、前記第２素子、前記第３素子及び前記第４素子のそれぞれは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、光が照射されると電圧を生じる光感受層と、を有し、
前記第１素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射され、
前記第２素子及び前記第３素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射されない、光検知装置。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
前記第４素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射されない、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項３】
前記第４素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射される、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項４】
前記第１素子の前記第１電極は透明電極であり、
前記第２素子及び前記第３素子の前記第１電極は金属電極である、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項５】
前記第１素子、前記第２素子、前記第３素子及び前記第４素子のそれぞれの前記第１電極は、透明電極であり、
前記第２素子及び前記第３素子はそれぞれ、積層方向から見て前記光感受層と重なる位置に、光反射層をさらに備える、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項６】
前記第１素子、前記第２素子、前記第３素子及び前記第４素子のそれぞれの前記第１電極は、透明電極であり、
前記第２素子及び前記第３素子はそれぞれ、積層方向から見て前記光感受層と重なる位置に、光吸収層をさらに備える、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項７】
前記第１素子、前記第２素子、前記第３素子及び前記第４素子を覆う光導波路をさらに備え、
前記光導波路は、光が伝搬するコアと、前記コアを被覆するクラッドと、を備え、
前記コアを伝搬した光は、前記第１素子に照射される、請求項１に記載の光検知装置。
【請求項８】
前記光感受層は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、前記第１強磁性層と前記第２強磁性層との間に位置するスペーサ層と、を備える、請求項１に記載の光検知装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光検知装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
光電変換素子は、様々な用途で用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、フォトダイオードを用いて、光信号を受信する受信装置が記載されている。フォトダイオードは、例えば、半導体のｐｎ接合を用いたｐｎ接合ダイオード等であり、光を電気信号に変換する。
【０００４】
また例えば、特許文献２には、磁性素子を用いた新規な光デバイスが開示されている。磁性素子は、光が照射されると磁気状態が変化し、抵抗値が変化する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２００１－２９２１０７号公報
特開２０２３－９０２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光検知素子は、光を電気信号に変換する。例えば、磁性素子を用いた光検知素子は、温度、磁場等の外乱の影響を受けて、出力が変化する場合がある。そのため、光検知素子を用いた光強度測定において、外乱の影響を無視することはできず、外乱の影響を受けにくい光検知装置が求められている。
【０００７】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、外乱の影響を受けにくい光検知装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
【０００９】
本実施形態に係る光検知装置は、第１端子と、第２端子と、第３端子と、第４端子と、第１素子と、第２素子と、第３素子と、第４素子と、を備える。前記第１端子、前記第１素子、前記第２素子、前記第２端子は、第１経路を形成する。前記第１端子、前記第３素子、前記第４素子、前記第２端子は、第２経路を形成する。前記第３端子は、前記第１素子と前記第２素子との間に接続されている。前記第４端子は、前記第３素子と前記第４素子との間に接続されている。前記第１素子、前記第２素子、前記第３素子及び前記第４素子のそれぞれは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にあり、光が照射されると電圧を生じる光感受層と、を有する。前記第１素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射される。前記第２素子及び前記第３素子の前記光感受層には、測定対象となる光が照射されない。
【発明の効果】
【００１０】
上記態様にかかる光検知装置は、外乱の影響を受けにくい。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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