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公開番号2025162297
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-27
出願番号2024065493
出願日2024-04-15
発明の名称反射型マスクブランクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類G03F 1/24 20120101AFI20251020BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】基準マークの経時劣化を抑制する、技術を提供すること。
【解決手段】反射型マスクブランクの製造方法は、基板と、EUV光を反射する多層反射膜と、EUV光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、前記多層反射膜がSi層とMo層を繰り返し有する、反射型マスクブランクを製造する。前記製造方法は、前記多層反射膜を形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記多層反射膜の一部を除去して凹状の基準マークを形成することを有する。前記基準マークを形成することで、前記基準マークの底面に、前記Si層と前記Mo層が混合したミキシング層が形成される。前記基準マークの底面において、前記ミキシング層の直下の層は前記Si層である。前記製造方法は、前記基準マークを形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記基準マークを含む前記多層反射膜に対して紫外線を照射することと、水を含む洗浄液で前記基準マークを含む前記多層反射膜を洗浄することと、をこの順番で有する。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、前記多層反射膜がＳｉ層とＭｏ層を繰り返し有する、反射型マスクブランクを製造する、反射型マスクブランクの製造方法であって、
前記多層反射膜を形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記多層反射膜の一部を除去して凹状の基準マークを形成することを有し、
前記基準マークを形成することで、前記基準マークの底面に、前記Ｓｉ層と前記Ｍｏ層が混合したミキシング層が形成され、
前記基準マークの底面において、前記ミキシング層の直下の層は前記Ｓｉ層であって、
前記製造方法は、前記基準マークを形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記基準マークを含む前記多層反射膜に対して紫外線を照射することと、水を含む洗浄液で前記基準マークを含む前記多層反射膜を洗浄することと、をこの順番で有する、反射型マスクブランクの製造方法。
続きを表示（約 420 文字）【請求項２】
前記洗浄した後に、前記基準マークの底面は、Ｓｉ含有量が３０．０ａｔ％以上であって、Ｍｏ含有量が８．６ａｔ％未満である、請求項１に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項３】
前記基準マークの形成から７日以上経過した後に、前記吸収膜を形成することを有する、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項４】
前記紫外線の照射エネルギーが０．０４５Ｊ／ｃｍ
２
以上である、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項５】
前記洗浄液は純水である、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項６】
前記基準マークを形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記基準マークの位置を基準に欠陥の位置を検査することを有する、請求項１又は２に記載の反射型マスクブランクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、反射型マスクブランクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶは、１３．５ｎｍ程度の波長を有する。ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収するだけではなく、ＥＵＶ光の位相をシフトしてもよい。つまり、吸収膜は、位相シフト膜であってもよい。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００３】
特許文献１には、多層反射膜の欠陥の位置を精度良く検出するため、基準マークを形成する技術が記載されている。基準マークは、例えば十字状に形成される。１つの直線の中心線と、残りの直線の中心線との交点が基準点となる。検査装置は、基準マークの位置（より詳細には基準点の位置）を検出する。また、検査装置は、基準マークの位置を基に座標系を設定する。そうして、検査装置は、設定した座標系において欠陥の位置を検出する。
【０００４】
基準マークは、多層反射膜の一部を除去して形成する。除去方法としては、レーザ加工法、又はＦＩＢ（Focused Ion Beam）法などが用いられる。レーザ光線又は金属イオン（例えばＧａイオン）の照射によって、基準マークの底面にミキシング層が形成される。ミキシング層は、多層反射膜を構成する高屈折率層と低屈折率層が混合した層である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第５９３５８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層反射膜がＳｉ層とＭｏ層を繰り返し含む場合、ミキシング層はＳｉとＭｏを含む。Ｓｉは、酸化によって体積がほとんど変化しない。Ｓｉの密度は約２．３ｇ／ｃｍ
３
であるのに対し、ＳｉＯ
２
の密度は約２．２ｇ／ｃｍ
３
である。一方、Ｍｏは、酸化によって体積が大きくなる。Ｍｏの密度は約１０．３ｇ／ｃｍ
３
であるのに対し、ＭｏＯ
３
の密度は約４．７ｇ／ｃｍ
３
である。
【０００７】
従来、凹状の基準マークの形成後に、基準マークの底面が盛り上がることがあった。本願発明者は、その原因を検討し、その主な原因はミキシング層に含まれるＭｏの自然酸化であると考えた。
【０００８】
本開示の一実施形態は、基準マークの経時劣化を抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一実施形態に係る反射型マスクブランクの製造方法は、基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順番で有し、前記多層反射膜がＳｉ層とＭｏ層を繰り返し有する、反射型マスクブランクを製造する。前記製造方法は、前記多層反射膜を形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記多層反射膜の一部を除去して凹状の基準マークを形成することを有する。前記基準マークを形成することで、前記基準マークの底面に、前記Ｓｉ層と前記Ｍｏ層が混合したミキシング層が形成される。前記基準マークの底面において、前記ミキシング層の直下の層は前記Ｓｉ層である。前記製造方法は、前記基準マークを形成した後、前記吸収膜を形成する前に、前記基準マークを含む前記多層反射膜に対して紫外線を照射することと、水を含む洗浄液で前記基準マークを含む前記多層反射膜を水洗浄することと、をこの順番で有する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一実施形態によれば、紫外線の照射とその後の水洗浄によって、基準マークの底面におけるＭｏ含有量を低減できる。その結果、基準マークの経時劣化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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