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公開番号2025097071
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-30
出願番号2023213137
出願日2023-12-18
発明の名称半導体装置の製造方法及び半導体装置
出願人三菱電機株式会社
代理人弁理士法人高田・高橋国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250623BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示は半導体装置の製造方法及び半導体装置に関し、ウエハ径の縮小を抑制することで、加工前のウエハと同じ装置を用いた搬送及び処理ができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本開示の半導体の製造方法は、互いに対向する第一主面と第二主面を有するウエハの第二主面に半導体素子構造を形成する工程と、半導体素子構造を形成したウエハの第二主面の外周部を、第二主面から第一主面に向かう厚み方向の途中まで研削する工程と、ウエハの外周部を研削した深さよりも第二主面から浅い位置において、厚み方向に垂直な方向でウエハを分割して、ウエハから、半導体素子構造を含まない第一の分割ウエハを分割する工程と、第一の分割ウエハの分割面の外周部を研削する工程と、分割面の外周部を研削した第一の分割ウエハの分割面に半導体素子構造を形成する工程と、を備えるよう構成されている。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
互いに対向する第一主面と第二主面を有するウエハの前記第二主面に半導体素子構造を形成する工程と、
前記半導体素子構造を形成した前記ウエハの前記第二主面の外周部を、前記第二主面から前記第一主面に向かう厚み方向の途中まで研削する工程と、
前記ウエハの外周部を研削した深さよりも前記第二主面から浅い位置において、前記厚み方向に垂直な方向で前記ウエハを分割して、前記ウエハから、前記半導体素子構造を含まない第一の分割ウエハを分割する工程と、
前記第一の分割ウエハの分割面の外周部を研削する工程と、
分割面の外周部を研削した前記第一の分割ウエハの前記分割面に半導体素子構造を形成する工程と
を備える半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
前記第一の分割ウエハの前記第一主面に第二の分割ウエハを接合する工程をさらに備える請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第一の分割ウエハと前記第二の分割ウエハとの接合界面にアモルファス層が形成される請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
接合前に前記第一の分割ウエハ又は前記第二の分割ウエハの接合界面を研磨して平坦化する工程をさらに備え、
前記接合界面の外周部における研磨を、前記接合界面の中央部における研磨よりも多く実施する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第二主面の外周部を研削した後かつ分割する前の前記ウエハの断面は凸構造である
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウエハを分割する前に前記ウエハの最外周部を全て研削する工程をさらに備える請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第一の分割ウエハの前記分割面の外周部はテーパー状に研削されている
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第一の分割ウエハの前記分割面の外周部を研削した後、かつ前記分割面に前記半導体素子構造を形成する前の前記ウエハの断面は凸構造である
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第一の分割ウエハにエピタキシャル膜を成膜する工程をさらに備える
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ウエハはワイドバンドギャップ半導体により形成されている請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、薄くスライスしたウエハをエピタキシャル成長のベースとして用いることで、基板コストを低減する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－５２１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし上述の方法では、スライス前のウエハにベベル加工をする必要がある。このベベル加工によりウエハ径が縮小するため、加工前のウエハと同じ装置を用いた搬送及び処理ができない、あるいはウエハ径の変化に対応できるよう装置を調整する必要がある課題があった。
【０００５】
本開示は上述の問題を解決するため、ウエハ径の縮小を抑制することで、加工前のウエハと同じ装置を用いた搬送及び処理ができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の第一の態様は、互いに対向する第一主面と第二主面を有するウエハの第二主面に半導体素子構造を形成する工程と、半導体素子構造を形成したウエハの第二主面の外周部を、第二主面から第一主面に向かう厚み方向の途中まで研削する工程と、ウエハの外周部を研削した深さよりも第二主面から浅い位置において、厚み方向に垂直な方向でウエハを分割して、ウエハから、半導体素子構造を含まない第一の分割ウエハを分割する工程と、第一の分割ウエハの分割面の外周部を研削する工程と、分割面の外周部を研削した第一の分割ウエハの分割面に半導体素子構造を形成する工程と、を備える半導体装置の製造方法であることが好ましい。
【０００７】
本開示の第二の態様は、互いに対向する第一主面と第二主面を有し、第二主面に半導体素子構造を有する第一の分割ウエハと、第一の分割ウエハの第一主面に接合された第二の分割ウエハとを備え、第一の分割ウエハと第二の分割ウエハとの接合界面の外周部に未接合領域が形成されている半導体装置であることが好ましい。
【０００８】
本開示の第三の態様は、互いに対向する第一主面と第二主面を有する第一の分割ウエハと、第一の分割ウエハの第二主面に形成されたエピタキシャル膜と、エピタキシャル膜の上に形成された半導体素子構造とを備え、第一の分割ウエハの断面が凸構造である半導体装置であることが好ましい。
【０００９】
本開示の第四の態様は、互いに対向する第一主面と第二主面を有し、第二主面に半導体素子構造を有する第一の分割ウエハを備え、第一の分割ウエハの断面が凸構造である半導体装置であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の第一から第四の態様によれば、ウエハ径の縮小を抑制することで、加工前のウエハと同じ装置を用いた搬送及び処理ができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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