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公開番号2025099688
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2023216549
出願日2023-12-22
発明の名称洗浄装置、洗浄方法、およびEUVL用マスクブランクの製造方法
出願人AGC株式会社
代理人弁理士法人志賀国際特許事務所
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250626BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の下面における表面荒れ又は膜剥がれを抑制する、技術を提供する。
【解決手段】洗浄装置は、基板を水平に保持する保持部であって、前記基板の周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピンを含む保持部と、前記保持部と共に前記基板を回転させる回転部と、前記保持部で保持している前記基板の上面に洗浄液の液膜を形成する第1ノズルと、前記洗浄液による前記基板のエッチングを抑制する抑制液を、前記ピンに供給する第2ノズルと、を備える。前記第2ノズルは固定されており、前記第2ノズルの射線は前記ピンの回転軌道と交差する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を水平に保持する保持部であって、前記基板の周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピンを含む保持部と、
前記保持部と共に前記基板を回転させる回転部と、
前記保持部で保持している前記基板の上面に洗浄液の液膜を形成する第１ノズルと、
前記洗浄液による前記基板のエッチングを抑制する抑制液を、前記ピンに供給する第２ノズルと、
を備え、
前記第２ノズルは固定されており、前記第２ノズルの射線は前記ピンの回転軌道と交差する、洗浄装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
複数本の前記ピンは、同一の回転軌道を有する、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記第２ノズルは前記ピンの回転軌道よりも外側に配置され、前記第２ノズルの射線は斜め下向きである、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記洗浄液は、Ｏ
３
ガス若しくはＣＯ
２
ガスを溶存したガス溶存水、アンモニア水、アンモニア過水、硫酸、硫酸過水、過水、アルカリ洗剤、酸洗剤、又はフッ酸であり、
前記抑制液は、純水、又はＮ
２
ガス若しくはＨ
２
ガスを溶存したガス溶存水である、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項５】
基板を水平に保持する保持部であって、前記基板の周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピンを含む保持部と、
前記保持部と共に前記基板を回転させる回転部と、
前記保持部で保持している前記基板の上面に洗浄液の液膜を形成する第１ノズルと、
前記洗浄液による前記基板のエッチングを抑制する抑制液を、前記ピンに供給する第２ノズルと、
を備え、
前記第２ノズルは、前記ピンの内部から外部に前記抑制液を吐出する、洗浄装置。
【請求項６】
前記保持部を上から見ると、前記第２ノズルの射線は前記保持部の回転中心線に向かう成分を有する、請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記第２ノズルは、前記ピンにおける前記基板との接点よりも上方から、前記抑制液を吐出する、請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記洗浄液は、Ｏ
３
ガス若しくはＣＯ
２
ガスを溶存したガス溶存水、アンモニア水、アンモニア過水、硫酸、硫酸過水、過水、アルカリ洗剤、酸洗剤、又はフッ酸であり、
前記抑制液は、純水、又はＮ
２
ガス若しくはＨ
２
ガスを溶存したガス溶存水である、請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項９】
請求項１～８のいずれか１項に記載の洗浄装置を用いて、前記基板を洗浄することを有する、洗浄方法。
【請求項１０】
請求項１～８のいずれか１項に記載の洗浄装置を用いて、ガラス基板または前記ガラス基板の上に形成された機能膜を洗浄することを有する、ＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、洗浄装置、洗浄方法、およびＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィー（ＥＵＶＬ）が開発されている。ＥＵＶは、１３．５ｎｍ程度の波長を有する。ＥＵＶＬでは、反射型マスクが用いられる。反射型マスクは、ガラス基板などの基板と、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、ＥＵＶ光を吸収する吸収膜と、をこの順で有する。吸収膜は、ＥＵＶ光を吸収するだけではなく、ＥＵＶ光の位相をシフトしてもよい。つまり、吸収膜は、位相シフト膜であってもよい。吸収膜には、開口パターンが形成される。ＥＵＶＬでは、吸収膜の開口パターンを半導体基板などの対象基板に転写する。転写することは、縮小して転写することを含む。
【０００３】
特許文献１に記載の基板処理装置は、基板をスピン洗浄する。基板をスピン洗浄する工程は、基板を回転させながら、基板の上面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液の供給を停止した後、基板を回転させながら、基板の上面に残る洗浄液を振り切る工程と、を有する。基板は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板又はフォトマスク用基板である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００６－３４４９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来から、基板をスピン洗浄する洗浄装置が知られている。洗浄装置は、基板を水平に保持する複数本のピンを含む保持部と、保持部で保持している基板の上面に洗浄液の液膜を形成するノズルと、を備える。ピンの周辺では、洗浄液が滞留しやすく、また、洗浄液が基板の下面に回り込みやすい。その結果、基板の下面において表面荒れ又は膜剥がれが生じることがあった。
【０００６】
本開示の一態様は、基板の下面における表面荒れ又は膜剥がれを抑制する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る洗浄装置は、基板を水平に保持する保持部であって、前記基板の周縁に沿って間隔をおいて配置される複数本のピンを含む保持部と、前記保持部と共に前記基板を回転させる回転部と、前記保持部で保持している前記基板の上面に洗浄液の液膜を形成する第１ノズルと、前記洗浄液による前記基板のエッチングを抑制する抑制液を、前記ピンに供給する第２ノズルと、を備える。前記第２ノズルは固定されており、前記第２ノズルの射線は前記ピンの回転軌道と交差する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一態様によれば、第２ノズルの射線がピンの回転軌道と交差するので、ピンの周辺における洗浄液の滞留を抑制でき、また、洗浄液が基板の下面に回り込むことを抑制できる。よって、基板の下面における表面荒れ又は膜剥がれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、一実施形態に係る洗浄装置を示す平面図である。
図２（Ａ）は基板の一例を示す平面図であり、図２（Ｂ）は基板の一例を示す断面図である。
図３は、保持部のピンの一例を示す断面図である。
図４は、ピンの周辺における洗浄液のみの流れの一例を示す断面図である。
図５は、ピンの周辺における洗浄液と抑制液の流れの第１例を示す断面図である。
図６は、ピンの周辺における洗浄液と抑制液の流れの第２例を示す断面図である。
図７は、ピンの周辺における洗浄液と抑制液の流れの第３例を示す断面図である。
図８は、上方から見た第２ノズルの射線の一例を示す平面図である。
図９は、一実施形態に係るＥＵＶＬ用マスクブランクの製造方法を示すフローチャートである。
図１０は、ＥＵＶＬ用マスクブランクを構成するガラス基板の一例を示す断面図である。
図１１は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの一例を示す断面図である。
図１２は、ＥＵＶＬ用マスクの一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。明細書中、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。数値範囲は、四捨五入した範囲を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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