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公開番号2025120146
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-15
出願番号2025011268
出願日2025-01-27
発明の名称レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びにフェノールアンモニウム塩
出願人住友化学株式会社
代理人弁理士法人新樹グローバル・アイピー
主分類G03F 7/004 20060101AFI20250807BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】良好な解像度のレジストパターンを製造し得るフェノールアンモニウム塩、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式(I)で表されるフェノールアンモニウム塩等。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025120146000185.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">23</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">100</com:WidthMeasure> </com:Image> [式中、R⁴はハロゲン原子、-O^-等;R⁵はアルコキシアルキル基又はヒドロキシアルキル基;m4は0～4の整数、m5は1～4の整数;R⁶、R⁷、R⁸及びR⁹はそれぞれ独立に、水素原子、置換/非置換の炭化水素基、該基に含まれる-CH₂-は、-O-、-S-、-NR¹⁰-等に置き換わっていてもよく、R⁶とR⁷、R⁸とR⁹又はR⁶とR⁷とR⁸とが結合して複素環基を形成していてもよく、該環状炭化水素基は二重結合を有していてもよく、該環状炭化水素基に含まれる-CH₂-は、-O-、-CO-等に置き換わっていてもよい;R¹⁰は水素原子、置換/非置換の炭化水素基;m1は1～8の整数を表す。]
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
式（Ｉ）で表されるフェノールアンモニウム塩と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
TIFF
2025120146000175.tif
23
100
［式（Ｉ）中、
Ｒ
４
は、ハロゲン原子、＊－Ｏ
－
（＊は、ベンゼン環との結合部位表す。）又は炭素数１～７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、＊＊－Ｏ
－
（＊＊は、Ｒ
４
との結合部位表す。）又は置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
１１
－又は－ＣＯ－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
１１
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
５
は、炭素数２～６のアルコキシアルキル基又は炭素数１～６のヒドロキシアルキル基を表す。
ｍ４は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ
４
は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ５は、１～４のいずれかの整数を表し、ｍ５が２以上のとき、複数のＲ
５
は互いに同一であっても異なってもよい。但し、１≦ｍ４＋ｍ５≦５である。
Ｒ
６
、Ｒ
７
、Ｒ
８
及びＲ
９
は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ
１０
－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、Ｒ
６
とＲ
７
、Ｒ
８
とＲ
９
又はＲ
６
とＲ
７
とＲ
８
とが結合して炭素数３～２０の複素環基を形成していてもよく、該複素環基は、１以上の隣接する二つの炭素原子間で二重結合を有していてもよく、該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
１０
－に置き換わっていてもよく、該複素環基に含まれる－ＣＨ＝は、－Ｎ＝に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１０
は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
１１
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ１は、１～８のいずれかの整数を表し、ｍ１が２以上のとき、複数の括弧内のアンモニウムカチオンは、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
続きを表示（約 6,400 文字）【請求項２】
式（Ｉ）において、
ｍ４が１以上の整数であり、
１以上のＲ
４
の１つが、炭素数１～６のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。）である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
式（Ｉ）において、
ｍ４が１以上の整数であり、
１以上のＲ
４
の１つが、＊－Ｏ
－
、ヒドロキシ基、炭素数２～６のアルコキシアルキル基及び炭素数１～６のヒドロキシアルキル基から選択される少なくとも１種の基と結合したベンゼン環を含む炭化水素基であり、該ベンゼン環は、＊－Ｏ
－
、ヒドロキシ基、炭素数２～６のアルコキシ基及び炭素数１～６のヒドロキシアルキル基以外の置換基を有してもよい、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
式（Ｉ）において、
ｍ４が１以上の整数であり、
１以上のＲ
４
の１つが、式（Ｒ４－１）～式（Ｒ４－５）のいずれかで表される基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120146000176.tif
92
161
［式（Ｒ４－１）～式（Ｒ４－５）中、
Ｒ
４Ａ
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシル基、炭素数１～６のアルキル基、又は炭素数１～６のハロアルキル基を表す。
Ｒ
５Ａ
は、炭素数２～６のアルコキシアルキル基又は炭素数１～６のヒドロキシアルキル基を表す。
ｍ４Ａ、ｍ４Ｂ、及びｍ４Ｃは、それぞれ独立に、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ４Ａ＋ｍ４Ｂ＋ｍ４Ｃが２以上のとき、複数のＲ
４Ａ
は互いに同一でも異なっていてもよい。
ｍ５Ａ、ｍ５Ｂ、ｍ５Ｃは、それぞれ独立に、１～４のいずれかの整数を表し、１≦ｍ４Ａ＋ｍ５Ａ≦４、１≦ｍ４Ｂ＋ｍ５Ｂ≦４及び１≦ｍ４Ｃ＋ｍ５Ｃ≦４を満たし、複数のＲ
５Ａ
は互いに同一でも異なっていてもよい。
ｍ７は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ７が２以上のとき、複数のＲ
７
は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ
６C
、Ｒ
６Ａ
及びＲ
６Ｂ
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
７Ａ
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、炭素数１～６のアルキル基、又は炭素数１～６のハロアルキル基を表す。
Ｌ
１
、Ｌ
１Ａ
及びＬ
１Ｂ
は、それぞれ独立に、単結合、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、カルボニル基又はスルホニル基を表す。
Ｘ
１
は、ヒドロキシ基又は＊－Ｏ
－
を表し、複数のＸ
１
は互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、ベンゼン環との結合部位を表す。
ただし、式（Ｒ４－１）～式（Ｒ４－５）で表される基に含まれるそれぞれの炭素原子の数の合計は７２を超えない。］
【請求項５】
式（Ｉ）において、
Ｒ
６
が、フェニル基又は炭素数７～１２のアラルキル基である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩又は式（Ｂ３）で表される塩を含む請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120146000177.tif
13
94
［式（Ｂ１）中、
Ｌ
b1
は、単結合又は置換基を有してもよい（ｎｂ１＋１）価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－に置き換わっていてもよい。
Ｌ
b2
は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～２４の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－で置き換わっていてもよい。
Ｙ
b1
は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
2
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｎｂ１は、１～６のいずれかの整数を表す。ｎｂ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同じであっても異なっていてもよい。
Ｚ１
＋
は、有機カチオンを表す。］
TIFF
2025120146000178.tif
13
92
［式（Ｂ３）中、
Ａ
１
は、窒素原子又は炭素原子を表す。
Ｌ
ｂ２
’は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～２４の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－又は－ＳＯ
2
－で置き換わっていてもよい。
Ｙ
ｂ１
’は、置換基を有していてもよいメチル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～２４の環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
2
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、２つの－ＳＯ
2
－Ｌ
ｂ２’
－Ｙ
ｂ１’
が一緒になってＡ
１
を含む環を形成してもよい。
ｎｂ５は、２又は３を表す。ｎｂ５が２のとき、Ａ
１
は窒素原子を表し、ｎｂ５が３のとき、Ａ
１
は炭素原子を表す。複数の括弧内の基は互いに同じであっても異なっていてもよい。
Ｚ２
＋
は、有機カチオンを表す。］
【請求項７】
さらに、フェノール性水酸基もしくは安息香酸性カルボキシ基を有する化合物及び／又はフェノール性水酸基の水酸基もしくは安息香酸性カルボキシ基のカルボキシ基が酸不安定基で保護された化合物を含む請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項８】
前記化合物が、樹脂であり、該樹脂が、式（ａ２－Ａ）で表される構造単位又は式（ａ１－４）で表される構造単位を含む樹脂である請求項１に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120146000179.tif
31
127
［式（ａ２－Ａ）中、
Ｒ
ａ２
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ２７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ２１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ２８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ２８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ２
は、単結合又はカルボニル基を表す。
ｎＡ２は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎＡ２が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ２１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ２１が２以上のとき、複数のＲ
ａ２７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025120146000180.tif
31
117
［式（ａ１－４）中、
Ｒ
ａ１
は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
ａ１７
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１２のアルコキシアルキル基、炭素数２～１２のアルコキシアルコキシ基、炭素数２～４のアルキルカルボニル基、炭素数２～４のアルキルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
Ａ
ａ１１
は、単結合又は炭素数１～１２のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
ａ１８
－に置き換わってもよい。
Ｒ
ａ１８
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｘ
ａ１
は、単結合又はカルボニル基を表す。
Ｒ
a34
及びＲ
a35
は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、Ｒ
a36
は、炭素数１～２０の炭化水素基を表すか、Ｒ
a35
及びＲ
a36
は互いに結合してそれらが結合する－Ｃ－Ｏ－とともに炭素数２～２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－Ｓ－で置き換わってもよい。
ｎａ１は、１～５のいずれかの整数を表し、ｎａ１が２以上のとき、複数の括弧内の基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｎａ１１は、０～４のいずれかの整数を表し、ｎａ１１が２以上のとき、複数のＲ
ａ１７
は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
ｍｃは、０～２のいずれかの整数を表す。］
【請求項９】
前記樹脂が、式（ａ１－４）で表される構造単位以外の酸不安定基を有する構造単位を含み、式（ａ１－４）で表される構造単位以外の酸不安定基を有する構造単位が、式（ａ１－０）で表される構造単位、式（ａ１－１）で表される構造単位、式（ａ１－２）で表される構造単位、式（ａ１－５）で表される構造単位及び式（ａ１－６）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項１又は８に記載のレジスト組成物。
TIFF
2025120146000181.tif
44
145
［式（ａ１－０）、式（ａ１－１）及び式（ａ１－２）中、
Ｌ
a01
、Ｌ
ａ１
及びＬ
ａ２
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は＊－Ｏ－（ＣＨ
２
）
ｋ１
－ＣＯ－Ｏ－を表し、ｋ１は１～７のいずれかの整数を表し、＊は－ＣＯ－との結合部位を表す。
Ｒ
a01
、Ｒ
ａ４
及びＲ
ａ５
は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
a02
、Ｒ
a03
及びＲ
a04
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表し、該アルキル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
Ｒ
ａ６
及びＲ
ａ７
は、それぞれ独立に、炭素数１～８のアルキル基、炭素数２～８のアルケニル基、炭素数３～１８の脂環式炭化水素基、炭素数６～１８の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該アルキル基、該アルケニル基、該脂環式炭化水素基及び該芳香族炭化水素基は、ハロゲン原子を有してもよい。
ｍ１’は０～１４のいずれかの整数を表す。
ｎ１は０～１０のいずれかの整数を表す。
ｎ１’は０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025120146000182.tif
45
58
［式（ａ１－５）中、
Ｒ
a8
は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ
a1
は、単結合又は＊－（ＣＨ
2
）
h3
－ＣＯ－Ｌ
54
－を表し、ｈ３は１～４のいずれかの整数を表し、＊は、Ｌ
51
との結合部位を表す。
Ｌ
51
、Ｌ
52
、Ｌ
53
及びＬ
54
は、それぞれ独立に、－Ｏ－又は－Ｓ－を表す。
ｓ１は、１～３のいずれかの整数を表す。
ｓ１’は、０～３のいずれかの整数を表す。］
TIFF
2025120146000183.tif
36
82
［式（ａ１－６）中、
Ｒ
a61
は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有していてもよい炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
a6２
、Ｒ
a63
及びＲ
a6４
は、それぞれ独立に、炭素数１～６のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３～１８の環状炭化水素基を表すか、Ｒ
a6２
及びＲ
a63
は互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともに炭素数３～２０の環を形成する。
Ｘ
a61
は、単結合、－ＣＯ－Ｏ－＊又は－ＣＯ－ＮＲ
【請求項１０】
（１）請求項１に記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後のレジスト組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法並びにフェノールアンモニウム塩に関する。
続きを表示（約 4,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、下記式で表されるフェノールアンモニウム塩が記載されている。
TIFF
2025120146000001.tif
18
38
【０００３】
特許文献２には、下記式で表されるフェノールスルホニウム塩を含有するレジスト組成物が記載されている。
TIFF
2025120146000002.tif
28
36
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平０８－０１２６８５号公報
特開２０１１－１５４１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記のフェノール塩を含有するレジスト組成物によって形成されたレジストパターンよりも、解像度が良好なレジストパターンを形成するフェノールアンモニウム塩を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表されるフェノールアンモニウム塩と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
TIFF
2025120146000003.tif
23
100
［式（Ｉ）中、
Ｒ
４
は、ハロゲン原子、＊－Ｏ
－
（＊は、ベンゼン環との結合部位表す。）又は炭素数１～７２の炭化水素基を表し、該炭化水素基は、＊＊－Ｏ
－
（＊＊は、Ｒ
４
との結合部位表す。）又は置換基を有してもよく、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
１１
－又は－ＣＯ－で置き換わっていてもよい。
Ｒ
１１
は、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。
Ｒ
５
は、炭素数２～６のアルコキシアルキル基又は炭素数１～６のヒドロキシアルキル基を表す。
ｍ４は、０～４のいずれかの整数を表し、ｍ４が２以上のとき、複数のＲ
４
は互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ５は、１～４のいずれかの整数を表し、ｍ５が２以上のとき、複数のＲ
５
は互いに同一であっても異なってもよい。但し、１≦ｍ４＋ｍ５≦５である。
Ｒ
６
、Ｒ
７
、Ｒ
８
及びＲ
９
は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＲ
１０
－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよく、Ｒ
６
とＲ
７
、Ｒ
８
とＲ
９
又はＲ
６
とＲ
７
とＲ
８
とが結合して炭素数３～２０の複素環基を形成していてもよく、該複素環基は、１以上の隣接する二つの炭素原子間で二重結合を有していてもよく、該複素環基に含まれる－ＣＨ
２
－は、－Ｏ－、－ＣＯ－又は－ＮＲ
１０
－に置き換わっていてもよく、該複素環基に含まれる－ＣＨ＝は、－Ｎ＝に置き換わっていてもよい。
Ｒ
１０
は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１～２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－、－ＳＯ－、－ＮＲ
１１
－又は－ＣＯ－に置き換わっていてもよい。
ｍ１は、１～８のいずれかの整数を表し、ｍ１が２以上のとき、複数の括弧内のアンモニウムカチオンは、互いに同一であっても異なっていてもよい。］
［２］式（Ｉ）において、ｍ４が１以上の整数であり、
１以上のＲ
４
の１つが、炭素数１～６のアルキル基（該アルキル基に含まれる－ＣＨ
2
－は、－Ｏ－又は－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ
２
－で置き換わっていてもよい。）である［１］に記載のレジスト組成物。
［３］式（Ｉ）において、ｍ４が１以上の整数であり、
１以上のＲ
４
の１つが、＊－Ｏ
【発明の効果】
【０００７】
本発明のフェノールアンモニウム塩を含有するレジスト組成物を用いることにより、良好な解像度でレジストパターンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「アクリル系モノマー及びメタクリル系モノマーの少なくとも一種」を意味する。「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」等の表記も、同様の意味を表す。本明細書中に記載する基において、直鎖構造と分岐構造の両方をとり得るものについては、そのいずれでもよい。炭化水素基等に含まれる－ＣＨ
2
－が－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－ＳＯ－、－ＮＲ
Ｘ
－（Ｘは任意の符号）又は－ＳＯ
２
－で置き換わる場合、各基において同様の例を適用するものとし、置き換わる前の炭素数を炭化水素基等の炭素数とする。「組み合わせた基」とは、例示した基を２種以上結合させた基を意味し、それら基の価数は結合形態によって適宜変更してもよい。「由来する」又は「誘導される」とは、その分子中に含まれる重合性Ｃ＝Ｃ結合が重合により－Ｃ－Ｃ－基（単結合）となることを指す。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を含む。「酸不安定基」は、酸（例えば、トリフルオロメタンスルホン酸等）と接触すると、脱離基が脱離し、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。塩基不安定基とは、塩基（例えば、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等）と接触すると、脱離基が脱離して、親水基（例えば、カルボキシ基又はヒドロキシ基等）を形成する基を意味する。各基は、置換基の数等によって、その基に含まれる任意の位置及び数の水素原子が結合手に置き換わることがある。置換基における炭素数は、被置換基の炭素数には含めない。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。
【０００９】
〔式（Ｉ）で表されるフェノールアンモニウム塩〕
本発明は、式（Ｉ）で表されるフェノールアンモニウム塩（以下「フェノールアンモニウム塩（Ｉ）」又は「塩（Ｉ）」という場合がある）に関する。
塩（Ｉ）のうち、負電荷を有する側を「アニオン（Ｉ）」、正電荷を有する側を「カチオン（Ｉ）」と称することがある。
【００１０】
＜アニオン（Ｉ）＞
式（Ｉ）において、Ｒ
４
のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
Ｒ
４
の炭素数１～７２の炭化水素基としては、アルキル基等の鎖式炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組み合わせることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、直鎖又は分岐のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、１～４８が挙げられ、好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～９であり、さらに好ましくは１～６であり、より一層好ましくは１～４であり、さらにより好ましくは１～３である。
脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、以下に表される基等が挙げられる。結合部位は任意の位置とすることができる。
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具体的には、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、スピロシクロヘキサン－１，２’シクロペンタン、スピロアダマンタン－２，３’－シクロペンタン基等のシクロアルキル基、ノルボニル基もしくはアダマンチル基とそれぞれにスピロで結合したシクロアルキル基を有するスピロ環等が挙げられる。脂環式炭化水素基の炭素数は、３～４８が挙げられ、好ましくは３～１８であり、より好ましくは３～１６であり、さらに好ましくは３～１２である。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、ビナフチル基等が挙げられる。芳香族炭化水素基の炭素数は、６～４８が挙げられ、好ましくは６～１８であり、より好ましくは６～１４であり、さらに好ましくは６～１０である。
（【００１１】以降は省略されています）

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