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公開番号
2025123187
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-22
出願番号
2025018763
出願日
2025-02-06
発明の名称
ベンゾチアゾール誘導体の製造方法
出願人
シンクレスト株式会社
,
学校法人近畿大学
代理人
弁理士法人三枝国際特許事務所
主分類
C07D
277/64 20060101AFI20250815BHJP(有機化学)
要約
【課題】本発明は、新たに、ベンゾチアゾール誘導体の製造方法を提供する事を目的とする。
【解決手段】ベンゾチアゾール誘導体の製造方法。
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
下記一般式(1):
TIFF
2025123187000023.tif
26
170
(式(1)中、R
1
は、各R
1
が、同一又は異なって、各々、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアルキルスルファニル基、置換されていても良いアシル基、置換されていても良いアシルオキシ基、置換されていても良いアルキルスルホニルオキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアリールスルホニルオキシ基、置換されていても良いアルコキシ-カルボニル基、置換されていても良いアリールオキシ-カルボニル基、置換されていても良いカルバモイル基、トリ置換シリル基、又は置換アミノ基を示す。
式(1)中、mは、1~4の整数を示す。
式(1)中、R
2
、及びR
3
は、同一又は異なって、各々、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアリール基、又は置換されていても良い複素環基を示す。)
で表されるベンゾチアゾール誘導体の製造方法であって、
下記一般式(2):
TIFF
2025123187000024.tif
21
170
(式(2)中、R
1
、及びmは、上記式(1)に同じである。)
で表されるベンゾチアゾール化合物と、
下記一般式(3):
TIFF
2025123187000025.tif
17
170
(式(3)中、R
2
、及びR
3
は、上記式(1)に同じである。)
で表されるケトン化合物とを、
電解反応させる工程を含む、製造方法。
続きを表示(約 330 文字)
【請求項2】
前記電解反応は、
(i)テトラブチルアンモニウムブロミド(TBABr)、過塩素酸リチウム(LiClO
4
)、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO
4
)
2
)、及び過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Bu
4
NClO
4
)から成る群から選択される少なくとも一種の電解質、並びに
(ii)N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド(DMSO)、及びテトラヒドロフラン(THF)から成る群から選択される少なくとも一種の非プロトン性極性溶媒
を含む電解液を用いて行う、請求項1に記載の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、ベンゾチアゾール誘導体の製造方法に関する。
続きを表示(約 2,200 文字)
【背景技術】
【0002】
非特許文献1は、2-リチオベンゾチアゾールの求電子試薬に対する反応性、及びα-ヒドロキシカルボニル化合物の合成における2-リチオベンゾチアゾールの使用を開示する。非特許文献1は、-78℃で、ベンゾチアゾールを含むTHF溶液に、n-BuLiを添加して、ベンゾチアゾールから2-リチオベンゾチアゾールを合成する事を開示する。
【0003】
非特許文献2は、in situで生成したオニウムアミド塩基を使用し、C(sp
2
)-H結合及びC(sp
3
)-H結合の有機触媒に依る脱プロトン性官能基化を開示する。非特許文献2は、in situで、アミノシランとフッ化オニウム(R4PF, R4NF)とを組み合わせて生成したオニウムアミドを、C(sp
2
)-H結合及び活性化C(sp
3
)-H結合の触媒的脱プロトン性官能基化の為の塩基として使用する事を開示する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0004】
Bulletin of the Chemical Society of Japan, 61, 1988, 3637-3648
Chem. Commun., 48, 2012, 9771-9773
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、新たに、ベンゾチアゾール誘導体の製造方法を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
ベンゾチアゾールのC(SP
2
)-H活性化として、従来、n-BuLi、オニウムアミド塩基等を使用する合成法が開発されている。それら従来法は、しかしながら、塩基が必要で有る事から、適応出来るベンゾチアゾール骨格に制限が有る、と言う課題が有る。
【0007】
本発明者は、前記課題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、電解反応を活用する事に依り、良好に、ベンゾチアゾール誘導体を製造する事が出来た。
【0008】
本発明者は、係る知見に基づき、更に研究を重ね、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、以下のベンゾチアゾール誘導体の製造方法を包含する。
【0009】
項1.
下記一般式(1):
TIFF
2025123187000001.tif
25
170
(式(1)中、R
1
は、各R
1
が、同一又は異なって、各々、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアルキルスルファニル基、置換されていても良いアシル基、置換されていても良いアシルオキシ基、置換されていても良いアルキルスルホニルオキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアリールスルホニルオキシ基、置換されていても良いアルコキシ-カルボニル基、置換されていても良いアリールオキシ-カルボニル基、置換されていても良いカルバモイル基、トリ置換シリル基、又は置換アミノ基を示す。
式(1)中、mは、1~4の整数を示す。
式(1)中、R
2
、及びR
3
は、同一又は異なって、各々、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアリール基、又は置換されていても良い複素環基を示す。)
で表されるベンゾチアゾール誘導体の製造方法であって、
下記一般式(2):
TIFF
2025123187000002.tif
25
170
(式(2)中、R
1
、及びmは、上記式(1)に同じである。)
で表されるベンゾチアゾール化合物と、
下記一般式(3):
TIFF
2025123187000003.tif
21
170
(式(3)中、R
2
、及びR
3
は、上記式(1)に同じである。)
で表されるケトン化合物とを、
電解反応させる工程を含む、製造方法。
【0010】
項2.
前記電解反応は、
(i)テトラブチルアンモニウムブロミド(TBABr)、過塩素酸リチウム(LiClO
4
)、過塩素酸マグネシウム(Mg(ClO
4
)
2
)、及び過塩素酸テトラブチルアンモニウム(Bu
4
NClO
4
)から成る群から選択される少なくとも一種の電解質、並びに
(ii)N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド(DMSO)、及びテトラヒドロフラン(THF)から成る群から選択される少なくとも一種の非プロトン性極性溶媒
を含む電解液を用いて行う、前記項1に記載の製造方法。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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