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公開番号2025129986
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-05
出願番号2024027018
出願日2024-02-26
発明の名称セラミックス部材、および基板保持部材
出願人日本特殊陶業株式会社
代理人弁理士法人i-MIRAI,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250829BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ガス流路を容易に形成することができ、基板の表面温度の均一性に寄与することができるセラミックス部材、および基板保持部材を提供する。
【解決手段】セラミックス部材100であって、セラミックス焼結体からなる基台110と、前記基台110の一方の主面112に形成された金属層120と、を備え、前記金属層120は、前記基台110の一方の主面112側の下面122と対向する上面124に開口したガス流路126を有し、前記基台110および前記金属層120は、前記ガス流路126に連通する1または複数の貫通孔130を有し、前記ガス流路126の表面は、前記金属層120のみが露出する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
セラミックス部材であって、
セラミックス焼結体からなる基台と、
前記基台の一方の主面に形成された金属層と、を備え、
前記金属層は、前記基台の一方の主面側の下面と対向する上面に開口したガス流路を有し、
前記基台および前記金属層は、前記ガス流路に連通する１または複数の貫通孔を有し、
前記ガス流路の表面は、前記金属層のみが露出する、ことを特徴とするセラミックス部材。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記基台は、媒体流路が形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載のセラミックス部材。
【請求項３】
前記金属層の厚みは、４００μｍ以上１２００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミックス部材。
【請求項４】
前記金属層は、高周波電極である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミックス部材。
【請求項５】
前記基台の側面の少なくとも一部に形成され、前記金属層と電気的に接続された第２の金属層をさらに備える、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセラミックス部材。
【請求項６】
基板保持部材であって、
セラミックス焼結体からなる基台と、
前記基台の一方の主面に形成された金属層と、
前記金属層の前記基台の一方の主面側の下面に対向する上面に接合層を介して前記金属層と接合された、基板載置面を有する静電チャックと、を備え、
前記金属層は、前記静電チャックの前記基板載置面に対向する下面と前記金属層の下面との間にガス流路を有し、
前記基台および前記金属層は、前記ガス流路に連通する１または複数の貫通孔を有し、
前記静電チャックは、前記基板載置面に開口し、前記ガス流路に連通する１または複数の第２の貫通孔を有し、
前記ガス流路の表面は、前記接合層または前記静電チャックの少なくとも一方、および前記金属層のみが露出する、ことを特徴とする基板保持部材。
【請求項７】
前記基台は、媒体流路が形成されている、ことを特徴とする請求項６に記載の基板保持部材。
【請求項８】
前記金属層の厚みは、４００μｍ以上１２００μｍ以下であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板保持部材。
【請求項９】
前記金属層は、高周波電極である、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板保持部材。
【請求項１０】
前記基台の側面の少なくとも一部に形成され、前記金属層と電気的に接続された第２の金属層をさらに備える、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の基板保持部材。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス部材、および基板保持部材に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
減圧容器内に基板（ウエハ）を設置し、基板上に原料ガスを供給して高周波電流（ＲＦ）などによって原料ガスをプラズマ化し、基板上に化学反応によって生成された物質を堆積させることで薄膜を形成するプラズマＣＶＤ等の成膜装置や、基板の表面に溝やパターン等を形成するため、プラズマを用いて削り取るプラズマエッチング装置において、静電チャック等に代表される基板保持部材が用いられている。
【０００３】
このような半導体プロセスにおいては、製造歩留まりの向上や単位時間当たりの処理枚数を増加させるため、ウエハの温度をできるだけ早く目的の温度となるように冷却したり、温度を均一に保つといった処理が必要である。このような手段の一つとして基板の載置面にＨｅやＡｒといった不活性ガスを供給することが行われている。
【０００４】
特許文献１には、基板処理装置として、チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を載置する載置台と、高周波電力を印加する高周波電源と、前記チャンバ内に所望のガスを供給するガス供給源と、を備え、前記載置台は、冷媒を通す流路が形成された第１のセラミックスの基材と、前記第１のセラミックスの基材の基板が載置される側の主面及び側面に形成された第１の導電層と、前記第１の導電層上に積層され、載置された基板を静電吸着する静電チャックと、を有し、前記流路の体積は、前記第１のセラミックスの基材の体積以上であり、前記第１の導電層に印加された高周波電力により前記所望のガスからプラズマを生成し、該プラズマにより前記載置された基板をプラズマ処理する、ことを特徴とする基板処理装置が開示されている。
【０００５】
特許文献１によれば、伝熱ガスは、第１のセラミックス基材を厚み方向に穿孔した伝熱ガス供給ラインが、第１のセラミックス基材に内包する経路と接続され、静電チャックの厚み方向に形成された貫通孔と経路が接続され、静電チャックの基板載置面側に伝熱ガスが供給されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１４－１６０７９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では、第１のセラミックス基材には冷媒を通すための流路と、伝熱ガスを通すための流路が基材内に内包するように形成されている。このような場合、それぞれの流路はセラミックス基材の別の層に配置しなければならず、接合工程の増加による製造コストの上昇の虞や、セラミックス基材の厚み増加につながる。そのため伝熱ガスの流路をセラミックス基材の表面に露出する溝として加工する方法も考えられる。しかしながら、例えばセラミックス基材としてＳｉＣを用いた場合、ＳｉＣは高硬度な材料であるため加工コストが高まるといった課題があった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ガス流路を容易に形成することができ、基板の表面温度の均一性に寄与することができるセラミックス部材、および基板保持部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記の目的を達成するため、本発明は、以下のような手段を講じた。すなわち、本発明の適用例のセラミックス部材は、セラミックス部材であって、セラミックス焼結体からなる基台と、前記基台の一方の主面に形成された金属層と、を備え、前記金属層は、前記基台の一方の主面側の下面と対向する上面に開口したガス流路を有し、前記基台および前記金属層は、前記ガス流路に連通する１または複数の貫通孔を有し、前記ガス流路の表面は、前記金属層のみが露出する、ことを特徴としている。
【００１０】
これにより、ガス流路を容易に形成することができ、基板の表面温度の均一性に寄与することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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