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公開番号2025135511
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-18
出願番号2024033417
出願日2024-03-05
発明の名称研磨パッドおよび研磨装置
出願人富士紡ホールディングス株式会社
代理人弁理士法人フィールズ国際特許事務所
主分類B24B 37/24 20120101AFI20250910BHJP(研削;研磨)
要約【課題】被研磨物の研磨の際に負に帯電するアルカリ性のスラリーを用いた場合における研磨後の研磨パッドの洗浄において、研磨面への異物の再吸着を抑制し、効率良く洗浄できる研磨パッドおよび研磨装置を提供する。
【解決手段】
本発明の一の態様によれば、研磨層11を備える研磨パッド10であって、研磨層11が、樹脂11Bを含み、pHが6、7、8、9、10、11の6種類の電解液を用いて測定した研磨層11の研磨面11Aにおけるゼータ電位の標準偏差が8mV以下である、研磨パッド10が提供される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
研磨層を備える研磨パッドであって、
前記研磨層が、樹脂を含み、
ｐＨが６、７、８、９、１０、１１の６種類の電解液を用いて測定した前記研磨層の研磨面におけるゼータ電位の標準偏差が８ｍＶ以下である、研磨パッド。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
研磨層を備える研磨パッドであって、
前記研磨層が、樹脂を含み、
ｐＨが６、７、８、９、１０、１１の６種類の電解液を用いて測定した前記研磨層の研磨面におけるゼータ電位の最大値と最小値の差の絶対値が２０ｍＶ以下である、研磨パッド。
【請求項３】
前記樹脂が、ポリウレタン樹脂を含む、請求項１または２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記樹脂が、ポリイソシアネートに由来する構成単位およびポリオールに由来する構成単位を含むイソシアネート基末端ウレタンプレポリマーと、多量体のポリアミンと、ポリオールとを含む硬化性樹脂組成物の硬化物であり、前記ポリオールに由来する構成単位が、エステル結合を含まず、かつ下記式（１）に示される構成単位を有する、請求項３に記載の研磨パッド。
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（式（１）中、Ｒは置換されていてもよい炭素数３～１２の直鎖状のアルキレン基を表し、ｍは４以上の整数を表す。
【請求項５】
前記ポリアミンが、三量体および四量体の少なくともいずれかを含む、請求項４に記載の研磨パッド。
【請求項６】
前記研磨層が、中空粒子をさらに含む、請求項１または２に記載の研磨パッド。
【請求項７】
請求項１または２に記載の研磨パッドを備える、研磨装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨パッドおよび研磨装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ等の被研磨物の研磨には、非常に精密な平坦性が要求されるため、スラリーと研磨パッドを用いた化学的機械研磨法（ＣＭＰ）が用いられている。ＣＭＰは、回転する研磨パッドの研磨面に、スラリーを供給しながら、半導体ウエハ等の被研磨物を圧接して回転させながら被研磨物の表面を研磨する方法である。
【０００３】
ＣＭＰによる被研磨物の研磨において、研磨層の研磨面のゼータ電位が被研磨物の研磨に影響を与えることがあることから、現在、研磨面のゼータ電位を調整する技術が注目されている。具体的には、アルカリ性スラリーを用いた場合の研磨面の目詰まりを抑制するために、ポリウレタン樹脂にカルボキシ基を導入して、ｐＨ５～８における研磨面のゼータ電位を－１０ｍＶ以下とする技術（例えば、特許文献１参照）および研磨面とスラリーとのなじみを良好とするために、中性領域において研磨面のゼータ電位を－５０ｍＶ以上０ｍＶ未満とする技術（例えば、特許文献２参照）が知られている。
【０００４】
ところで、ＣＭＰによる研磨後における研磨層の研磨面には、スラリーに含まれていた残存砥粒や研磨屑等の異物が残るため、多量の純水を用いた洗浄工程により異物を浮かせて研磨面から異物を取り除く必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
国際公開第２０２１／１１７８３４号
特許４３２６５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＣＭＰによる研磨後の洗浄工程において、研磨面から浮かせた異物が研磨面に再吸着することがある。特に、研磨の際に負に帯電するアルカリ性のスラリーを用いた場合には、研磨時にはスラリーと研磨面が両方負に帯電しているため静電的反発力が作用しているが、研磨後の洗浄工程において中性領域に近づくと、研磨面のゼータ電位が正に近づくため、残存砥粒等の異物が研磨面に再吸着されやすい。
【０００７】
このため、ｐＨが６～１１において研磨面のゼータ電位のばらつきが小さい研磨パッドが求められているが、従来の研磨パッドにおいては、ｐＨが６～８における研磨面のゼータ電位が、ｐＨが８～１１における研磨面のゼータ電位よりも大幅に高くなってしまうので、未だ、このような研磨パッドが得られていないのが現状である。
【０００８】
なお、特許文献１、２においては、中性領域において研磨面が負のゼータ電位を示すことが記載されているにすぎず、ｐＨが６～１１においてゼータ電位のばらつきが小さいことまでは開示されていない。また、特許文献１、２においては、ＣＭＰによる研磨後の洗浄工程における異物の再吸着についても開示または示唆されていない。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。すなわち、被研磨物の研磨の際に負に帯電するアルカリ性のスラリーを用いた場合における研磨後の研磨パッドの洗浄において、研磨層の研磨面への異物の再吸着を抑制し、効率良く洗浄できる研磨パッドおよび研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
[１]研磨層を備える研磨パッドであって、前記研磨層が、樹脂を含み、ｐＨが６、７、８、９、１０、１１の６種類の電解液を用いて測定した前記研磨層の研磨面におけるゼータ電位の標準偏差が８ｍＶ以下である、研磨パッド。
（【００１１】以降は省略されています）

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