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公開番号2025151037
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-09
出願番号2024052255
出願日2024-03-27
発明の名称電子部品
出願人TDK株式会社
代理人前田・鈴木国際特許弁理士法人
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】高温多湿環境下においてクラックの発生を抑制することができる電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、セラミック層は、主成分が一般式ABO₃で表されるペロブスカイト型化合物を含み、ペロブスカイト型化合物は、組成式(Ca_1-xSr_x)_m(Zr_1-y-zTi_yHf_z)O₃で表すことができる化合物であり、mは0.9～1.1の範囲であり、xは0≦x≦1を満たし、yおよびzは0.80≦1-y-z≦1.0を満たし、素子本体が、偏析を有し、偏析は、Caおよび/またはSrと、Mnと、Siと、Niと、Oと、を含む電子部品。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、
前記セラミック層は、主成分が一般式ＡＢＯ
3
で表されるペロブスカイト型化合物を含み、
前記ペロブスカイト型化合物は、組成式（Ｃａ
1-x
Ｓｒ
x
）
m
（Ｚｒ
1-y-z
Ｔｉ
y
Ｈｆ
z
）Ｏ
3
で表すことができる化合物であり、
前記ｍは０．９～１．１の範囲であり、
前記ｘは０≦ｘ≦１を満たし、
前記ｙおよび前記ｚは０．８０≦１－ｙ－ｚ≦１．０を満たし、
前記素子本体が、偏析を有し、
前記偏析は、Ｃａおよび／またはＳｒと、Ｍｎと、Ｓｉと、Ｎｉと、Ｏと、を含む電子部品。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記偏析はＡｌを含む請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記素子本体は、前記内部電極層の電極途切れ部に存在している前記偏析および／または前記セラミック層と前記内部電極層との積層界面に接するように存在している前記偏析を有する請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記偏析におけるＺｒおよびＴｉの合計原子量に対するＣａおよびＳｒの合計原子量の比｛（Ｃａ＋Ｓｒ）／（Ｚｒ＋Ｔｉ）｝が１．５～８．０である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記偏析におけるＭｎおよびＳｉの合計原子量に対するＭｎの原子量の比｛Ｍｎ／（Ｍｎ＋Ｓｉ）｝は０．０２以上０．５０未満である請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記偏析におけるＮｉおよびＳｉの合計原子量に対するＮｉの原子量の比｛Ｎｉ／（Ｎｉ＋Ｓｉ）｝は０．０２以上０．６未満である請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
前記内部電極層の単位長さ当たりの前記偏析の個数の平均値は、０．０５個／μｍ以上０．５個／μｍ未満である請求項３に記載の電子部品。
【請求項８】
前記偏析の粒径の平均値は０．１μｍ～１５μｍである請求項１に記載の電子部品。
【請求項９】
前記内部電極層に含まれる導電材の主成分はＮｉおよび／またはＮｉ系合金である請求項１～８のいずれかに記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック層と内部電極層とを有する電子部品に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
誘電体組成物からなるセラミック層と内部電極層とを交互に積層した積層セラミック電子部品が知られている。この積層セラミック電子部品では、セラミック層と内部電極層との間で収縮率や線膨張係数などの特性に差がある。このため、セラミック層と内部電極層との界面では、この特性の違いに起因して、クラックなどの構造欠陥が生じ易く、高温多湿環境下では、特にその傾向が顕著となる。
【０００３】
これに対して、たとえば特許文献１では、内部電極と誘電体層との界面に二次相物質を形成することで、焼成後のクラック発生個数を軽減させる方法が開示されているものの、高温多湿環境下における研究はなされていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－１２３６９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされ、高温多湿環境下においてクラックの発生を抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
セラミック層と内部電極層とが積層された素子本体を有する電子部品であって、
前記セラミック層は、主成分が一般式ＡＢＯ
3
で表されるペロブスカイト型化合物を含み、
前記ペロブスカイト型化合物は、組成式（Ｃａ
1-x
Ｓｒ
x
）
m
（Ｚｒ
1-y-z
Ｔｉ
y
Ｈｆ
z
）Ｏ
3
で表すことができる化合物であり、
前記ｍは０．９～１．１の範囲であり、
前記ｘは０≦ｘ≦１を満たし、
前記ｙおよび前記ｚは０．８０≦１－ｙ－ｚ≦１．０を満たし、
前記素子本体が、偏析を有し、
前記偏析は、Ｃａおよび／またはＳｒと、Ｍｎと、Ｓｉと、Ｎｉと、Ｏと、を含む。
【０００７】
本発明の電子部品は素子本体が所定の偏析を有していることから、高温多湿環境下において、クラックの発生を抑制することができる。
【０００８】
前記偏析はＡｌを含んでもよい。
【０００９】
好ましくは、前記偏析は、前記内部電極層の電極途切れ部に存在している。また、好ましくは、前記偏析は、前記セラミック層と前記内部電極層との積層界面に接するように存在している。すなわち、好ましくは、前記素子本体は、前記内部電極層の電極途切れ部に存在する前記偏析、および／または前記セラミック層と前記内部電極層との積層界面に接するように存在する前記偏析を有する。
【００１０】
これにより、高温多湿環境下において、クラックの発生をより抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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