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公開番号2025021815
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-14
出願番号2023125794
出願日2023-08-01
発明の名称半導体発光装置
出願人ローム株式会社
代理人個人,個人
主分類H01S 5/022 20210101AFI20250206BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】端面発光素子からのレーザ光の一部を受光素子が受光しやすくなること。
【解決手段】半導体発光装置10は、基板表面21を有する基板20と、基板表面21上に形成された第1表面電極61S、第2表面電極62S、および第3表面電極63Sと、基板表面21に対して垂直な厚さ方向と交差する方向を向く第1発光面33Aと、第1発光面33Aとは反対方向を向く第2発光面33Bと、を有し、第1表面電極61Sと電気的に接続された端面発光素子30と、受光領域49を含む第2素子表面41を有し、第2素子表面41を第2発光面33Bと対向して配置された状態で第2表面電極62Sおよび第3表面電極63Sと電気的に接続された受光素子40と、を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基板表面を有する基板と、
前記基板表面上に形成された第１表面電極、第２表面電極、および第３表面電極と、
前記基板表面に対して垂直な厚さ方向と交差する方向を向く第１発光面と、前記第１発光面とは反対方向を向く第２発光面と、を有し、前記第１表面電極と電気的に接続された端面発光素子と、
受光領域を含む第２素子表面を有し、前記第２素子表面を前記第２発光面と対向して配置された状態で前記第２表面電極および前記第３表面電極と電気的に接続された受光素子と、
を含む、半導体発光装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記受光素子は、
前記第２素子表面とは反対側の第２素子裏面と、
前記第２素子表面に形成された第１受光電極と、
前記第２素子裏面に形成された第２受光電極と、
を含み、
前記第１受光電極は、前記第２表面電極と電気的に接続され、
前記第２受光電極は、前記第３表面電極と電気的に接続されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記受光素子は、
前記第２素子表面とは反対側の第２素子裏面と、
前記第２素子裏面に互いに離隔して形成された第１受光電極および第２受光電極と、
を含み、
前記第１受光電極は、前記第２表面電極と電気的に接続され、
前記第２受光電極は、前記第３表面電極と電気的に接続されている、
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記端面発光素子は、
前記基板表面と同じ側を向く第１素子表面と、
前記第１素子表面とは反対側を向く第１素子裏面と、
前記第１素子表面に形成された第１発光電極と、
前記第１素子裏面に形成された第２発光電極と、
を含み、
前記端面発光素子の前記第２発光電極は、前記第１表面電極に電気的に接続されている
請求項２または３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記厚さ方向において前記第１表面電極と前記端面発光素子との間に介在し、前記第１表面電極と前記第２発光電極に接するサブマウント基板をさらに含む
請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記サブマウント基板は、導電性材料によって構成されている
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記サブマウント基板は、絶縁材料によって構成されており、
前記厚さ方向において前記サブマウント基板を貫通する貫通配線を含む
請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第２発光面は、出射領域を含み、
前記受光領域は、前記出射領域と対向している
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記受光領域の面積は、前記出射領域の面積よりも大きい
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記受光領域の中央は、前記出射領域と対向している
請求項９に記載の半導体発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を備える半導体発光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－４１８６６号公報
【０００４】
［概要］
ＬＥＤ素子を用いる場合、光源の高出力化に対応することが困難である。そこで、ＬＥＤ素子に代えて、例えば端面発光型レーザ（ＥＥＬ：Edge Emitting Laser）などのレーザ素子によって高出力化に対応することが考えられる。
【０００５】
また、半導体発光装置では、ＬＥＤ素子から出射される光の一部を受光する受光素子を備え、受光素子の受光量に基づいてＬＥＤ素子から出射される光の強度を制御する構成の採用が進められている。
【０００６】
このような半導体発光装置に対してＬＥＤ素子に代えてレーザ素子が用いられる場合、レーザ素子はＬＥＤ素子よりも指向角が狭いため、レーザ素子から出射されたレーザ光の一部を受光素子が受光することは難しい。
【０００７】
一様態の半導体発光装置は、基板表面を有する基板と、前記基板表面上に形成された第１表面電極、第２表面電極、および第３表面電極と、前記基板表面に対して垂直な厚さ方向と交差する方向を向く第１発光面と、前記第１発光面とは反対方向を向く第２発光面と、を有し、前記第１表面電極と電気的に接続された端面発光素子と、受光領域を含む第２素子表面を有し、前記第２素子表面を前記第２発光面と対向して配置された状態で前記第２表面電極および前記第３表面電極と電気的に接続された受光素子と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、第１実施形態の半導体発光装置の概略斜視図である。
図２は、図１の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図３は、図２のＦ３－Ｆ３線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
図４は、図２のＦ４－Ｆ４線で半導体発光装置の端面発光素子を切断した断面図である。
図５は、図４の端面発光素子の概略側面図である。
図６は、第２実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図７は、図６の半導体発光装置の概略側面図である。
図８は、第３実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図９は、第４実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１０は、第５実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１１は、第６実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１２は、第７実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１３は、第８実施形態の半導体発光装置の概略断面図である。
図１４は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１５は、変更例の半導体発光装置の概略断面図である。
図１６は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図１７は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図１８は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図１９は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図２０は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図２１は、変更例の半導体発光装置から封止部材を除いた状態の概略平面図である。
図２２は、図２１のＦ２２－Ｆ２２線で半導体発光装置を切断した概略断面図である。
【０００９】
［詳細な説明］
以下、添付図面を参照して本開示における半導体発光装置のいくつかの実施形態を説明する。なお、説明を簡単かつ明確にするために、図面に示される構成要素は、必ずしも一定の縮尺で描かれていない。また、理解を容易にするために、断面図ではハッチング線が省略されている場合がある。添付の図面は、本開示の実施形態を例示するに過ぎず、本開示を制限するものとみなされるべきではない。
【００１０】
以下の詳細な記載は、本開示の例示的な実施形態を具体化する装置、システム、および方法を含む。この詳細な記載は本来説明のためのものに過ぎず、本開示の実施形態またはこのような実施形態の適用および使用を限定することを意図しない。
（【００１１】以降は省略されています）

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