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公開番号
2025086181
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-06
出願番号
2023200072
出願日
2023-11-27
発明の名称
高周波モジュール及び通信装置
出願人
株式会社村田製作所
代理人
弁理士法人北斗特許事務所
主分類
H05K
1/18 20060101AFI20250530BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】高周波モジュールの低背化を図る。
【解決手段】高周波モジュール1は、実装基板2と、パワーアンプ3と、を備える。実装基板2は、第1主面21及び第2主面22を有する。第1主面21及び第2主面22は、互いに対向する。パワーアンプ3は、実装基板2の第1主面21に配置されており、RFバンプ35及びグランドバンプ34を有する。グランドバンプ34は、RFバンプ35より高さが高い。実装基板2は、第1凹部51を有する。第1凹部51は、実装基板2の第1主面21に形成されている。グランドバンプ34は、実装基板2の第1凹部51に配置されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
互いに対向する第1主面及び第2主面を有する実装基板と、
前記実装基板の前記第1主面に配置されており、RFバンプ及び前記RFバンプより高さが高いグランドバンプを有するパワーアンプと、を備え、
前記実装基板は、前記実装基板の前記第1主面に形成されている第1凹部を有し、
前記グランドバンプは、前記実装基板の前記第1凹部に配置されている、
高周波モジュール。
続きを表示(約 800 文字)
【請求項2】
前記実装基板は、前記実装基板の前記第1主面に形成されている第2凹部を更に有し、
前記パワーアンプの前記RFバンプは、前記実装基板の前記第2凹部に配置されている、
請求項1に記載の高周波モジュール。
【請求項3】
前記第1凹部と前記第2凹部とは連続している、
請求項2に記載の高周波モジュール。
【請求項4】
前記実装基板の前記第2凹部の側面は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において曲面である、
請求項2に記載の高周波モジュール。
【請求項5】
前記実装基板は、前記第1凹部及び前記第2凹部の少なくとも一つに形成されている配線パターン導体を有する、
請求項2に記載の高周波モジュール。
【請求項6】
前記実装基板は、前記第2凹部の側面に形成されている側面電極を有する、
請求項2に記載の高周波モジュール。
【請求項7】
前記パワーアンプの前記RFバンプは、前記実装基板の前記第1主面のうち凹部が形成されていない部分に配置されている、
請求項1に記載の高周波モジュール。
【請求項8】
前記実装基板は、前記グランドバンプが配置されている前記第1凹部に接続されているビア導体を有する、
請求項1~7のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
【請求項9】
前記実装基板の前記第1凹部の側面は、前記実装基板の厚さ方向からの平面視において曲面である、
請求項1~7のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
【請求項10】
前記実装基板は、前記第1凹部の側面に形成されている側面電極を有する、
請求項1~7のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、パワーアンプを備える高周波モジュール、及び、高周波モジュールを備える通信装置に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)
【背景技術】
【0002】
特許文献1には、凹部を有する基板を備える受動オンパッケージが記載されている。特許文献1に記載された受動オンパッケージでは、基板の凹部にバンプが配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特表2017-515295号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献1に記載された従来の受動オンパッケージでは、受動オンパッケージのような電子部品が実装基板に配置される高周波モジュールにおいて、高周波モジュールの低背化を図ることが難しい。
【0005】
本発明は、上記の点に鑑みてなされ、低背化を図ることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の一態様に係る高周波モジュールは、実装基板と、パワーアンプと、を備える。前記実装基板は、第1主面及び第2主面を有する。前記第1主面及び前記第2主面は、互いに対向する。前記パワーアンプは、前記実装基板の前記第1主面に配置されており、RFバンプ及びグランドバンプを有する。前記グランドバンプは、前記RFバンプより高さが高い。前記実装基板は、第1凹部を有する。前記第1凹部は、前記実装基板の前記第1主面に形成されている。前記グランドバンプは、前記実装基板の前記第1凹部に配置されている。
【0007】
本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記高周波モジュールに接続されている。
【発明の効果】
【0008】
本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、高周波モジュールの低背化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
図1は、実施形態1に係る高周波モジュールの断面図である。
図2は、同上の高周波モジュールのパワーアンプの下面図である。
図3は、同上の高周波モジュールの実装基板の平面図である。
図4は、実施形態1に係る通信装置のブロック図である。
図5は、実施形態2に係る高周波モジュールの断面図である。
図6は、実施形態3に係る高周波モジュールの断面図である。
図7は、実施形態4に係る高周波モジュールの実装基板の要部の平面図である。
図8Aは、実施形態5に係る高周波モジュールの実装基板の要部の断面図である。図8Bは、実施形態5の変形例1に係る高周波モジュールの実装基板の要部の断面図である。図8Cは、実施形態5の変形例2に係る高周波モジュールの実装基板の要部の断面図である。
図9は、実施形態6に係る高周波モジュールの実装基板の要部の平面図である。
図10は、実施形態7に係る高周波モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態1~7に係る高周波モジュール1及び通信装置8について、図面を参照して説明する。下記の実施形態等において参照する図1~図3、図5~図10は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比は、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
(【0011】以降は省略されています)
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