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公開番号2025113832
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-04
出願番号2024008196
出願日2024-01-23
発明の名称磁性体およびインダクタ
出願人株式会社村田製作所
代理人個人,個人
主分類H01F 17/04 20060101AFI20250728BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】μ値の低下を抑制しつつ、H_sat20を向上させた磁性体およびインダクタを提供する。
【解決手段】本開示の磁性体1は、第1金属磁性粒子MP1と、第1金属磁性粒子MP1よりもメジアン粒径が大きい第2金属磁性粒子MP2と、樹脂と、を含み、第1金属磁性粒子MP1は、第1絶縁被膜IM1によって被覆され、第2金属磁性粒子MP2は、第2絶縁被膜IM2によって被覆され、第1金属磁性粒子MP1のメジアン粒径をD1、第1絶縁被膜IM1の平均厚みをT1、第2金属磁性粒子MP2のメジアン粒径をD2、第2絶縁被膜IM2の平均厚みをT2としたときに、2.5≦(T1/D1)/(T2/D2)≦3.9、T2≦39.4nmの両方を充足する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１絶縁被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２絶縁被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１絶縁被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２絶縁被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する、磁性体。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ１は、４μｍ以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項３】
前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径Ｄ２は、１０μｍ以上である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項４】
前記第１絶縁被膜の平均厚みＴ１は、５ｎｍ以上である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項５】
前記第１金属磁性粒子と前記第２金属磁性粒子との重量配合比率は、
前記第１金属磁性粒子の重量：前記第２金属磁性粒子の重量が、３５：６５以上２０：８０以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項６】
前記樹脂は、前記磁性体全体基準において、２．３重量％以上３．６重量％以下である、請求項１に記載の磁性体。
【請求項７】
前記第１金属磁性粒子は、Ｆｅを含有し、前記第２金属磁性粒子は、ＦｅおよびＳｉを含有する、請求項１に記載の磁性体。
【請求項８】
前記第１金属磁性粒子は、前記第１金属磁性粒子の全体基準で９７重量％以上の結晶性のＦｅを含有する、請求項７に記載の磁性体。
【請求項９】
前記第２金属磁性粒子は、前記第２金属磁性粒子の全体基準で２重量％以上８重量％以下のＳｉを含有する、請求項７に記載の磁性体。
【請求項１０】
前記第１絶縁被膜は、シリカを含有する、請求項１に記載の磁性体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、磁性体およびインダクタに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化と高速処理化に伴い、インダクタにおいても小型化及び高出力化が求められている。インダクタの小型化を図ると、インダクタの磁性材料を含むコアの体積が減少し、インダクタンス（Ｌ値）の低下および／または直流重畳特性の悪化を招きやすい。
【０００３】
特許文献１には、平均粒径が異なる２つの粒子群を配合させて得た粒度分布を有する金属粉末、この金属粉末を用いて製造されたコア（磁性成形体）およびこのコアを用いて製造されたインダクタが記載されている。
【０００４】
特許文献１によれば、大粒径粒子同士の間にできる空隙に小粒径粒子を充填させることで、大粒子と小粒子を合わせた軟磁性粒子の充填率を高くし、高い透磁率と良好な直流重畳特性が得られる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－１１３４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のインダクタにおいて、大粒子は磁束が集中しやすく、Ｈ
ｓａｔ２０
を低下させる(直流重畳特性を悪くする)傾向がある。なお、本明細書でいうＨ
ｓａｔ２０
とは、直流電流が０のときのμ値を算出し、当該μ値から２０％低下したときの電流値Ｉ
ｓａｔ２０
と、磁性成形体の寸法と、銅線の巻回数と、に基づいて算出される、μ値が２０％低下したときの磁場を意図している。
【０００７】
Ｈ
ｓａｔ２０
を向上させるには、大粒子の比率を減らすことが考えられるが、磁性材料の占有率（充填率）の悪化やμ値の高い大粒子の減少により成形体（磁性体）全体のμ値が低下する問題が生じる。
【０００８】
本開示は、かかる課題に鑑みて為されたものである。即ち、本開示の主たる目的は、μ値の低下を抑制しつつ、Ｈ
ｓａｔ２０
を向上させた磁性体およびインダクタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の磁性体は、
第１金属磁性粒子と、前記第１金属磁性粒子よりもメジアン粒径が大きい第２金属磁性粒子と、樹脂と、を含み、
前記第１金属磁性粒子は、第１被膜によって被覆され、
前記第２金属磁性粒子は、第２被膜によって被覆され、
前記第１金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ１、前記第１被膜の平均厚みをＴ１、前記第２金属磁性粒子のメジアン粒径をＤ２、前記第２被膜の平均厚みをＴ２としたときに、
２．５≦（Ｔ１／Ｄ１）／（Ｔ２／Ｄ２）≦３．９
Ｔ２≦３９．４ｎｍ
の両方を充足する。
【００１０】
本開示のインダクタは、上述の磁性体を備えている。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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