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公開番号2025110373
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-28
出願番号2024195072
出願日2024-11-07
発明の名称位相シフトマスク及び表示装置の製造方法
出願人HOYA株式会社,韓国ホーヤ電子株式会社,HOYA ELECTRONICS KOREA CO.,LTD.,台湾豪雅光電股ふん有限公司,HOYA MICROELECTRONICS TAIWAN CO., LTD.,重慶邁特光電有限公司,CHONGQING MASTEK ELECTRONICS CO., LTD.
代理人個人,個人,個人
主分類G03F 1/29 20120101AFI20250718BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンの転写解像性に優れた位相シフトマスクを提供する。
【解決手段】透光性基板1上に、透光部11、位相シフト部12、及び遮光部13を備える位相シフトマスク10であって、透光部11は、ホール形状に透光性基板1が露出してなり、位相シフト部12は、透光部11の外周を囲うように設けられ、遮光部13は、位相シフト部12の外周を囲うように設けられ、透光部11の外周は、少なくとも1つの隅部に曲率半径R_Tの曲線を有する四角形状であり、位相シフト部12の外周は、曲率半径R_Tの曲線を有する隅部と隣接する隅部に曲率半径R_Pの曲線を少なくとも有する四角形状であり、曲率半径R_Tと曲率半径R_Pは、R_T≧R_Pの関係を満たす。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
透光性基板上に、透光部、位相シフト部、及び遮光部を備える位相シフトマスクであって、
前記透光部は、ホール形状に透光性基板が露出してなり、
前記位相シフト部は、前記透光部の外周を囲うように設けられ、
前記遮光部は、前記位相シフト部の外周を囲うように設けられ、
前記透光部の外周は、少なくとも１つの隅部に曲率半径Ｒ
Ｔ
の曲線を有する四角形状であり、
前記位相シフト部の外周は、前記曲率半径Ｒ
Ｔ
の曲線を有する前記隅部と隣接する隅部に曲率半径Ｒ
Ｐ
の曲線を少なくとも有する四角形状であり、
前記曲率半径Ｒ
Ｔ
と前記曲率半径Ｒ
Ｐ
は、Ｒ
Ｔ
≧Ｒ
Ｐ
の関係を満たす
ことを特徴とする位相シフトマスク。
続きを表示（約 820 文字）【請求項２】
前記位相シフト部の幅は、前記透光部の大きさよりも小さい
ことを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項３】
前記位相シフト部は、露光光に対する透過率が５％以上であり、
前記位相シフト部を透過する露光光と、前記透光部を透過する前記露光光との間に生じる位相差は、１５０度以上２１０度以下である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスク。
【請求項４】
前記遮光部は、露光光に対する光学濃度ＯＤが２以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスク。
【請求項５】
前記位相シフト部の幅は、０．５μｍ以上２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の位相シフトマスク。
【請求項６】
前記透光部の大きさは、４μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の位相シフトマスク。
【請求項７】
前記透光部の曲率半径Ｒ
Ｔ
は、０．４μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスク。
【請求項８】
前記位相シフト部は、位相シフト膜からなり、前記透光部は、前記位相シフト膜の一部をホール形状に除去されて透光性基板が露出した構成からなることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスク。
【請求項９】
前記遮光部は、前記位相シフト膜と遮光膜が積層してなることを特徴とする請求項８記載の位相シフトマスク。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の位相シフトマスクを露光装置のマスクステージに載置する工程と、
前記位相シフトマスクに露光光を照射して、表示装置用の基板上に設けられたレジスト膜に転写パターンを転写する工程と、
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相シフトマスク及び表示装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）を代表とするＦＰＤ（Flat Panel Display）等の表示装置では、大画面化、広視野角化、折りたたみなどのフレキシブル化とともに、高精細化、高速表示化が急速に進んでいる。この高精細化、高速表示化のために必要な要素の１つが、微細で寸法精度の高い素子および配線等の電子回路パターンを作製することである。この表示装置用電子回路のパターニングにはフォトリソグラフィが用いられることが多い。このため、微細で高精度なパターンが形成された表示装置製造用の位相シフトマスクが必要である。この位相シフトマスクは、バイナリマスクの遮光部に相当する部分を、低い透過率と１８０度の位相シフト量をもつハーフトーン膜によって形成したものである。
【０００３】
例えば、特許文献１には、露光光に対して透明な基板により構成された透過部１と、露光光の波長λに対してｄ＝ｋλ／（ｎ－１）（ｎは位相シフタの露光波長λに対する屈折率、ｋは奇数の整数）で表される膜厚ｄを有し且つ露光光に対する透過率が５～２０％である半透過位相シフタ層により、透過部１の周囲の基板上に形成された半透過部２と、半透過部２の領域の外側の半透過位相シフタ層上に、遮光層あるいは難透光層からなる外領域部３を積層して構成するハーフトーン型位相シフトマスクが記載されている。
また、特許文献２には、透明基板上に、下層膜、上層膜が積層して形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、前記上層膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記上層膜をエッチングする上層膜予備エッチング工程と、少なくともエッチングされた前記上層膜をマスクとして前記下層膜をエッチングし、下層膜パターンを形成する下層膜パターニング工程と、少なくとも前記レジストパターンをマスクとして前記上層膜をサイドエッチングし、上層膜パターンを形成する上層膜パターニング工程と、を有するフォトマスクの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平９－３２５４６８号公報
特許第５９９３３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、上記表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、「ＴＦＴ」）で言えば、ＴＦＴを構成する複数のパターンのうち、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールが、確実に上層及び下層のパターンを接続させる作用をもたなければ正しい動作が保証されない。その一方、表示装置の開口率を極力大きくして、明るく、省電力の表示装置とするためには、コンタクトホールの径が十分に小さいことが求められる。これに伴い、このようなコンタクトホールを形成するためのフォトマスクが備えるホールパターンの径も微細化（例えば３μｍ未満）が望まれている。例えば、径が２．５μｍ以下、更には、径が２．０μｍ以下のホールパターンが必要となり、近い将来、これを下回る１．５μｍ以下の径をもつパターンの形成も望まれると考えられる。こうした背景により、微小なコンタクトホールを確実に転写可能とする、表示装置の製造技術が必要とされている。
【０００６】
しかしながら、従来においては、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンの転写解像性に優れた位相シフトマスク及び表示装置の製造方法を得ることは、容易でないことが分かった。
【０００７】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、表示装置製造用マスクの露光環境に有利に適合し、微細なホールパターンの転写解像性に優れた位相シフトマスク及び表示装置の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記の課題を解決する手段として、以下の構成を有する。
【０００９】
（構成１）透光性基板上に、透光部、位相シフト部、及び遮光部を備える位相シフトマスクであって、
前記透光部は、ホール形状に透光性基板が露出してなり、
前記位相シフト部は、前記透光部の外周を囲うように設けられ、
前記遮光部は、前記位相シフト部の外周を囲うように設けられ、
前記透光部の外周は、少なくとも１つの隅部に曲率半径Ｒ
Ｔ
の曲線を有する四角形状であり、
前記位相シフト部の外周は、前記曲率半径Ｒ
Ｔ
の曲線を有する前記隅部と隣接する隅部に曲率半径Ｒ
Ｐ
の曲線を少なくとも有する四角形状であり、
前記曲率半径Ｒ
Ｔ
と前記曲率半径Ｒ
Ｐ
は、Ｒ
Ｔ
≧Ｒ
Ｐ
の関係を満たす
ことを特徴とする位相シフトマスク。
【００１０】
（構成２）前記位相シフト部の幅は、前記透光部の大きさよりも小さい
ことを特徴とする構成１記載の位相シフトマスク。
（【００１１】以降は省略されています）

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