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公開番号2025114048
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-05
出願番号2024008456
出願日2024-01-24
発明の名称光電変換装置及び飛行体
出願人ソフトバンク株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10F 10/00 20250101AFI20250729BHJP()
要約【課題】太陽電池は紫外光域の光を有効に利用することが望まれている。
【解決手段】入射した光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する第1光電変換部と、前記第1光電変換部の受光面側に配される第2光電変換部とを積層したタンデム型の光電変換素子と、前記第2光電変換部の受光面側に配される波長変換部と、を備える光電変換装置を提供する。前記波長変換部は、400nm未満の波長を前記第2光電変換部の吸収波長に変換する波長変換材料を含む。光電変換装置と、前記光電変換装置が発生させた電気エネルギーを利用して推進力を発生させる推進力発生装置と、を備える、飛行体を提供する。
【選択図】図2A
特許請求の範囲【請求項１】
入射した光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部の受光面側に配される第２光電変換部とを積層したタンデム型の光電変換素子と、
前記第２光電変換部の受光面側に配される波長変換部と、
を備え、
前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を前記第２光電変換部の吸収波長に変換する波長変換材料を含む
光電変換装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を、４００ｎｍ以上の波長に変換する
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を変換した光の波長が前記第２光電変換部の吸収波長域内となるように変換する
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記光電変換素子は、シリコン系の光起電力素子、ＩＩＩ－Ｖ系の光起電力素子、ペロブスカイト型の光起電力素子、ＣＩＳ太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感起電素子、有機薄膜光起電素子または亜酸化銅太陽電池の少なくとも２つを含む
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２光電変換部の吸収波長域の上限値は、前記第１光電変換部の吸収波長域の上限値よりも低い
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記光電変換素子は、２端子構造を有する
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記光電変換素子は、４端子構造または３端子構造を有する
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記波長変換材料は、有機色素、希土類錯体、発光イオンがドープされた無機結晶若しくはガラス、無機蛍光体ナノ粒子、量子ドット、酸化物蛍光体ナノ粒子の少なくとも１つを含む
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記波長変換部は、
前記第２光電変換部の少なくとも受光面側に配され、予め定められた第１波長領域の光の波長を変換する第１波長変換層と、
前記第１波長変換層の受光面側に配され、予め定められた第２波長領域の光の波長を変換する第２波長変換層と、
を有し、
前記第１波長領域の上限値は前記第２波長領域の上限値と異なる、および／または、前記第１波長領域の下限値は前記第２波長領域の下限値と異なる、
請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記第１波長領域は、１００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の波長領域を含み、
前記第２波長領域は、１００ｎｍ以上、４００ｎｍ以下の波長領域を含む
請求項９に記載の光電変換装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換装置及び飛行体に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１～６には、単数若しくは複数の波長変換物質を含む波長変換層を備えた太陽電池が開示されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開平０７－１４２７５２号公報
［特許文献２］特開２０１６－１４５２９５号公報
［特許文献３］特開２０１９－２１５４５１号公報
［特許文献４］特開２０１９－０５０３８１号公報
［特許文献５］特開２０２２－０５６３１９号公報
［特許文献６］特開２０１３－０６９７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
太陽電池は紫外光域の光を有効に利用することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、光電変換装置が提供される。上記の光電変換装置は、入射した光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する第１光電変換部と、前記第１光電変換部の受光面側に配される第２光電変換部とを積層したタンデム型の光電変換素子を備えてよい。上記の光電変換装置は、前記第２光電変換部の受光面側に配される波長変換部を備えてよい。前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を前記第２光電変換部の吸収波長に変換する波長変換材料を含んでよい。
【０００５】
上記光電変換装置において、前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を、４００ｎｍ以上の波長に変換してよい。
【０００６】
上記いずれかの光電変換装置において、前記波長変換部は、４００ｎｍ未満の波長を変換した光の波長が前記第２光電変換部の吸収波長域内となるように変換してよい。
【０００７】
上記いずれかの光電変換装置において、前記光電変換素子は、シリコン系の光起電力素子、ＩＩＩ－Ｖ系の光起電力素子、ペロブスカイト型の光起電力素子、ＣＩＳ太陽電池、ＣＩＧＳ太陽電池、色素増感起電素子、有機薄膜光起電素子または亜酸化銅太陽電池の少なくとも２つを含んでよい。
【０００８】
上記いずれかの光電変換装置において、前記第２光電変換部の吸収波長域の上限値は、前記第１光電変換部の吸収波長域の上限値よりも低くてよい。
【０００９】
上記いずれかの光電変換装置において、前記光電変換素子は、２端子構造を有してよい。
【００１０】
上記いずれかの光電変換装置において、前記光電変換素子は、４端子構造または３端子構造を有してよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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