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公開番号2025115210
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-06
出願番号2024009623
出願日2024-01-25
発明の名称熱伝導性シート
出願人デンカ株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類C08G 59/06 20060101AFI20250730BHJP(有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物)
要約【課題】高いガラス転移温度を有する絶縁性の熱伝導性シートを提供することを目的とする。
【解決手段】所定の繰り返し単位を有するエポキシ樹脂Aと、熱伝導性フィラーと、を含む、熱伝導性シート。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（１）で表される繰り返し単位を有するエポキシ樹脂Ａと、
熱伝導性フィラーと、を含む、
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2025115210000011.jpg
57
170
（式中、Ｒは、各々独立して、水素原子又は下記式（２）で表される基であり、少なくとも、１つのＲは下記式（２）で表される基を示す。）
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2025115210000012.jpg
15
170
（式中、Ｘは、２価のアリール基又は２価のビスフェノール骨格を示す。）
熱伝導性シート。
続きを表示（約 980 文字）【請求項２】
前記Ｒが、下記式（２ａ）で表される、
請求項１に記載の熱伝導性シート。
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2025115210000013.jpg
17
170
【請求項３】
前記式（１）で表される繰り返し単位におけるＲ基以外で示される骨格が、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂Ａ１に由来し、
前記式（２）で表される前記Ｒ基が、２価のアリール基又は２価のビスフェノール骨格を有するエポキシ樹脂Ａ２に由来する、
請求項１に記載の熱伝導性シート。
【請求項４】
前記エポキシ樹脂Ａ２のエポキシ当量ａが、１３０～１９５ｇ／ｅｑである、
請求項３に記載の熱伝導性シート。
【請求項５】
前記ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂Ａ１のＯＨ当量ｂが、１００～１２０ｇ／ｅｑである、
請求項３に記載の熱伝導性シート。
【請求項６】
前記エポキシ樹脂Ａ２のエポキシ当量ａに対する前記ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂Ａ１のＯＨ当量ｂの比（ｂ／ａ）が、０．１５～０．９０である、
請求項３に記載の熱伝導性シート。
【請求項７】
前記熱伝導性フィラーが、窒化ホウ素凝集体を含む、
請求項１に記載の熱伝導性シート。
【請求項８】
第一金属層と、
該第一金属層上に配置された絶縁層と、
該絶縁層上に配置された第二金属層と、を備え、
前記絶縁層が請求項１～７のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを含む、
積層体。
【請求項９】
請求項１～７のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを準備する工程と、
前記熱伝導性シートを、金属箔と金属基板との間に挟みながらプレス加熱して積層体を得る工程と、を含む、
積層体の製造方法。
【請求項１０】
第一金属層と、
該第一金属層上に配置された絶縁層と、
該絶縁層上に配置された第二金属層と、を備え、
前記絶縁層が請求項１～６のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを含み、
前記第二金属層が回路部である、
回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱伝導性シートに関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子をはじめとする電子・電気部品を搭載して混成集積回路を形成するための回路基板として、これまで様々な回路基板が実用化されている。回路基板は、基板材質に基づいて、樹脂回路基板、セラミックス回路基板、金属ベース回路基板等に分類されている。
【０００３】
樹脂回路基板は、安価ではあるが基板の熱伝導性が低いので比較的小さな電力で利用される用途に制限される。セラミックス回路基板は、絶縁信頼性及び耐熱性が高いというセラミックスの特徴から、比較的大きな電力で利用される用途に適するが、高価であるという欠点を有している。一方、金属ベース回路基板は、両者の中間的な性質を有し、比較的大きな電力で利用される汎用的な用途、例えば、冷蔵庫用インバーター、業務用空調用インバーター、産業用ロボット用電源、自動車用電源等の用途に好適である。
【０００４】
例えば、特許文献１には、高温処理における絶縁層の接着信頼性の低下を課題として、２つの金属層を絶縁層により接着する構造を有する金属ベース回路基板用の積層体として、絶縁層との接合する金属層の表面粗さを規定した積層体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開2022-173751号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、セラミックス回路基板を金属ベース回路基板に代替することができれば、生産性の向上が期待できる。また、セラミックス回路基板は、ヒートサイクル時に基板上ではんだクラックが生じやすいという課題があるが、金属ベース回路基板への代替により、はんだクラックの発生抑制が期待できる。一方、セラミックス回路基板が用いられている産業用モジュール分野等においては、はんだリフロー処理等の高温処理が行われるが、従来の金属ベース回路基板では、高温処理後に金属層を接着する絶縁層の接着信頼性が低下する場合があった。そのため、金属ベース回路基板用の積層体の絶縁層として使用できるような、高いガラス転移温度を有する絶縁性の熱伝導性シートが望まれていた。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高いガラス転移温度を有する硬化物を与えることのできる絶縁性の熱伝導性シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意検討した。その結果、所定のエポキシ樹脂を使用することで上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
〔１〕
下記式（１）で表される繰り返し単位を有するエポキシ樹脂Ａと、
熱伝導性フィラーと、を含む、
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2025115210000002.jpg
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（式中、Ｒは、各々独立して、水素原子又は下記式（２）で表される基であり、少なくとも、１つのＲは下記式（２）で表される基を示す。）
JPEG
2025115210000003.jpg
15
170
（式中、Ｘは、２価のアリール基又は２価のビスフェノール骨格を示す。）
熱伝導性シート。
〔２〕
前記Ｒが、下記式（２ａ）で表される、
〔１〕に記載の熱伝導性シート。
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2025115210000004.jpg
17
170
〔３〕
前記エポキシ樹脂Ａのエポキシ当量ａが、１７０～１９５ｇ／ｅｑである、
〔１〕に記載の熱伝導性シート。
〔４〕
前記エポキシ樹脂ＡのＯＨ当量ｂが、１００～１２０ｇ／ｅｑである、
〔１〕に記載の熱伝導性シート。
〔５〕
前記エポキシ樹脂Ａのエポキシ当量ａに対するＯＨ当量ｂの比（ｂ／ａ）が、０．１５～０．９０である、
〔１〕に記載の熱伝導性シート。
〔６〕
前記熱伝導性フィラーが、窒化ホウ素凝集体を含む、
〔１〕に記載の熱伝導性シート。
〔７〕
第一金属層と、
該第一金属層上に配置された絶縁層と、
該絶縁層上に配置された第二金属層と、を備え、
前記絶縁層が〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを含む、
積層体。
〔８〕
〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを準備する工程と、
前記熱伝導性シートを、金属箔と金属基板との間に挟みながらプレス加熱して積層体を得る工程と、を含む、
積層体の製造方法。
〔９〕
第一金属層と、
該第一金属層上に配置された絶縁層と、
該絶縁層上に配置された第二金属層と、を備え、
前記絶縁層が〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載の熱伝導性シートを含み、
前記第二金属層が回路部である、
回路基板。
〔１０〕
〔７〕に記載の積層体を準備する工程と、
前記積層体の前記第一金属層の一部、又は、前記第二金属層の一部を除去して、回路部を形成する工程と、を含む、
回路基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高いガラス転移温度を有する硬化物を与えることのできる絶縁性の熱伝導性シートを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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