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公開番号
2025119617
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-08-14
出願番号
2025069552,2024024504
出願日
2025-04-21,2020-02-03
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類
G06N
3/065 20230101AFI20250806BHJP(計算;計数)
要約
【課題】少ない消費電力で積和演算が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】回路MC、MCrを有する半導体装置であって、回路MCは、保持部HCと、第1トランジスタと、を有し、回路は、保持部HCrと、第2トランジスタと、を有する。回路のそれぞれは、第1、第2入力配線X1L、X2Lと、第1、第2配線OL、OLBと、に電気的に接続されている。保持部HCは、第1トランジスタに流れる第1電流を保持する機能を有し、保持部HCrは、第2トランジスタに流れる第2電流を保持する機能を有し、第1、第2電流は、第1データに応じて定まる。第1、第2入力配線に、第2データに応じた電位が入力されることによって、回路MCは、第1配線又は第2配線の一方に電流を出力し、回路MCrは、第1配線又は第2配線の他方に電流を出力する。回路が第1配線又は第2配線に出力する電流の量は、第1データと第2データと、に応じて決まる。
【選択図】図9
特許請求の範囲
【請求項1】
メモリセルと、
定電流源回路を有する第1の回路と、
第2の回路と、を有し、
前記メモリセルは、配線を介して前記第1の回路と電気的に接続され、
前記メモリセルは、前記配線を介して前記第2の回路と電気的に接続され、
前記第1の回路は、前記定電流源回路を用いて重み係数に応じた電流を前記メモリセルに供給する機能を有し、
前記メモリセルは、前記重み係数に応じた電流を保持する機能を有し、
前記第2の回路は、演算を行う機能を有する半導体装置。
続きを表示(約 74 文字)
【請求項2】
請求項1において、
前記第2の回路は、ニューラルネットワークの活性化関数の演算を行う機能を有する半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、半導体装置、及び電子機器に関する。
続きを表示(約 3,500 文字)
【0002】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、
プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物(コンポジション・オブ・マター)
に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術
分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、
記憶装置、信号処理装置、プロセッサ、電子機器、システム、それらの駆動方法、それら
の製造方法、又はそれらの検査方法を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0003】
現在、人間の脳の仕組みを模した集積回路の開発が盛んに進められている。当該集積回
路は、脳の仕組みが電子回路として組み込まれており、人間の脳の「ニューロン」と「シ
ナプス」に相当する回路を有する。そのため、そのような集積回路を、「ニューロモーフ
ィック」や「ブレインモーフィック」や「ブレインインスパイア」と呼ぶこともある。当
該集積回路は、非ノイマン型アーキテクチャを有し、処理速度の増加に伴って消費電力が
大きくなるノイマン型アーキテクチャと比較して、極めて少ない消費電力で並列処理を行
えると期待されている。
【0004】
「ニューロン」と「シナプス」とを有する神経回路網を模した情報処理のモデルは、人工
ニューラルネットワーク(ANN)と呼ばれる。例えば、非特許文献1、及び非特許文献
2には、SRAM(Static Random Access Memory)を用い
て、人工ニューラルネットワークを構成した演算装置について開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0005】
M. Kang et al., ”IEEE Journal Of Solid-State Circuits”, 2018, Volume 53, No.2, p.642-655.
J. Zhang et al., “IEEE Journal Of Solid-State Circuits”, 2017, Volume 52, No.4, p.915-924.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
人工ニューラルネットワークでは、2つのニューロン同士を結合するシナプスの結合強
度(重み係数という場合がある。)と、2つのニューロン間で伝達する信号と、を乗じる
計算が行われる。特に、階層型の人工ニューラルネットワークでは、第1層の複数の第1
ニューロンと第2層の第2ニューロンの一との間のそれぞれのシナプスの結合強度と、第
1層の複数の第1ニューロンから第2層の第2ニューロンの一に入力されるそれぞれの信
号と、を乗じて足し合わせる必要があり、人工ニューラルネットワークの規模に応じて、
例えば、当該結合強度の数、当該信号を示すパラメータの数が決まる。つまり、人工ニュ
ーラルネットワークは、階層の数、ニューロン数などが多くなる程、「ニューロン」及び
「シナプス」のそれぞれに相当する回路の数が多くなり、演算量も膨大になることがある
。
【0007】
チップを構成する回路の数が増えると消費電力が高くなり、装置の駆動時に発生する発
熱量も大きくなる。特に、発熱量が高くなるほど、チップに含まれている回路素子の特性
に影響が出るため、チップを構成する回路は温度による影響を受けにくい回路素子を有す
ることが好ましい。また、チップに含まれているトランジスタや電流源などの特性がばら
つくと、演算結果もばらついてしまう。
【0008】
本発明の一態様は、階層型の人工ニューラルネットワークが構築された半導体装置など
を提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、消費電力が低い半導体装置
などを提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、環境の温度の影響を受
けにくい半導体装置などを提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、ト
ランジスタの特性ばらつきの影響を受けにくい半導体装置などを提供することを課題の一
とする。又は、本発明の一態様は、電流源の特性ばらつきの影響を受けにくい半導体装置
などを提供することを課題の一とする。又は、本発明の一態様は、新規な半導体装置など
を提供することを課題の一とする。
【0009】
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は
、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目
で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又
は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる
。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題のうち、少なくとも一つの
課題を解決するものである。なお、本発明の一態様は、上記列挙した課題、及び他の課題
の全てを解決する必要はない。
【課題を解決するための手段】
【0010】
(1)
本発明の一態様は、第1回路と、第2回路と、を有する半導体装置であって、第1回路
は、第1保持部と、第1駆動トランジスタと、を有し、第2回路は、第2保持部と、第2
駆動トランジスタと、を有し、第1回路は、第1入力配線、第2入力配線、第1配線、及
び、第2配線に電気的に接続され、第2回路は、第1入力配線、第2入力配線、第1配線
、及び、第2配線に電気的に接続され、第1保持部は、第1配線から第1駆動トランジス
タのソース-ドレイン間に流れる第1電流に応じた第1電位を保持する機能を有し、第2
保持部は、第2配線から第2駆動トランジスタのソース-ドレイン間に流れる第2電流に
応じた第2電位を保持する機能を有し、第1駆動トランジスタは、第1駆動トランジスタ
のソース-ドレイン間において、保持された第1電位に応じた第1電流を流す機能を有し
、第2駆動トランジスタは、第2駆動トランジスタのソース-ドレイン間において、保持
された第2電位に応じた第2電流を流す機能を有し、第1回路は、第1入力配線に第1レ
ベル電位が入力され、かつ第2入力配線に第2レベル電位が入力されたときに、第1電流
を第1配線に出力する機能と、第1入力配線に第2レベル電位が入力され、かつ第2入力
配線に第1レベル電位が入力されたときに、第1電流を第2配線に出力する機能と、第1
入力配線に第2レベル電位が入力され、かつ第2入力配線に第2レベル電位が入力された
ときに、第1電流を第1配線、及び第2配線に出力しない機能と、を有し、第2回路は、
第1入力配線に第1レベル電位が入力され、かつ第2入力配線に第2レベル電位が入力さ
れたときに、第2電流を第2配線に出力する機能と、第1入力配線に第2レベル電位が入
力され、かつ第2入力配線に第1レベル電位が入力されたときに、第2電流を第1配線に
出力する機能と、第1入力配線に第2レベル電位が入力され、かつ第2入力配線に第2レ
ベル電位が入力されたときに、第2電流を第1配線、及び第2配線に出力しない機能と、
を有し、第1電流、第2電流のそれぞれは、第1データに応じた電流量を有し、第1入力
配線、第2入力配線、第3入力配線、第4入力配線のそれぞれに入力される第1レベル電
位、第2レベル電位は、第2データに応じて決められる、半導体装置である。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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