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公開番号2025121322
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-19
出願番号2024016712
出願日2024-02-06
発明の名称導電層選択保護膜用材料および成膜方法
出願人住友精化株式会社
代理人
主分類H01L 21/312 20060101AFI20250812BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本発明は、十分な保護膜性と高温耐性を有する膜を形成することを可能にした導電層選択保護膜用材料を提供することにある。
【解決手段】8-フェニル-1-オクタンチオールもしくは2-フェニル-1,3-プロパンジチオールからなる導電層選択保護膜用材料。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
８－フェニル－１－オクタンチオールからなる導電層選択保護膜用材料。
続きを表示（約 240 文字）【請求項２】
２－フェニル－１，３－プロパンジチオールからなる導電層選択保護膜用材料。
【請求項３】
（Ａ）真空装置内のステージに基板を設置し、ステージを加熱することと、
（Ｂ）真空装置内に混合ガスを注入し、基板表面の酸化膜を除去することと、
（Ｃ）真空装置内のステージ温度を下げて、８－フェニル－１－オクタンチオールもしくは２－フェニル－１，３－プロパンジチオールからなる硫黄系化合物を注入し、基板上の導電層に吸着させることを含む、成膜方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電層選択保護膜用材料及び成膜方法に関するものである。より具体的には、特定の硫黄系化合物の導電層選択保護膜用材料及びその材料を成膜させる方法に関するものである。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体を製造する際に、基板に極端紫外線やフッ化アルゴンレーザーなどで回路パターンを転写する手法をリソグラフィと呼ばれる。リソグラフィの手法では、基板の導電層としてコバルトや銅などが用いられるが、保護膜としてコバルトや銅等の金属へ選択的に吸着する選択膜材料が好ましく用いられる。
【０００３】
特許文献1では、均一な自己組織化単分子膜を所望の領域に選択的に形成できる成膜方法が開示されている。
【０００４】
特許文献２では、簡単な操作にて、基板上の非金属無機材料を含む表面領域に対してよりも、金属元素を含む表面領域に選択的に有機物の膜を堆積させることができる選択的膜堆積方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１８－１３７４３５号公報
再公表ＷＯ２０２２／１６３８２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、リソグラフィのみを利用した金属配線を形成した場合、成膜の位置ずれが発生し配線のショートリスクが増大してしまうため、リスク低減のための、新規な導電層選択保護膜用材料が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、特定の硫黄系化合物を用いることにより、十分な保護膜性と高温耐性を有する成膜となることを見出し、本発明に完成させるに至った。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、十分な保護膜性と高温耐性を有する膜を形成することを可能にした導電層選択保護膜用材料を提供することにある。また、その材料を用いた成膜方法も提供する。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（導電層選択保護膜用材料）
本発明の導電層選択保護膜用材料は、硫黄系化合物が挙げられ、具体的には８－フェニル－１－オクタンチオールもしくは２－フェニル－１，３－プロパンジチオールである。
【００１０】
（８－フェニル－１－オクタンチオールの製造方法）
本発明の導電層選択保護膜用材料である８－フェニル－１－オクタンチオールの製造方法は、下記工程（ａ）～（ｅ）を含む。（ａ）反応、（ｂ）抽出、（ｃ）洗浄、（ｄ）乾燥、（ｅ）濾過及び留去。
（【００１１】以降は省略されています）

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