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公開番号2025128380
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-02
出願番号2025102794,2023547023
出願日2025-06-18,2022-09-12
発明の名称ペリクル枠、ペリクル、ペリクルの製造方法、及びペリクル枠の評価方法
出願人三井化学株式会社
代理人弁理士法人太陽国際特許事務所
主分類G03F 1/64 20120101AFI20250826BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】フォトマスクの歪みを抑制することができるペリクル枠の提供。
【解決手段】ペリクル枠は、フォトマスクに粘着可能な粘着層が設けられる一方の端面とペリクル膜を支持する他方の端面とを有する。ペリクル枠は、矩形状のペリクル枠(但し、石英ガラスを含むペリクル枠は除く。)である。前記一方の端面のねじれ量Δdが10μm以下である。前記一方の端面のねじれ量Δdは、前記一方の端面の四隅の4地点のうち3地点を通る仮想平面と残りの1地点との距離の最大値を示す。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
フォトマスクに粘着可能な粘着層が設けられる一方の端面と、
ペリクル膜を支持する他方の端面と
を有する、矩形状のペリクル枠（但し、石英ガラスを含むペリクル枠は除く。）であって、
前記一方の端面のねじれ量Δｄが１０μｍ以下であり、
前記一方の端面のねじれ量Δｄは、前記一方の端面の四隅の４地点のうち３地点を通る仮想平面と残りの１地点との距離の最大値を示す、ペリクル枠。
続きを表示（約 830 文字）【請求項２】
前記他方の端面のねじれ量Δｄが１０μｍ以下であり、
前記他方の端面のねじれ量Δｄは、前記他方の端面の四隅の４地点のうち３地点を通る仮想平面と残りの１地点との距離の最大値を示す、請求項１に記載のペリクル枠。
【請求項３】
金属を含む、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項４】
アルミニウム、チタン、ステンレス、炭素系材料、樹脂、シリコン、及びセラミックス系材料から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項５】
ヤング率が、９０ＧＰａ以上である、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項６】
前記一方の端面のねじれ量Δｄが、１μｍ以上である、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項７】
前記一方の端面のＴＩＲ値が３０μｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項８】
前記他方の端面のＴＩＲ値が３０μｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠。
【請求項９】
請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠と、
前記一方の端面に設けられた、前記粘着層と、
前記他方の端面に支持された、前記ペリクル膜と
を備える、ペリクル。
【請求項１０】
請求項１又は請求項２に記載のペリクル枠を準備する工程と、
塗布組成物を前記一方の端面に塗布して塗布層を形成し、前記塗布層を平坦化用物品の平坦面に接触させた状態で前記塗布層を加熱した後に、前記塗布層をベークして、前記粘着層を形成する工程と
を有し、
前記粘着層の厚みが１０μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記平坦面のＴＩＲ値が１０μｍ未満である、ペリクルの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ペリクル枠、ペリクル、ペリクルの製造方法、及びペリクル枠の評価方法に関する。
続きを表示（約 3,400 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化は、フォトリソグラフィーによって推し進められている。フォトリソグラフィーでは、片面にパターンが形成されたフォトマスクが使用される。フォトマスクには、フォトマスクの表面に塵埃等の異物が付着することを防止するために、ペリクルが貼り付けられる。
フォトマスクにペリクルが貼り付けられると、フォトマスクの平坦度が変化し、露光時の焦点ズレによってウエハに焼き付けられるパターンに問題が発生するおそれがある。更に、パターン形状の変化によってフォトマスクの重ね合わせ精度に問題が発生するおそれがある。このため、フォトマスクの変形を抑制するため、ペリクルフレームの平坦度を示すＴＩＲ（Total Indicator Reading）値を小さくする試みがなされている。
【０００３】
特許文献１は、ペリクルをフォトマスクに貼り付けてもフォトマスクの平坦度が損なわれないようなペリクルを開示している。特許文献１に開示のペリクルは、ペリクルフレーム（以下、「ペリクル枠」ともいう。）を備える。ペリクル枠のフォトマスクに貼り付く側のＴＩＲ値は、３０μｍ以下である。ペリクル枠のペリクル膜側のＴＩＲ値は、１５μｍ以下である。
【０００４】
特許文献２は、ペリクル枠の平坦度に格別考慮を払うことなく、ペリクルをフォトマスクに貼り付けても、フォトマスクの変形を最小限に抑制できるペリクルを開示している。特許文献２に開示のペリクルは、ペリクルをマスクに貼り付けるためのマスク接着層（以下、「フォトマスク用粘着層」）ともいう。）を有する。フォトマスク用粘着層は、平坦な面を有する。フォトマスク用粘着層の平坦な面は１５μｍ以下である。
【０００５】
特許文献１：特開２００８－２５６９２５号公報
特許文献２：特開２００９－０２５５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示のペリクルでは、ペリクルに含まれるペリクル枠のねじれが考慮されていない。ペリクル枠のねじれの主な原因は、ペリクル枠の製造時に発生する残留応力に起因する。ペリクル枠のフォトマスクに貼り付く側のＴＩＲ値が３０μｍ以下であっても、ペリクル枠にねじれが発生しているおそれがあった。ペリクル枠にねじれが発生している場合、ペリクル枠にフォトマスク用粘着層を形成する際、フォトマスク用粘着層の表面の平坦化するための圧力（荷重）がフォトマスク用粘着層の全体に均一に作用しないおそれがあった。その結果、フォトマスク用粘着層のＴＩＲ値は、高くなるおそれがあった。それ故、特許文献１に開示のペリクルをフォトマスクに貼り付けると、フォトマスクが歪むおそれがあった。
【０００７】
特許文献２に開示のペリクルでは、フォトマスク用粘着層の厚みが考慮されていない。フォトマスク用粘着層の厚みが厚ければ厚いほど、フォトマスク用粘着層のＴＩＲ値は、ペリクル枠のフォトマスクに貼り付く側のＴＩＲ値の影響を受けにくい。そのため、フォトマスク用粘着層のＴＩＲ値をフォトマスクのＴＩＲ値に近づけやすい。
しかしながら、近年、半導体集積回路の高微細化のために、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）とＥＵＶ（Extreme Ultra Violet：極端紫外）光（波長：３ｎｍ～３０ｎｍ）とを問わず、フォトマスク用粘着層からのアウトガス量に対する要求水準が高くなると予想される。更に、フォトマスク用粘着層に求められる厚みが薄くなると予想される。特に、露光の光源としてＡｒＦエキシマレーザーよりも波長が短いＥＵＶ光が用いられる場合、露光は真空環境下で実施される。そのため、フォトマスク用粘着層の厚みをより薄くすることが強く求められている。フォトマスク用粘着層に求められる厚みは、例えば、１０μｍ～５００μｍである。
【０００８】
本開示は、上記事情に鑑みたものである。
本開示の一実施形態が解決しようとする課題は、ペリクルの貼り付けに起因するフォトマスクの歪みを抑制することができるペリクル枠、ペリクル、及びペリクルの製造方法を提供することである。
本開示の他の実施形態が解決しようとする課題は、ペリクル枠の端面のねじれ量を精度良く測定することができるペリクル枠の評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
＜１＞フォトマスクに粘着可能な粘着層が設けられる一方の端面と、
ペリクル膜を支持する他方の端面と
を有する、矩形状のペリクル枠（但し、石英ガラスを含むペリクル枠は除く。）であって、
前記一方の端面のねじれ量Δｄが１０μｍ以下であり、
前記一方の端面のねじれ量Δｄは、前記一方の端面の四隅の４地点のうち３地点を通る仮想平面と残りの１地点との距離の最大値を示す、ペリクル枠。
＜２＞前記他方の端面のねじれ量Δｄが１０μｍ以下であり、
前記他方の端面のねじれ量Δｄは、前記他方の端面の四隅の４地点のうち３地点を通る仮想平面と残りの１地点との距離の最大値を示す、前記＜１＞に記載のペリクル枠。
＜３＞金属を含む、前記＜１＞又は＜２＞に記載のペリクル枠。
＜４＞アルミニウム、チタン、ステンレス、炭素系材料、樹脂、シリコン、及びセラミックス系材料から選ばれる少なくとも１種を含む、前記＜１＞又は＜２＞に記載のペリクル枠。
＜５＞ヤング率が、９０ＧＰａ以上である、前記＜１＞又は＜２＞に記載のペリクル枠。
＜６＞前記一方の端面のねじれ量Δｄが、１μｍ以上である、前記＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のペリクル枠。
＜７＞前記一方の端面のＴＩＲ値が３０μｍ以下である、前記＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のペリクル枠。
＜８＞前記他方の端面のＴＩＲ値が３０μｍ以下である、前記＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のペリクル枠。
＜９＞前記＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のペリクル枠と、
前記一方の端面に設けられた、前記粘着層と、
前記他方の端面に支持された、前記ペリクル膜と
を備える、ペリクル。
＜１０＞前記＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のペリクル枠を準備する工程と、
塗布組成物を前記一方の端面に塗布して塗布層を形成し、前記塗布層を平坦化用物品の平坦面に接触させた状態で前記塗布層を加熱した後に、前記塗布層をベークして、前記粘着層を形成する工程と
を有し、
前記粘着層の厚みが１０μｍ以上５００μｍ以下であり、
前記平坦面のＴＩＲ値が１０μｍ未満である、ペリクルの製造方法。
＜１１＞前記矩形状のペリクル枠の四隅の４地点のうち３地点を固定して、残りの１地点に力を付与する工程を含む、
＜１０＞に記載のペリクルの製造方法。
＜１２＞フォトマスクに粘着可能な粘着層が設けられる一方の端面と、ペリクル膜を支持する他方の端面とを有する、矩形状のペリクル枠の評価方法であって、
前記一方の端面のねじれ量Δｄを測定することを含み、
前記ねじれ量Δｄは、前記一方の端面の四隅の４地点のうち３地点を通る仮想平面と残りの１地点との距離の最大値を示す、ペリクル枠の評価方法。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、ペリクルの貼り付けに起因するフォトマスクの歪みを抑制することをできるペリクル枠、ペリクル、及びペリクルの製造方法を提供することである。
本開示によれば、ペリクル枠の端面のねじれ量を精度良く測定することができるペリクル枠の評価方法を提供することである。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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