TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2025130665
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-08
出願番号2024160017
出願日2024-09-17
発明の名称半導体装置
出願人エイブリック株式会社
代理人
主分類H01L 23/50 20060101AFI20250901BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ノンリードタイプのパッケージであっても実装基板との接合信頼性を確保することができるリードを有する半導体装置の提供。
【解決手段】半導体装置100は、半導体チップ110と、平面視において、半導体チップ110の周囲に離間して配置され、半導体チップ110側から延伸する複数のリード102と、少なくとも複数のリード102の下面及び端面がそれぞれ露出するように外形を形成する封止樹脂140と、リード102の下面に形成された金属膜150と、を有し、リード102の下面は、封止樹脂140の下面より上方の位置に形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
半導体チップと、
平面視において、前記半導体チップの周囲に離間して配置され、前記半導体チップ側から延伸する複数のリードと、
少なくとも前記複数のリードの下面及び端面がそれぞれ露出するように外形を形成する封止樹脂と、
前記リードの下面に形成された金属膜と、
を有する半導体装置であって、
前記リードの下面は、前記封止樹脂の下面より上方の位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
続きを表示(約 300 文字)【請求項2】
前記リードは、前記リードの下面と端面との角部に段差部が形成されている請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記リードは、前記リードの下面と前記段差部との間の角部に面取り部が形成されている請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記面取り部は、ラウンド加工されている請求項3に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記面取り部は、傾斜を有する面で構成されている請求項3に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記段差部の高さは、前記リードの厚さの1/2以上である請求項2から5のいずれか1項に記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,200 文字)【背景技術】
【0002】
携帯電話やモバイル用機器などの電子機器の高機能化に伴い、このような電子機器に使用される半導体装置に対する小型化及び薄型化の要求が高まっている。
【0003】
エポキシ樹脂の成形による半導体装置の一般的なパッケージは、リードフレームの一部であるダイパッドに半導体チップを搭載してエポキシ樹脂で覆うとともに外形を形成する構造を有する。このような構造の小型パッケージの形態の一つとして、ノンリードタイプのDFN(Dual Flat Nonleaded)パッケージがある。
【0004】
DFNパッケージは、一般的に、リードの下面が封止樹脂の下面とほぼ同一面であり、リードの下面が露出するように樹脂封止される。その後、リードの下面にめっき層を形成し、リードフレームをダイシング装置での切削によって個片化することで製造される。このようにして製造されたDFNパッケージは、めっき層が形成されたリードの下面がアウターリードとして機能する。
【0005】
上記の通りDFNパッケージは、めっき層を形成したリードの下面のみと実装基板とをはんだなどで接合する場合には、リードと実装基板との接合強度確保することが難しい。
【0006】
このリードと実装基板との接合強度の低下を抑制するために、例えば、特許文献1に記載の発明では、リードの下面に細長い溝状の凹部を形成した半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
特開2000-294719号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の一つの側面では、ノンリードタイプのパッケージであっても実装基板との接合信頼性を確保することができるリードを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施形態における半導体装置は、
半導体チップと、
平面視において、前記半導体チップの周囲に離間して配置され、前記半導体チップ側から延伸する複数のリードと、
少なくとも前記複数のリードの下面及び端面がそれぞれ露出するように外形を形成する封止樹脂と、
前記リードの下面に形成された金属膜と、
を有する半導体装置であって、
前記リードの下面は、前記封止樹脂の下面より上方の位置に形成されている。
【発明の効果】
【0010】
本発明の一つの側面によれば、ノンリードタイプのパッケージであっても実装基板との接合信頼性を確保することができるリードを有する半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する

関連特許

エイブリック株式会社
半導体装置
1日前
エイブリック株式会社
半導体装置
1日前
エイブリック株式会社
バッテリ装置
8日前
エイブリック株式会社
接触子及びそれを用いた接触機構
1日前
個人
雄端子
28日前
個人
後付地震遮断機
1か月前
個人
安全なNAS電池
4日前
個人
超精密位置決め機構
1か月前
愛知電機株式会社
電力機器
25日前
東レ株式会社
積層多孔質膜
1か月前
ヒロセ電機株式会社
端子
25日前
日機装株式会社
加圧装置
20日前
CKD株式会社
巻回装置
1か月前
個人
フリー型プラグ安全カバー
11日前
エイブリック株式会社
半導体装置
1日前
エイブリック株式会社
半導体装置
1日前
ローム株式会社
半導体装置
20日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
7日前
オムロン株式会社
電磁継電器
8日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
15日前
三菱電機株式会社
回路遮断器
21日前
沖電気工業株式会社
アンテナ
11日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
15日前
株式会社GSユアサ
蓄電装置
1か月前
住友電装株式会社
端子
27日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
6日前
株式会社ヨコオ
コネクタ
1日前
株式会社カネカ
二次電池
14日前
日本特殊陶業株式会社
保持装置
1か月前
日本化薬株式会社
電流遮断装置
1か月前
トヨタ自動車株式会社
蓄電装置
18日前
株式会社東芝
回路素子
1か月前
日新イオン機器株式会社
イオン注入装置
20日前
三菱自動車工業株式会社
放熱構造
20日前
ローム株式会社
半導体装置
15日前
ローム株式会社
半導体装置
8日前
続きを見る