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公開番号2025155778
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2024221132
出願日2024-12-17
発明の名称積層セラミック電子部品
出願人太陽誘電株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類H01G 4/30 20060101AFI20251002BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】耐湿性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層セラミック電子部品は、第1軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第1軸と直交する第2軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第2軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてSi濃度が不連続に増加する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、
前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
続きを表示（約 1,800 文字）【請求項２】
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記容量形成部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記容量形成部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加し、
前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
少なくとも前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界においてのみ、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、
前記積層体は、
前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、
前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、
を有し、
前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との間でＳｉ濃度が等しい
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のサイドマージン部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記積層体は、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面を有し、
前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部を具備し、
前記一対のカバー部と前記一対のサイドマージン部との境界において、前記一対のカバー部から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する
請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記複数の内部電極の各々の前記端部に形成された酸化領域の前記第２軸方向の寸法は平均で１μｍ以下である
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、積層セラミック電子部品に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサの製造過程においてサイドマージン部を後付けする技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この技術は、薄いサイドマージン部によっても複数の内部電極の両側端部を確実に被覆することができるため、積層セラミックコンデンサの小型化及び大容量化に有利である。
【０００３】
一例として、特許文献１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法では、内部電極が印刷されたセラミックシートを積層した積層シートを切断し、内部電極が露出した切断面を側面とする複数の積層体を作製する。そして、積層体の側面でセラミックシートを打ち抜くことにより、積層体の両側面にサイドマージン部を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１２－２０９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、サイドマージン部が薄く形成された積層セラミックコンデンサでは、耐湿性が低下するおそれがある。
【０００６】
本開示は、耐湿性を向上することができる積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様によれば、積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体と、前記一対の側面を被覆する一対のサイドマージン部と、を具備し、前記積層体と前記一対のサイドマージン部との境界の少なくとも一部分において、前記積層体から前記一対のサイドマージン部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【０００８】
本開示の他の一態様によれば、積層セラミック電子部品は、第１軸方向に積層された複数のセラミック層と、前記複数のセラミック層の間に位置する複数の内部電極と、前記第１軸と直交する第２軸に垂直であり、前記複数の内部電極の前記第２軸方向の端部が位置する一対の側面と、を有する積層体を具備し、前記積層体は、前記複数の内部電極と、前記複数のセラミック層のうちで前記複数の内部電極の間に位置する複数の電極間セラミック層と、を有する容量形成部と、前記複数のセラミック層のうちで前記容量形成部を間に挟む一対の最外セラミック層を有するカバー部と、を有し、前記容量形成部と前記一対のカバー部との境界において、前記容量形成部から前記一対のカバー部にかけてＳｉ濃度が不連続に増加する。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、耐湿性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図（その１）である。
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを示す断面図（その２）である。
第１実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第１実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの製造方法を示すフローチャートである。
上記製造方法のステップＳ０１で準備される未焼成の積層体を示す斜視図である。
上記製造方法のステップＳ０２で得られる未焼成のセラミック素体を示す斜視図である。
第１実施形態におけるサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。
比較例における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
比較例におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
比較例におけるサイドマージン部の微細組織を模式的に示す部分断面図である。
第１実施形態のサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す部分断面図である。
第１実施形態のサイドマージン部におけるガラス粒子の分布状態を模式的に示す図である。
一部が酸化した内部電極を示す断面図である。
第２実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第２実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第３実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第３実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第３実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第４実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第４実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第４実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第５実施形態における容量形成部とカバー部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第５実施形態におけるカバー部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
第５実施形態における容量形成部とサイドマージン部との境界の近傍におけるＳｉ濃度の分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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