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公開番号2025098782
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-02
出願番号2023215149
出願日2023-12-20
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人新光電気工業株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 23/52 20060101AFI20250625BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】配線層の接続信頼性を向上させること。
【解決手段】半導体装置は絶縁基材と、配線層と、ビアと、半導体素子とを有する。絶縁基材は、一方の面に接着剤層を有する絶縁層からなる。配線層は、接着剤層の一方の面に形成される。ビアは、配線層とは別体で形成されて絶縁層及び接着剤層を貫通し、配線層に接続する。半導体素子は、絶縁層の他方の面においてビアの配線層に接続する一端とは反対側の他端に焼結材を介して接続される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
一方の面に接着剤層を有する絶縁層からなる絶縁基材と、
前記接着剤層の一方の面に形成された配線層と、
前記配線層とは別体で形成されて前記絶縁層及び前記接着剤層を貫通し、前記配線層に接続するビアと、
前記絶縁層の他方の面において前記ビアの前記配線層に接続する一端とは反対側の他端に焼結材を介して接続される半導体素子と
を有する半導体装置。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
前記ビアは、
前記一端の径よりも前記他端の径が大きいテーパ形状を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ビアの前記他端は、
前記絶縁層の他方の面と同一面上に位置する端面を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記端面は、
平坦な面である
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記端面は、
凹部を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子の前記ビアに接合される面とは反対側の面に接合される配線基板
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
一方の面に接着剤層を有する絶縁層からなる絶縁基材に対し、前記絶縁層及び前記接着剤層を貫通するビアホールを形成し、
前記接着剤層の一方の面に金属箔を積層し、
金属のめっきにより、前記ビアホール内に前記金属箔に接続するビアを形成するとともに前記絶縁層の他方の面にめっき層を形成し、
エッチングにより、前記金属箔から配線層を形成するとともに前記絶縁層の他方の面から前記めっき層を除去し、
前記絶縁層の他方の面において前記ビアの前記配線層に接続する一端とは反対側の他端に半導体素子を接合する
工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁基材を構成する絶縁層の一方の面に接着剤層を介して半導体素子が配置され、絶縁層の他方の面に配線層が形成された半導体装置が知られている。かかる半導体装置においては、配線層が絶縁層及び接着剤層を貫通するビアを介して半導体素子に接合される。
【０００３】
配線層及びビアは、絶縁層及び接着剤層にビアホールを形成し、絶縁層の他方の面及びビアホールの内壁面に電解めっきを施すことにより、一体的に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１４－２７２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した半導体装置においては、配線層の接続信頼性が十分ではないという問題がある。具体的には、配線層及びビアが電解めっきにより一体的に形成される際に、ビアホールの内壁面に沿って配線層及びビアとなる金属が析出する。このため、ビアホールに対応する位置において、配線層にビアホールの深さ方向に凹む凹部が形成される。
【０００６】
このような配線層の凹部は、配線層に外部部品が接合される際に配線層上に供給されるはんだ等の接合材の流動性を低下させ、結果として、配線層上の接合材にボイドを発生させる。そして、配線層上の接合材にボイドが発生すると、配線層と外部部品との電気的接続及び機械的接続が不安定になる。すなわち、半導体装置の配線層における接続信頼性が低下してしまう。
【０００７】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、配線層の接続信頼性を向上させることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の開示する半導体装置は、一つの態様において、絶縁基材と、配線層と、ビアと、半導体素子とを有する。絶縁基材は、一方の面に接着剤層を有する絶縁層からなる。配線層は、接着剤層の一方の面に形成される。ビアは、配線層とは別体で形成されて絶縁層及び接着剤層を貫通し、配線層に接続する。半導体素子は、絶縁層の他方の面においてビアの配線層に接続する一端とは反対側の他端に焼結材を介して接続される。
【発明の効果】
【０００９】
本願の開示する半導体装置の一つの態様によれば、配線層の接続信頼性を向上させることができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。
図２は、実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図３は、絶縁基材の具体例を示す図である。
図４は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。
図５は、金属箔積層工程の具体例を示す図である。
図６は、シード層形成工程の具体例を示す図である。
図７は、電解銅めっき工程の具体例を示す図である。
図８は、配線層形成工程の具体例を示す図である。
図９は、焼結材塗布工程の具体例を示す図である。
図１０は、半導体素子搭載工程の具体例を示す図である。
図１１は、実施形態の変形例１に係る半導体装置の構成を示す図である。
図１２は、配線層形成工程の具体例を示す図である。
図１３は、焼結材塗布工程の具体例を示す図である。
図１４は、実施形態の変形例２に係る半導体装置の構成を示す図である。
図１５は、実施形態の変形例２に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図１６は、配線基板仮接合工程の具体例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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